技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及用于在集成電路內(nèi)制造JFET晶體管的方法及對(duì)應(yīng)的集成電路。根據(jù)本發(fā)明的用于制造BiCMOS類型的集成電路(CI)的方法包括制造至少一個(gè)垂直結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(T1)，其包括形成具有通過(guò)光刻控制的有源表面(D)的臨界尺寸的溝道區(qū)域(ZC)。

技術(shù)研發(fā)人員：J·希門尼斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司
文檔號(hào)碼：201610324289
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.16
技術(shù)公布日：2017.06.27