本申請(qǐng)發(fā)明涉及用于保持例如半導(dǎo)體基板這樣的處理對(duì)象物的工作臺(tái)以及具有該工作臺(tái)的處理裝置。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件的制造中公知有對(duì)基板的表面進(jìn)行研磨的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP、Chemical Mechanical Polishing)裝置。在CMP裝置中，在研磨工作臺(tái)的上表面上粘貼研磨墊而形成研磨面。該CMP裝置將由頂環(huán)保持的基板的被研磨面按壓于研磨面，一邊對(duì)研磨面供給作為研磨液的漿料一邊使研磨工作臺(tái)和頂環(huán)旋轉(zhuǎn)。由此，使研磨面與被研磨面滑動(dòng)地相對(duì)移動(dòng)，對(duì)被研磨面進(jìn)行研磨。

代表的CMP裝置中，研磨工作臺(tái)或者研磨墊比被研磨的基板大，基板以使被研磨面朝下的方式由頂環(huán)保持而進(jìn)行研磨。使聚乙烯醇(PVA)等海綿材料一邊旋轉(zhuǎn)一邊與基板接觸而對(duì)研磨后的基板進(jìn)行清洗、進(jìn)一步進(jìn)行干燥。

公知有精加工單元，該精加工單元將相對(duì)于研磨后的基板直徑比基板小的接觸部件按壓于基板，而使基板與接觸部件相對(duì)運(yùn)動(dòng)(例如，專利文獻(xiàn)1)。這樣的精加工單元與主研磨部分開地設(shè)置于CMP裝置內(nèi)，能夠?qū)χ餮心ズ蟮幕迳晕⑦M(jìn)行追加研磨或者清洗。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平8-71511號(hào)公報(bào)

在對(duì)基板進(jìn)行研磨的裝置中，要想以較高的壓力使基板與接觸部件接觸而提高清洗效果或者提高研磨速度，優(yōu)選利用對(duì)基板的背面整體進(jìn)行接觸支撐的工作臺(tái)來保持基板。作為這樣的工作臺(tái)的例子存在具有用于對(duì)基板進(jìn)行真空吸附的小孔的工作臺(tái)。在對(duì)基板進(jìn)行真空吸附的工作臺(tái)的情況下，在支撐基板的工作臺(tái)的支撐面與基板之間的間隙產(chǎn)生負(fù)壓，在研磨基板時(shí)所使用的漿料或者其他的處理液有時(shí)從基板的邊緣與工作臺(tái)之間的間隙被吸入而到達(dá)小孔內(nèi)。在為了使基板從工作臺(tái)的支撐面釋放而從小孔吹出氣體或液體時(shí)，有時(shí)所吸入的漿料或處理液從工作臺(tái)的支撐面與基板之間的間隙流出并在繞過基板的上表面而污染基板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，優(yōu)選使對(duì)基板進(jìn)行真空吸附用的工作臺(tái)的小孔盡量不吸入漿料或處理液。并且，優(yōu)選在釋放基板時(shí)所吸入的漿料或處理液盡量不繞過基板。

本申請(qǐng)發(fā)明的目的在于，解決或者緩和這些課題中的至少一部分。

根據(jù)本發(fā)明的第一方式，提供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺(tái)，用于保持基板；以及處理液供給機(jī)構(gòu)，用于對(duì)保持在所述工作臺(tái)上的基板供給處理液。所述工作臺(tái)具有：支撐面，用于支撐基板；第一開口部，形成于所述支撐面；第二開口部，形成于所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部；第一流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，構(gòu)成為能夠與真空源連接；以及第二流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，構(gòu)成為能夠使所述第二開口部向大氣開放。

根據(jù)本發(fā)明的第二方式，在第一方式中，所述第二流體通路以貫通所述工作臺(tái)的至少一部分的方式延伸。

根據(jù)本發(fā)明的第三方式，在第二方式中，所述工作臺(tái)具有在所述工作臺(tái)的表面擴(kuò)展的方向上延伸的擴(kuò)展緣部，所述第二開口部位于所述擴(kuò)展緣部，所述第二流體通路以貫通所述擴(kuò)展緣部的方式延伸。

根據(jù)本發(fā)明的第四方式，在第一方式至第三方式中的任意1個(gè)方式中，所述第一流體通路構(gòu)成為能夠與流體供給源連接，該流體供給源用于通過所述第一流體通路而從所述第一開口部供給流體。

