技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種貫孔漏電與擊穿測試，各項(xiàng)特定具體實(shí)施例包括貫孔測試結(jié)構(gòu)，該貫孔測試結(jié)構(gòu)包括：第一端點(diǎn)，該第一端點(diǎn)耦接至該結(jié)構(gòu)的頂層中的第一組感測線；第二端點(diǎn)，該第二端點(diǎn)耦接至該結(jié)構(gòu)的該頂層中的第二組感測線，其中，該第一組感測線與該第二組感測線布置成梳齒配置；第三端點(diǎn)，該第三端點(diǎn)耦接至該結(jié)構(gòu)的底層中的第三組感測線；以及多個(gè)貫孔，該多個(gè)貫孔電氣耦接該結(jié)構(gòu)的該頂層中的該第二組感測線至該結(jié)構(gòu)的該底層中的該第三組感測線，各貫孔具有貫孔頂端及貫孔底端。

技術(shù)研發(fā)人員：F·陳;A·R·迪弗雷納;W·C·格里芬;W·K·科爾芬巴赫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號(hào)碼：201610192538
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.30
技術(shù)公布日：2016.11.23