本發(fā)明涉及波導基板的制造方法。

背景技術(shù)：

作為實現(xiàn)廉價且小型的毫米波通信模塊的方式，公知有利用了柱壁波導(Post-wall Waveguide，以下有時稱為“PWW”。)的毫米波通信模塊(例如，參照專利文獻1)。

該PWW是如下波導：在表面以及背面形成有接地導體的印刷電路板，排列有在接地導體層間立起設置的多個柱壁亦即導體柱，該導體柱相當于現(xiàn)有的導波管的金屬側(cè)壁。在上述毫米波通信模塊中，被安裝于PWW的基板上的無線通信IC通過引線接合、凸點連接等方法與傳輸路(微帶線、共面線、帶狀線等)連接，與該傳輸路連接并作為供電部的導體銷被插入PWW。因此，從無線通信IC輸出的毫米波信號在傳輸路上傳遞，并經(jīng)由銷最終被引導向PWW。

被插入PWW的導體銷由被設置于在基板形成的非貫通孔的內(nèi)壁整體的金屬膜、被填充于非貫通孔的金屬構(gòu)成。而且，在形成金屬膜的情況下，公知方法是與PWW的接地電極同時形成金屬膜。例如，在基板形成非貫通孔，從非貫通孔的開口側(cè)通過濺射法在基板的表面與非貫通孔的內(nèi)壁形成金屬膜，并進行電鍍處理，由此同時形成接地電極以及導體銷的金屬膜。

專利文獻1：日本公開專利公報“日本特開2011-109438號公報(2011年6月2日公開)”

然而，在形成導體銷的非貫通孔具有細徑并且高長寬比，例如孔徑為100μm以下，深度為460μm左右的情況下，電鍍液難以到達至非貫通孔的底面，因此在底面附近無法確保充分膜厚的金屬膜而無法進行阻抗匹配。

另外，若不進行電鍍而僅通過濺射法在非貫通孔的底面附近確保金屬膜的膜厚，則被形成于基板表面的接地導體用金屬膜的膜厚以必要以上的方式變厚，從而因金屬膜與基板的膨脹率的不同而存在金屬膜容易從基板剝離的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明要解決的課題在于提供一種在被形成于基板的非貫通孔的內(nèi)壁以及基板表面同時形成金屬膜的波導基板的制造方法，并且是既能夠確保非貫通孔的底面附近的金屬膜的膜厚，又能夠防止被形成于基板表面的金屬膜的剝離的波導基板的制造方法。

本發(fā)明的波導基板的制造方法是具備基板、被形成于上述基板的一方的主表面的第1接地導體層以及被形成于上述基板的另一方的主表面的第2接地導體層、被形成于上述第1接地導體層與上述第2接地導體層之間的貫通孔的內(nèi)壁的多個導體柱、被形成于上述基板的一方的主表面?zhèn)鹊男盘杺鞑ビ闷矫骐娐?、以及被形成于通過在上述基板的一方的主表面開口而設置的非貫通孔的內(nèi)壁并且與上述平面電路連接的導體銷的波導基板的制造方法，其特征在于，具有：通過濺射法在形成有上述非貫通孔的上述基板的上述一方的主表面以及上述非貫通孔的內(nèi)壁形成第1金屬膜的第1金屬膜形成工序、在上述基板的上述一方的主表面?zhèn)纫苑忾]上述非貫通孔的開口的方式形成抗蝕層的抗蝕層形成工序、除去被形成于上述一方的主表面的上述第1金屬膜的金屬膜除去工序、除去上述抗蝕層的抗蝕層除去工序、以及以在上述非貫通孔的內(nèi)壁形成有第1金屬膜的狀態(tài)通過濺射法在上述基板的上述一方的主表面形成第2金屬膜的第2金屬膜形成工序。

根據(jù)本發(fā)明，在被形成于基板的非貫通孔的內(nèi)壁以及基板表面同時形成金屬膜的波導基板的制造方法中，能夠提供一種既能夠確保非貫通孔的底面附近的金屬膜的膜厚，又能夠防止被形成于基板表面的金屬膜的剝離的波導基板的制造方法。

附圖說明

圖1是表示通過本發(fā)明的實施方式的波導基板的制造方法制造出的 波導基板的立體圖。

圖2是表示通過本發(fā)明的實施方式的波導基板的制造方法制造出的波導基板的端視圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施方式的波導基板的制造方法的工序的端視圖。