根據(jù)本發(fā)明的第五方式，在第四方式中，所述流體具有由空氣、氮以及水構(gòu)成的組中的至少1個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的第六方式，在第一方式至第五方式中的任意1個(gè)方式中，所述工作臺(tái)構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的第七方式，在第一方式至第六方式中的任意1個(gè)方式中，該濕式基板處理裝置具有用于對(duì)所述基板進(jìn)行研磨處理的研磨墊。

根據(jù)本發(fā)明的第八方式，提供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺(tái)，用于保持基板；以及處理液供給機(jī)構(gòu)，用于對(duì)保持在所述工作臺(tái)上的基板供給處理液。所述工作臺(tái)具有：支撐面，用于支撐基板；第一開口部，形成于所 述支撐面；第二開口部，形成于所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部；第一流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，構(gòu)成為能夠與真空源連接；以及第二流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，構(gòu)成為能夠與流體供給源連接。

根據(jù)本發(fā)明的第九方式，在第八方式中，所述流體具有由空氣、氮以及水構(gòu)成的組中的至少1個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的第十方式，在第一方式至第九方式中的任意1個(gè)方式中，所述工作臺(tái)構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的第十一方式，在第八方式至第十方式中的任意1個(gè)方式中，該濕式基板處理裝置具有用于對(duì)基板進(jìn)行研磨處理的研磨墊。

根據(jù)本發(fā)明的第十二方式，提供用于對(duì)基板進(jìn)行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺(tái)，用于保持基板；以及處理液供給機(jī)構(gòu)，用于對(duì)保持在所述工作臺(tái)上的基板供給處理液。所述工作臺(tái)具有：支撐面，用于支撐基板；第一開口部，形成于所述支撐面；第二開口部，形成于所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部；第一流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，構(gòu)成為能夠與流體供給源連接；以及第二流體通路，穿過所述工作臺(tái)而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，構(gòu)成為能夠與真空源連接。

根據(jù)本發(fā)明的第十三方式，在第十二方式中，所述流體具有由空氣、氮以及水構(gòu)成的組中的至少1個(gè)。

根據(jù)本發(fā)明的第十四方式，在第十二方式或者第十三方式中，第一流體通路構(gòu)成為能夠與真空源連接。

根據(jù)本發(fā)明的第十五方式，在第十二方式至第十四方式中的任意1個(gè)方式中，所述工作臺(tái)構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的第十六方式，在第十二方式至第十五方式中的任意1個(gè)方式中，該濕式基板處理裝置具有用于對(duì)基板進(jìn)行研磨處理的研磨墊。

根據(jù)本發(fā)明的第十七方式，提供襯墊件，該襯墊件能夠配置于用于對(duì)基板進(jìn)行保持的工作臺(tái)。該襯墊件在配置于第一方式至第十六方式中的任意1個(gè)濕式基板處理裝置的工作臺(tái)時(shí)，在與所述工作臺(tái)的所述第一開口部和所述第二開口部的位置對(duì)應(yīng)的位置上具有貫通孔。

附圖說明

圖1是表示作為具有用于對(duì)處理對(duì)象物進(jìn)行處理的工作臺(tái)的處理裝置的一例的拋光處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是概略性地表示作為一實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)的剖面的圖。

圖3A是表示圖2的拋光工作臺(tái)的上表面的立體圖。

圖3B是表示一實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)的切口部的周邊的俯視圖。

圖4是沿著線段E-E剖切一實(shí)施方式的圖3(A)所示的拋光工作臺(tái)而得到的剖面圖。

圖5是概略性地表示作為一實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)的剖面的圖。

圖6是沿著線段E-E剖切一實(shí)施方式的圖3(A)所示的拋光工作臺(tái)而得到的剖面圖。

符號(hào)說明

400 工作臺(tái)

402 支撐面

404 第一開口部

406 擴(kuò)展緣部

410 第一流體通路

420 第二流體通路

424 第二開口部

450 襯墊件

452 貫通孔

502 研磨墊

714 純水供給源

724 藥液供給源

744 氮源

746 真空源

Wf 晶片

具體實(shí)施方式

以下，與附圖一同說明用于保持本發(fā)明的處理對(duì)象物的工作臺(tái)和具有該工作臺(tái)的處理 裝置的實(shí)施方式。在附圖中，對(duì)相同或者類似的要素標(biāo)注相同或者類似的參照符號(hào)，在各實(shí)施方式的說明中關(guān)于相同或者類似的要素的重復(fù)的說明有時(shí)省略。并且，各實(shí)施方式所示的特征只要不彼此矛盾也可以應(yīng)用于其他的實(shí)施方式。

