技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括：提供半導(dǎo)體襯底，其包括高壓器件區(qū)域和低壓器件區(qū)域；在半導(dǎo)體襯底上形成第一柵極氧化層；在高壓器件區(qū)域內(nèi)的部分第一柵極氧化層表面上形成圖案化的掩膜層，圖案化的掩膜層完全覆蓋預(yù)定形成第一柵極結(jié)構(gòu)及第一柵極側(cè)墻的區(qū)域，且暴露與預(yù)定形成的高壓器件區(qū)域內(nèi)的源漏區(qū)位置對應(yīng)的部分第一柵極氧化層和低壓器件區(qū)域的第一柵極氧化層；以圖案化的掩膜層為掩膜，去除暴露的第一柵極氧化層；去除圖案化的掩膜層；在半導(dǎo)體襯底上形成第二柵極氧化層，第一柵極氧化層的厚度大于所述第二柵極氧化層的厚度。本發(fā)明的制造方法，有效減少漏電發(fā)生幾率，提高了器件的性能和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：湯銳;孟令成;蒲海軍
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.22
技術(shù)公布日：2017.10.31