圖4是表示本發(fā)明的實施方式的波導基板的制造方法的工序的端視圖。

圖5是表示本發(fā)明的實施方式的波導基板的制造方法的工序的端視圖。

圖6是表示波導基板的比較例的端視圖。

附圖標記說明：

101…玻璃基板；101a…上表面；101b…下表面；102…開口部；103…非貫通孔；103a…底面；103b…側(cè)壁；103c…開口部；104…貫通孔；104b…側(cè)壁；104c…上表面開口部；104d…下表面開口部；105、106、107…抗蝕層；110…波導；111…第1接地導體層；111a…開口；112…第2接地導體層；113a…第1金屬膜；113b…第2金屬膜；113c…第3金屬膜；114…導體柱；115…兩側(cè)面；116…一端面；117…另一端面；122…傳輸路；123…導體銷；123a…底部；123b…基端；123c…凸起部；124…絕緣部。

具體實施方式

[波導基板的結(jié)構(gòu)]

圖1是表示波導基板100的立體圖，圖2是表示波導基板100的端視圖。應予說明，雖導體柱114與傳輸路122如圖1所示未存在于相同面上，但在圖2中為了便于表示而將二者顯示于相同的端視圖中。

如圖1以及圖2所示，本實施方式的波導基板100具備：玻璃基板101、信號傳播用的傳輸路(平面電路)122、導體銷123、與地電位連接的第1接地導體層111以及第2接地導體層112、以及波導110。

玻璃基板101是由單一材料構(gòu)成的玻璃基板。也可以代替玻璃基板，使用石英基板、半導體基板。

波導110是由被設置于玻璃基板101的表面以及背面的第1接地導體層111以及第2接地導體層112、和立起設置于上述第1接地導體層111以及第2接地導體層112之間的多個柱壁亦即導體柱114圍起的區(qū)域，并作為供從導體銷123放射的電磁波信號進行傳播的路徑發(fā)揮功能。導體柱114沿玻璃基板101的兩側(cè)面115以及一端面116進行排列，且未被配置于另一端面117側(cè)。因此，由于在另一端面117側(cè)未形成有導體、柱壁，所以成為放射電磁波信號的開口部102。

第1接地導體層111以及第2接地導體層112是被設置于玻璃基板101表面以及背面且由銅構(gòu)成的金屬膜，并至少被設置于除導體銷123的周邊區(qū)域之外的玻璃基板101的表面以及背面中的整個面。

導體柱114是由與第1接地導體層111以及第2接地導體層112相同的材料構(gòu)成的金屬膜，并貫通玻璃基板101的表面以及背面地被形成有多根。具體而言，導體柱114是被形成于貫通玻璃基板101的表面以及背面的貫通孔的內(nèi)壁的金屬膜，導體柱114各自的端部與第1接地導體層111以及第2接地導體層112連接。在玻璃基板101的俯視下，多個導體柱114沿除與開口部102對應的另一端面117之外的兩端面115以及一端面116以大致矩形的コ字形進行排列。該多個導體柱114的排列的位置、尺寸被設定為不使從導體銷123放射的信號從導體柱114間等向外部泄漏。

另外，導體銷123以被插入波導110的方式配置。具體而言，導體銷123是被形成于在玻璃基板101的導體柱114的形成區(qū)域內(nèi)設置的非貫通孔的內(nèi)壁的金屬膜，并呈有底的圓筒形狀。而且，導體銷123被形成為在玻璃基板101內(nèi)沿相對于玻璃基板101的表面以及背面垂直的方向延伸。另外，導體銷123的底部123a以不與第2接地導體層112接觸的方式被設定了長度尺寸。在導體銷123的基端123b側(cè)形成有與被形成于玻璃基板101面上的第1接地導體層111相同材料構(gòu)成的環(huán)狀的凸起部(land)123c。該凸起部123c與傳輸路122連接。另外，在該凸起部123c的周圍形成有開口111a，該開口111a未形成有第1接地導體層111。此外，在本實施方式中，導體銷123以及導體柱114由第1金 屬膜113a以及第2金屬膜113b的雙層的金屬膜構(gòu)成，但也可以由三層以上的金屬膜構(gòu)成。另外，導體銷123以及導體柱114在圖2中形成為中空，但也可以是直至中心部均填充有金屬的金屬柱。