圖1是表示作為具有用于對(duì)處理對(duì)象物進(jìn)行處理的工作臺(tái)的處理裝置的一例的拋光處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖1所示的拋光處理裝置能夠構(gòu)成為進(jìn)行半導(dǎo)體晶片等基板的研磨處理的CMP裝置的一部分或者CMP裝置內(nèi)的一個(gè)單元。作為一例拋光處理裝置能夠組裝于具有研磨單元、清洗單元、基板的搬送機(jī)構(gòu)的CMP裝置，拋光處理裝置能夠在CMP裝置內(nèi)的主研磨之后用于精加工。

在本說明書中，拋光處理包含拋光研磨處理與拋光清洗處理中的至少一方。

拋光研磨處理是指一邊使拋光墊與基板接觸一邊使基板與拋光墊相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過使?jié){料介于基板與拋光墊之間而對(duì)基板的處理面進(jìn)行研磨去除的處理。拋光研磨處理是在使用海綿材料(例如PVA海綿材料)等通過物理性作用清洗基板的情況下能夠?qū)迨┘颖仁┘咏o基板的物理性作用力強(qiáng)的物理性作用力的處理。因此，作為拋光墊可以使用例如將發(fā)泡聚氨酯和無紡布層疊得到的墊，具體而言為能夠在市場(chǎng)上買入的IC1000(商標(biāo))/SUBA(注冊(cè)商標(biāo))系列、柔面革狀的多孔性聚氨酯非纖維質(zhì)墊、具體而言為能夠在市場(chǎng)上買入的POLITEX(注冊(cè)商標(biāo))等。通過拋光研磨處理而能夠?qū)崿F(xiàn)如下內(nèi)容：劃痕等損害或者污染物附著的表層部的去除、主研磨單元中的無法利用主研磨去除的部位的追加去除、或者主研磨后的微小區(qū)域的凹凸或基板整體上的膜厚分布這樣的形態(tài)的改善。

拋光清洗處理是指一邊使拋光墊與基板接觸一邊使基板和拋光墊相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過使清洗處理液(藥液或者藥液和純水)介于基板與拋光墊之間而去除基板表面的污染物或者對(duì)處理面進(jìn)行改質(zhì)的處理。拋光清洗處理是在使用海綿材料等通過物理性作用清洗基板的情況下能夠?qū)迨┘颖仁┘咏o基板的物理性作用力強(qiáng)的物理性作用力的處理。因此，作為拋光墊使用上述的IC1000(商標(biāo))/SUBA(注冊(cè)商標(biāo))系列或POLITEX(注冊(cè)商標(biāo))等。此外，在本發(fā)明的拋光處理裝置中作為拋光墊也可以使用PVA海綿。

圖1是概略性地表示一實(shí)施方式的安裝有晶片Wf(基板)的狀態(tài)下的拋光處理模塊300A的結(jié)構(gòu)的圖。如圖1所示，一實(shí)施方式的拋光處理模塊300A具有：設(shè)置有晶片Wf的拋光工作臺(tái)400；安裝有用于對(duì)晶片Wf的處理面進(jìn)行拋光處理的拋光墊502的拋光頭500；保持拋光頭500的拋光臂600；用于供給各種處理液的液供給系統(tǒng)700；以及用于進(jìn)行拋光墊502的修整(修整)的修整部800。

拋光處理模塊300A能夠進(jìn)行上述的拋光研磨處理和/或拋光清洗處理。

拋光工作臺(tái)400詳細(xì)情況在后述進(jìn)行說明，但使晶片Wf的被處理面朝上地進(jìn)行支撐。拋光工作臺(tái)400能夠通過真空吸附將晶片Wf保持在拋光工作臺(tái)400的支撐面402上。也可以經(jīng)由襯墊件450(參照?qǐng)D2)而使拋光工作臺(tái)400吸附晶片Wf。襯墊件450能夠由例如具有彈性的發(fā)泡聚氨酯形成。襯墊件450作為拋光工作臺(tái)400與晶片Wf之間的緩沖材料能夠防止對(duì)晶片Wf擦傷或者緩和對(duì)拋光工作臺(tái)400的表面的凹凸的拋光處理的影響。襯墊件450能夠通過粘接帶而安裝于拋光工作臺(tái)400的表面。襯墊件450可以使用公知的材料，可以使用在與拋光工作臺(tái)400的開口部404對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)置貫通孔452的材料(參照?qǐng)D2)。另外，拋光工作臺(tái)400的支撐面402可以呈圓形，能夠保持圓形的晶片Wf。

