技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的各個實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。提供了一種包括具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和低關(guān)斷損耗的特征的IGBT元件的半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件由溝槽柵極型IGBT元件組成。IGBT元件包括：被給予柵極電位的多個柵極溝槽電極、以及被給予發(fā)射極電位的多個發(fā)射極溝槽電極。在相鄰的溝槽電極之間，形成至發(fā)射極電極層的接觸。就這一點(diǎn)而言，在半導(dǎo)體襯底中，形成P型浮置區(qū)域，該P(yáng)型浮置區(qū)域經(jīng)由層間絕緣層，與發(fā)射極溝槽電極中的至少一些的底部接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：松浦仁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會社
文檔號碼：201610382527
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.01
技術(shù)公布日：2016.12.21