技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括以下步驟：在基板上方順序地堆疊由彼此不同的材料形成的源極犧牲層、上保護(hù)層和刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上方交替地堆疊層間介電層和柵極犧牲層；形成穿透所述層間介電層和所述柵極犧牲層的第一狹縫，其中，所述第一狹縫的底面被設(shè)置在所述刻蝕阻擋層中；通過所述第一狹縫用柵極導(dǎo)電圖案來替代所述柵極犧牲層；形成從所述第一狹縫通過所述刻蝕阻擋層和所述上保護(hù)層延伸到所述源極犧牲層的第二狹縫；以及通過所述第二狹縫用第一源極層來替代所述源極犧牲層。

技術(shù)研發(fā)人員：安正烈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201610390729
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.03
技術(shù)公布日：2017.06.16