另外，在本說明書中，在晶片Wf經(jīng)由襯墊件450安裝于拋光工作臺(tái)400的情況下，安裝有襯墊件450的狀態(tài)下的襯墊件450的表面成為支撐晶片Wf的“支撐面”，在不經(jīng)由襯墊件450而直接地將晶片Wf吸附于拋光工作臺(tái)400的情況下，拋光工作臺(tái)的表面成為支撐晶片Wf的“支撐面”。以下，在簡(jiǎn)稱為“支撐面”或者“拋光工作臺(tái)的支撐面”的情況下，包含這兩者的情況。

此外，在拋光工作臺(tái)400中，作為工作臺(tái)400上的搬送機(jī)構(gòu)具有接受由未圖示的搬送機(jī)器人搬送的晶片Wf、并用于載置拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的升降銷480(參照?qǐng)D2)。升降銷480沿著拋光工作臺(tái)400的外周配置多個(gè)，通過未圖示的機(jī)構(gòu)而使升降銷480伸縮。升降銷480在升降銷480突出的狀態(tài)下支撐并接受晶片Wf的外周部，然后使升降銷480后退而將晶片Wf載置于拋光工作臺(tái)400的支撐面402。在拋光處理結(jié)束之后，升降銷480突出而支撐晶片Wf的外周部并進(jìn)行抬升，搬送機(jī)器人從下方撐起晶片Wf。

并且，拋光工作臺(tái)400能夠通過未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而繞旋轉(zhuǎn)軸AA旋轉(zhuǎn)。拋光頭500構(gòu)成為能夠上升下降。拋光墊502安裝于拋光頭500的與晶片Wf相對(duì)的面上。拋光墊502因拋光頭500的下降而被按壓于由拋光工作臺(tái)400的支撐面402保持的晶片Wf。拋光臂600能夠使拋光頭500繞旋轉(zhuǎn)軸BB旋轉(zhuǎn)，并且使拋光頭500像箭頭CC所示那樣在晶片Wf的徑向上擺動(dòng)。并且，拋光臂600能夠使拋光頭500擺動(dòng)到拋光墊502與修整部800相對(duì)的位置。

液供給系統(tǒng)700具有用于對(duì)晶片Wf的處理面供給純水(DIW)的純水噴嘴710。純水噴嘴710經(jīng)由純水配管712與純水供給源714連接。在純水配管712中設(shè)置有能夠?qū)兯涔?12進(jìn)行開閉的開閉閥716。通過使用未圖示的控制裝置來控制開閉閥716的開閉， 而能夠在任意的時(shí)機(jī)向晶片Wf的處理面或者用于支撐拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的支撐面402供給純水。

并且，液供給系統(tǒng)700具有用于對(duì)晶片Wf的處理面供給藥液(Chemi)的第一藥液噴嘴720。第一藥液噴嘴720在拋光清洗處理或者拋光研磨處理后的藥液清洗中，對(duì)晶片Wf表面供給藥液。第一藥液噴嘴720經(jīng)由藥液配管722與第一藥液供給源724連接。在藥液配管722中設(shè)置有能夠?qū)λ幰号涔?22進(jìn)行開閉的開閉閥726。通過使用未圖示的控制裝置來控制開閉閥726的開閉而能夠在任意的時(shí)機(jī)對(duì)晶片Wf的處理面或者用于支撐拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的支撐面402供給藥液。

圖1的實(shí)施方式的拋光處理模塊300A能夠經(jīng)由拋光臂600、拋光頭500以及拋光墊502對(duì)晶片Wf的處理面或者用于支撐拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的支撐面402選擇性地供給純水、藥液或者漿料。

