1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟：
在基板上方順序地堆疊由彼此不同的材料形成的源極犧牲層、上保護(hù)層和刻蝕阻擋層；
在所述刻蝕阻擋層上方交替地堆疊層間介電層和柵極犧牲層；
形成穿透所述層間介電層和所述柵極犧牲層的第一狹縫，其中，所述第一狹縫的底面被設(shè)置在所述刻蝕阻擋層中；
通過所述第一狹縫用柵極導(dǎo)電圖案來替代所述柵極犧牲層；
形成從所述第一狹縫通過所述刻蝕阻擋層和所述上保護(hù)層延伸到所述源極犧牲層的第二狹縫；以及
通過所述第二狹縫用第一源極層來替代所述源極犧牲層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述層間介電層包括第一層間介電層，
其中，所述第一層間介電層在所述層間介電層當(dāng)最靠近所述刻蝕阻擋層設(shè)置，
其中，所述柵極犧牲層包括第一柵極犧牲層，
其中，所述第一柵極犧牲層在所述柵極犧牲層當(dāng)中最靠近所述刻蝕阻擋層設(shè)置，
其中，所述刻蝕阻擋層被形成為比所述第一層間介電層更厚，并且
其中，所述刻蝕阻擋層被形成為比所述第一柵極犧牲層更厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述源極犧牲層包括多晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述上保護(hù)層包括氮化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述刻蝕阻擋層包括氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述刻蝕阻擋層在形成所述第一狹縫時(shí)保留在所述第一狹縫與所述上保護(hù)層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：
在形成所述第二狹縫之前，在所述第一狹縫的側(cè)壁上形成間隔件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，
其中，所述間隔件包括氧化物層和氮化物層的雙層結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：
在形成所述源極犧牲層、所述上保護(hù)層和所述刻蝕阻擋層之前，
形成包括下源極層和設(shè)置在所述下源極層上的下保護(hù)層的堆疊結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，該方法還包括以下步驟：
在形成所述第一狹縫之前，形成穿透所述層間介電層、所述柵極犧牲層、所述刻蝕阻擋層、所述上保護(hù)層和所述源極犧牲層的溝道層，以暴露出所述下保護(hù)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，
其中，所述溝道層被多層的層圍繞，
其中，所述多層的層包括隧道絕緣層、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層、阻擋絕緣層或它們的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，用所述第一源極層替代所述源極犧牲層的步驟包括：
通過所述第二狹縫來去除所述源極犧牲層以暴露出所述多層的層的一部分；
去除所述多層的層的所述一部分以形成源極區(qū)域，其中，所述源極區(qū)域?qū)⑺龆鄬拥膶觿澐譃榈谝欢鄬訄D案和第二多層圖案并且暴露出所述溝道層的一部分，其中，所述源極區(qū)域還暴露出所述下保護(hù)層；
去除所述下保護(hù)層以暴露出所述下源極層；以及
從通過所述源極區(qū)域暴露出的所述溝道層的所述一部分和所述下源極層生長所述第一源極層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，
其中，在去除所述源極犧牲層期間，由所述下保護(hù)層和所述上保護(hù)層分別保護(hù)所述下源極層和所述刻蝕阻擋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，
其中，在去除所述多層的層的所述一部分時(shí)，去除所述上保護(hù)層和所述下保護(hù)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，
其中，所述上保護(hù)層和所述下保護(hù)層是彼此不同的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，
其中，所述上保護(hù)層包括氮化物，并且
其中，所述下保護(hù)層包括氧化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：
在用所述第一源極層替代所述源極犧牲層之后，在所述第一狹縫和所述第二狹縫中填充第二源極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，
其中，所述第二源極層包括導(dǎo)電材料并且具有比所述第一源極層更低的電阻。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其中，所述刻蝕阻擋層包括絕緣材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：
在形成所述源極犧牲層、所述上保護(hù)層和所述刻蝕阻擋層之前，
在所述基板上方形成驅(qū)動(dòng)晶體管；
在所述驅(qū)動(dòng)晶體管上方形成下絕緣層；
在所述下絕緣層中形成接觸插塞，其中，所述接觸插塞被連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管；以及
在所述下絕緣層中形成路由線，其中，所述路由線被連接到所述接觸插塞。