1.一種固體電解電容器，包括：
陽極，所述陽極包括多孔陽極體和介電層，其中陽極體由壓實和燒結(jié)的閥金屬粉末制成，所述的閥金屬粉末的比電荷為大約200,000μF*V/g或更高、磷含量為大約150ppm或更低；以及
覆蓋于陽極上的固體電解質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的閥金屬粉末包括鉭。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的粉末由鉭鹽和還原劑反應制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體電解電容器，其中所述的還原劑為氫氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的粉末由團聚的顆粒制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體電解電容器，其中所述的粉末由中值粒徑為大約5至大約250納米的初級顆粒制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的陽極導線連接于陽極體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，進一步包括：
陽極端子，所述陽極端子與陽極導線電連接；
陰極端子，所述陰極端子與固體電解質(zhì)電連接；以及
外殼，所述外殼封裝電容器陽極和固體電解質(zhì)，并將陽極端子和陰極端子的至少一部分暴露在外。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的固體電解質(zhì)包括導電聚合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固體電解電容器，其中所述的導電聚合物是聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)或它的衍生物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的固體電解質(zhì)包括二氧化錳。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的電容器在頻率120Hz下測定時，具有的濕-干電容百分比為大約75％或更高。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的電容器在頻率100kHz下測定時，具有的ESR為大約0.05歐姆至大約2.0歐姆。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的電容器在電壓為6.3V每60秒測定時，具有的泄漏電流為大約75微安或更低。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述的電容器在頻率為120Hz時，具有的損耗因數(shù)為65％或更低。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其中所述粉末的磷含量為50ppm或更低。
17.一種固體電解電容器的制備方法，所述方法包括：
將閥金屬粉末壓成陽極體，其中所述粉末的比電荷為大約200,000μF*V/g或更高，磷含量為大約150ppm或更低；
將陽極體燒結(jié)；
在燒結(jié)的陽極體上形成一介電層；以及
在介電層上涂覆固體電解質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述的閥金屬粉末包括鉭。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述粉末由鉭鹽和還原劑反應制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述還原劑為氫氣。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述粉末在粘結(jié)劑存在時，在溫度大約0℃至大約40℃下團聚。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述粉末由中值粒徑為大約5納米至大約250納米的初級顆粒制成。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述的固體電解質(zhì)包括導電聚合物。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述的導電聚合物是聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)或它的衍生物。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述的固體電解質(zhì)包括二氧化錳。