即，分支純水配管712a從純水配管712中的純水供給源714與開閉閥716之間分支。并且，分支藥液配管722a從藥液配管722中的第一藥液供給源724與開閉閥726之間分支。分支純水配管712a、分支藥液配管722a以及與漿料供給源734連接的漿料配管732在液供給配管740處合流。在分支純水配管712a中設(shè)置有能夠?qū)Ψ种Ъ兯涔?12a進(jìn)行開閉的開閉閥718。在分支藥液配管722a中設(shè)置有能夠?qū)Ψ种幰号涔?22a進(jìn)行開閉的開閉閥728。在漿料配管732中設(shè)置有能夠?qū){料配管732進(jìn)行開閉的開閉閥736。

液供給配管740的第一端部與分支純水配管712a、分支藥液配管722a以及漿料配管732這3個(gè)系統(tǒng)的配管連接。液供給配管740通過拋光臂600的內(nèi)部、拋光頭500的中央以及拋光墊502的中央而延伸。液供給配管740的第二端部朝向晶片Wf的處理面或者用于支撐拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的支撐面402開口。未圖示的控制裝置通過對(duì)開閉閥718、開閉閥728以及開閉閥736的開閉進(jìn)行控制而能夠在任意的時(shí)機(jī)對(duì)晶片Wf的被處理面或者用于支撐拋光工作臺(tái)400的晶片Wf的支撐面402供給純水、藥液、漿料中的任意1個(gè)或者它們的任意組合的混合液。

圖示的實(shí)施方式的拋光處理模塊300A經(jīng)由液供給配管740對(duì)晶片Wf供給處理液并且使拋光工作臺(tái)400繞旋轉(zhuǎn)軸AA旋轉(zhuǎn)，將拋光墊502按壓于晶片Wf的處理面，一邊使拋光頭500繞旋轉(zhuǎn)軸BB旋轉(zhuǎn)一邊向箭頭CC方向擺動(dòng)，能夠?qū)琖f進(jìn)行拋光處理。

圖1所示的修整部800是用于對(duì)拋光墊502的表面進(jìn)行修整的部件。修整部800具有修整工作臺(tái)810和設(shè)置于修整工作臺(tái)810的修整器820。修整工作臺(tái)810能夠通過未圖示 的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而繞旋轉(zhuǎn)軸DD旋轉(zhuǎn)。修整器820由金剛石修整器、電刷修整器或者它們的組合形成。

拋光處理模塊300A在進(jìn)行拋光墊502的修整時(shí)，使拋光臂600回旋到拋光墊502與修整器820相對(duì)的位置(參照?qǐng)D2)。拋光處理模塊300A使修整工作臺(tái)810繞旋轉(zhuǎn)軸DD旋轉(zhuǎn)并且使拋光頭500旋轉(zhuǎn)，通過將拋光墊502按壓于修整器820而進(jìn)行拋光墊502的修整。

圖2是概略性地表示作為一實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的剖面的圖。圖2表示保持襯墊件450和晶片Wf的狀態(tài)。圖3(A)是表示圖2的拋光工作臺(tái)400的上表面的立體圖。拋光工作臺(tái)400具有用于將晶片Wf的被處理面朝上支撐的支撐面402。在拋光工作臺(tái)400的支撐面402上形成有用于使晶片Wf真空吸附于支撐面402的多個(gè)第一開口部404。并且，拋光工作臺(tái)400在拋光工作臺(tái)400的內(nèi)部具有延伸到第一開口部404的第一流體通路410。第一流體通路410與真空源746連接。此外，第一流體通路410與能夠使晶片Wf拆裝時(shí)使用的純水供給源714和氮源744連接。并且，第一流體通路410也可以具有在第一流體通路410內(nèi)向大氣開放的大氣開放閥(未圖示)。例如，在拆卸晶片Wf時(shí)，將第一流體通路410的真空釋放，能夠在規(guī)定時(shí)間內(nèi)向第一流體通路410供給純水，然后在規(guī)定時(shí)間內(nèi)供給氮。并且，拋光工作臺(tái)400能夠在清洗拋光工作臺(tái)400的支撐面402和/或第一流體通路410時(shí)與能夠任意選擇使用的第二藥液供給源724連接。在向拋光工作臺(tái)400的第一流體通路410供給純水、藥液、氮?dú)獾呐涔芤约皩?duì)第一流體通路410進(jìn)行真空吸引的配管中分別設(shè)置有開閉閥750、752、754、756。能夠通過使用未圖示的控制裝置對(duì)開閉閥750、752、754、756的開閉進(jìn)行控制而在任意的時(shí)機(jī)通過拋光工作臺(tái)400的第一流體通路410對(duì)支撐面402供給純水、藥液以及氮?dú)?，并且在任意的時(shí)機(jī)對(duì)第一流體通路410進(jìn)行真空吸引。

圖4是表示沿著線段E-E剖切圖3(A)所示的拋光工作臺(tái)400而得到的剖面的剖面圖。如圖3(A)所示，拋光工作臺(tái)400具有拋光工作臺(tái)400的表面向外側(cè)擴(kuò)展的方向延伸的擴(kuò)展緣部406。如圖3(A)和圖4所示，在位于擴(kuò)展緣部406的拋光工作臺(tái)400的支撐面402上形成第二開口部424(在圖2中省略)。并且，在擴(kuò)展緣部406中形成有延伸到第二開口部424的第二流體通路420。第二流體通路420由多個(gè)孔構(gòu)成，貫通擴(kuò)展緣部406而向拋光工作臺(tái)400外開放。如圖3(A)所示，第二開口部424形成為至少局部性地包圍配置有第一開口部404的區(qū)域的連續(xù)的多個(gè)槽。換言之，槽也可以形成在拋光工作臺(tái)400 的支撐面402的外周附近。第二流體通路420沿著拋光工作臺(tái)400的支撐面402的外周附近等間隔地配置。槽按照一定的間隔與第二流體通路420連接，進(jìn)入槽的流體(例如處理液)通過第二流體通路420而向拋光工作臺(tái)400外排出。在圖3(A)所示的實(shí)施例中，第二開口部424形成為除了4個(gè)切口部426的位置還包圍拋光工作臺(tái)400的支撐面402的外周部附近。作為其他的實(shí)施方式，第二開口部424也可以形成為完全包圍支撐面402的外周部附近的1個(gè)環(huán)狀的槽。圖3(B)是其他的實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的切口部426周邊的放大圖。另外，在圖3(A)、圖3(B)所示的實(shí)施方式的4個(gè)切口部426的位置上配置有升降銷480(參照?qǐng)D2)。此外，作為其他的實(shí)施方式，第二開口部424也可以是被配置為至少局部性地包圍配置有第一開口部404的區(qū)域的多個(gè)孔。形成為多個(gè)孔的第二開口部424直接與第二流體通路420連接。

圖6是表示作為其他的實(shí)施方式沿著線段E-E剖切圖3(A)或者圖3(B)所示的拋光工作臺(tái)400而得到的剖面的剖面圖。另外，在圖6中第一流體通路410、襯墊件450省略。如圖6所示，與形成有第二流體通路420的位置相比，擴(kuò)展緣部406的頂端進(jìn)一步朝下延伸，擴(kuò)展緣部406發(fā)揮“房檐”的作用，如箭頭所示，能夠有效地防止朝向晶片Wf的外周向外流動(dòng)的處理液進(jìn)入支撐面402與晶片Wf的背面之間的間隙。

在圖1所示的拋光處理模塊300A中，被實(shí)施拋光處理的晶片Wf配置于拋光工作臺(tái)400的支撐面402。通過真空源746對(duì)第一流體通路410真空吸引而使晶片Wf的背面真空吸附于第一開口部404從而保持晶片Wf。在上述的拋光處理中，對(duì)晶片Wf的被處理面供給漿料或其他的處理液等。在拋光處理中，第一流體通路410持續(xù)進(jìn)行真空吸引。因此，在晶片Wf的背面與支撐面402之間、或者在晶片Wf與襯墊件450之間的間隙中形成負(fù)壓。由此，在不設(shè)置第二開口部424和第二流體通路420的情況下，漿料或處理液從晶片Wf的外周通過間隙而被吸入支撐面402的內(nèi)側(cè)。在使用圖1～圖4所示的實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400而通過真空吸附保持晶片Wf的情況下，產(chǎn)生從第二流體通路420通過晶片Wf與支撐面402之間的間隙而向第一流體通路410流動(dòng)的空氣流，能夠?qū)⒌诙_口部424附近及其外側(cè)的支撐面402的負(fù)壓開放(大氣開放)。因此，能夠抑制漿料或處理液從晶片Wf的外周通過支撐面402與晶片Wf的背面之間的間隙而被吸入第一開口部404和第一流體通路410的情況。換言之，第二流體通路420具有作為使第二開口部424向大氣開放的大氣開放路徑的作用。位于第二開口部424的相反側(cè)的第二流體通路420的端部向拋光工作臺(tái)400外開放，位于第二開口部424的相反側(cè)的第二流體通路420的端部也可以稱為大 氣開放口。

當(dāng)拋光處理結(jié)束時(shí)，晶片Wf從拋光工作臺(tái)400被拆卸。此時(shí)，為了拆卸真空吸附的晶片Wf而停止真空源746對(duì)第一流體通路410的真空吸引，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)從純水供給源714向第一流體通路410供給純水，然后在規(guī)定時(shí)間內(nèi)從氮源744向第一流體通路410供給氮，而通過使第一流體通路的壓力比外氣壓力高而使晶片Wf從支撐面402拆卸。此時(shí)，如果在拋光處理時(shí)使用的漿料或者處理液被吸入第一流體通路410內(nèi)，則與拆卸晶片Wf時(shí)的純水和氮一同被吸入的漿料或處理液從第一流體通路410和第一開口部404噴出。其結(jié)果為，漿料或處理液通過支撐面402與晶片Wf的背面之間的間隙而從晶片Wf的外周噴出，進(jìn)一步繞過晶片Wf的被處理面?zhèn)榷廴揪琖f。在使用本實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的情況下，由于將漿料和處理液在拋光處理中被吸入第一流體通路410的情況得到抑制或者使其最小化，因此在拆卸晶片Wf時(shí)，減輕污染晶片Wf的風(fēng)險(xiǎn)。此外，即使少量的漿料或者處理液被吸入第一流體通路410，在為了使晶片Wf從拋光工作臺(tái)400拆卸而向第一流體通路410供給純水和氮時(shí)，由于純水、氮、漿料或者處理液的混合流體在到達(dá)晶片Wf的邊緣之前通過第二開口部424和第二流體通路420而向拋光工作臺(tái)400的外部排出，因此能夠防止混合流體繞過晶片Wf的被處理面?zhèn)?。換言之，第二流體通路420具有作為將進(jìn)入第二開口部424的流體排出的流體排出路徑的作用。位于第二開口部的相反側(cè)的第二流體通路420也可以與流體排出口連接。在本實(shí)施方式中，如圖4和圖6所示，第二流體通路420形成為貫通拋光工作臺(tái)400，但作為大氣開放路徑或者流體排出路徑的第二流體通路420的方式不限于此。

圖5是概略性地表示作為一實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的剖面的圖。圖5與圖2同樣表示保持有襯墊件450和晶片Wf的狀態(tài)。圖5所示的拋光工作臺(tái)400與圖1～圖4所示的實(shí)施方式同樣具有第一開口部404、第一流體通路410、第二開口部424以及第二流體通路420。但是，圖5的實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的第二流體通路420與圖1～圖4的實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400的第二流體通路420不同，在拋光工作臺(tái)400外側(cè)不開放。如圖5所示，在本實(shí)施方式中，第二流體通路420與第一流體通路410同樣與純水供給源714、藥液供給源724、氮源744以及真空源746連接。第二流體通路420也可以與未圖示的大氣開放閥連接。進(jìn)入第二流體通路420的不需要的液體被配置于真空源746的上游的氣液分離器(未圖示)排出。因此，能夠向第二流體通路420供給各種流體，或者對(duì)第二流體通路進(jìn)行真空吸引。另外，在圖5中為了方便圖示，圖示成第一流體通路410與第二流體 通路420利用相同的路徑與純水供給源714、藥液供給源724、氮源744以及真空源746連接，但第一流體通路410和第二流體通路420分別利用不同的路徑與純水供給源714、藥液供給減724、氮源744以及真空源746連接，在第一流體通路410和第二流體通路420中流動(dòng)的流體能夠單獨(dú)地被切換。通過該結(jié)構(gòu)，在拆卸晶片Wf時(shí)，能夠減輕漿料或處理液污染晶片Wf的風(fēng)險(xiǎn)。

例如，在為了拋光處理而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402的情況下，對(duì)第二流體通路420進(jìn)行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402。此時(shí)，第一流體通路410不進(jìn)行真空吸引。因此，在拋光處理中有時(shí)漿料或處理液被吸入第二流體通路420，但未被吸入第一流體通路410。在拋光處理結(jié)束，使晶片Wf從拋光工作臺(tái)400的支撐面402拆卸時(shí)，對(duì)第一流體通路410供給純水和/或氮?dú)舛咕琖f拆卸。此時(shí)，不向第二流體通路420供給純水和/或氮?dú)?。因此，由于在拋光處理中被吸入第二流體通路420的漿料或處理液在晶片Wf的拆卸時(shí)不會(huì)向晶片上噴出，因此減輕污染晶片Wf的風(fēng)險(xiǎn)。另外，為了對(duì)進(jìn)入第二流體通路420的漿料或處理液進(jìn)行沖洗，也可以在晶片Wf的更換時(shí)等，向第二流體通路420供給純水或藥液等各種流體而對(duì)第二流體通路420和拋光工作臺(tái)400的支撐面402進(jìn)行清洗。

并且，在為了拋光處理而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402的情況下，對(duì)第一流體通路410進(jìn)行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402。此時(shí)，第二流體通路420不進(jìn)行真空吸引。因此，雖然有時(shí)在拋光處理中漿料或處理液被吸入第一流體通路410，但不會(huì)被吸入第二流體通路420。在拋光處理結(jié)束，使晶片Wf從拋光工作臺(tái)400的支撐面402拆卸時(shí)，向第二流體通路420供給純水和/或氮?dú)舛咕琖f拆卸。此時(shí)，不向第一流體通路410供給純水和/或氮?dú)狻Ｒ虼?，由于在拋光處理中被吸入第一流體通路410的漿料或處理液在晶片Wf的拆卸時(shí)不會(huì)向晶片上噴出，因此減輕污染晶片Wf的風(fēng)險(xiǎn)。另外，為了對(duì)進(jìn)入第一流體通路410的漿料或處理液進(jìn)行沖洗，也可以在晶片Wf的更換時(shí)等，向第一流體通路410供給純水或藥液等各種流體而對(duì)第一流體通路410和拋光工作臺(tái)400的支撐面402進(jìn)行清洗。

并且，作為一實(shí)施方式，在為了進(jìn)行拋光處理而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402的情況下，能夠?qū)Φ谝涣黧w通路410和第二流體通路420這雙方進(jìn)行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于拋光工作臺(tái)400的支撐面402。因此，雖然有時(shí)在拋光處理中漿料或處理液被吸入配置于外側(cè)的第二流體通路420，但幾乎不會(huì)被吸入配置于內(nèi)側(cè)的第 一流體通路410。在拋光處理結(jié)束，使晶片Wf從拋光工作臺(tái)400的支撐面402拆卸時(shí)，能夠向第一流體通路410供給純水和/或氮?dú)舛咕琖f拆卸。此時(shí)，不會(huì)向第二流體通路420供給純水和/或氮?dú)?。由于在拋光處理中被吸入第二流體通路420的漿料或處理液在晶片Wf的拆卸時(shí)不會(huì)向晶片上噴出，因此減輕污染晶片Wf的風(fēng)險(xiǎn)。另外，為了對(duì)進(jìn)入第二流體通路420的漿料或處理液進(jìn)行沖洗，也可以在晶片Wf的更換時(shí)等，向第二流體通路420供給純水或藥液等各種流體而對(duì)第二流體通路420和拋光工作臺(tái)400的支撐面402進(jìn)行清洗。

在圖5所示的實(shí)施方式中，第一開口部404、第一流體通路410、第二開口部424以及第二流體通路420的配置可以采用任意的配置。例如，在圖5所示的實(shí)施方式的拋光工作臺(tái)400中，可以使第二開口部424和第二流體通路420形成于擴(kuò)展緣部406，也可以形成于除此之外的位置。

如上所述，關(guān)于用于保持本申請(qǐng)發(fā)明的處理對(duì)象物的工作臺(tái)和具有該工作臺(tái)的處理裝置，舉例說明拋光處理裝置，但本發(fā)明不限于上述的拋光處理裝置。本說明書中公開的工作臺(tái)和具有該工作臺(tái)的處理裝置也可以應(yīng)用于通過真空吸附而保持處理對(duì)象物的其他的裝置。本說明書中公開的工作臺(tái)特別是在向基板供給液體而處理基板的濕式基板處理裝置中也可以應(yīng)用。