經(jīng)由凸起部123c與導體銷123連接的傳輸路122被形成于在第1接地導體層111上設置的絕緣部124上，并以與第1接地導體層111絕緣的狀態(tài)形成電路。傳輸路122是由與第1接地導體層111以及第2接地導體層112相同的材料構(gòu)成的導電圖案，并與被連接于導體銷123的一端側(cè)相反的另一端側(cè)與絕緣部124上的未圖示的GSG板連接，成為微帶線。

[波導基板的制造方法]

以下對波導基板100的制造方法進行說明。圖3～圖5是表示波導基板100的制造方法的工序的端視圖。

首先，準備玻璃基板(基板)101(圖3的(a))。然后，從玻璃基板101的上表面(一方的主表面)101a側(cè)朝向下表面(另一方的主表面)101b形成導體銷用的非貫通孔103以及導體柱用的貫通孔104(圖3的(b))。在此，非貫通孔103的開口部103c、貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d呈大致圓形狀。其中，非貫通孔103的開口部103c、貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d的形狀并不被特別限定，可以為橢圓形狀，也可以為其他形狀。

接下來，從上表面101a以及下表面101b的兩面?zhèn)韧ㄟ^濺射法在玻璃基板101的上表面101a、構(gòu)成非貫通孔103的內(nèi)壁的底面103a以及側(cè)壁103b、構(gòu)成貫通孔104的內(nèi)壁的側(cè)壁104b形成由銅構(gòu)成的第1金屬膜113a(圖3的(c)：本發(fā)明中的第1金屬膜形成工序)。在此，在第1金屬膜形成工序中的第1金屬膜113a的成膜中，只要能夠?qū)⒈恍纬捎诜秦炌?03的底面103a的第1金屬膜113a的膜厚形成為規(guī)定的厚度，便不特別限定濺射法的條件，可以分多次通過濺射法來成膜，也可以在一次濺射法的成膜中調(diào)整成膜時間。此外，該第1金屬膜113a的膜厚的規(guī)定的厚度例如為20～50μm左右。

此外，由于由銅構(gòu)成的第1金屬膜113a難以粘合于玻璃基板101， 所以也可以在第1金屬膜形成工序之前通過濺射法等將作為粘合劑發(fā)揮功能的作為基底金屬的鈦薄膜成膜于玻璃基板101的表面。此外，由于鈦比銅導電性差，所以需要盡可能減薄膜厚。例如為10～20μm左右。作為粘合劑發(fā)揮功能的薄膜的材料能夠適當?shù)剡x自基板的材料、第1金屬膜113a的材料的組合，另外，只要基板與第1金屬膜113a的粘合性優(yōu)秀，便無需將鈦薄膜之類的作為粘合劑發(fā)揮功能的薄膜形成于基底。

接下來，利用抗蝕層105在非貫通孔103的開口部103c、貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d形成抗蝕層(圖3的(d)：第1抗蝕層形成工序(本發(fā)明中的抗蝕層形成工序))。在此，在形成有第1金屬膜113a的上表面101a以及下表面101b上放置片狀的抗蝕層，在使相當于非貫通孔103以及貫通孔104的區(qū)域露出的基礎上進行曝光處理，使該露出的抗蝕層部分固化，并剝離剩余的抗蝕層。由此，利用抗蝕層105覆蓋非貫通孔103的開口部103c、貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d。在此，抗蝕層105形成為比非貫通孔103的開口部103c、貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d的直徑大30～100μm左右。

接下來，進行蝕刻處理，并除去除由抗蝕層105覆蓋的區(qū)域以外的第1金屬膜113a(圖3的(e)：第1蝕刻工序(本發(fā)明中的金屬膜除去工序))。換句話說，不除去覆蓋非貫通孔103以及貫通孔104的內(nèi)壁的第1金屬膜113a，而除去覆蓋玻璃基板101的上表面101a以及下表面101b的第1金屬膜113a。

接下來，利用剝離劑除去覆蓋非貫通孔103的開口部103c以及貫通孔104的上表面開口部104c以及下表面開口部104d的抗蝕層105(圖4的(f)：第1抗蝕層除去工序(本發(fā)明中的抗蝕層除去工序))。此時，存在于抗蝕層105的正下方的第1金屬膜113a的一部分(從非貫通孔103以及貫通孔104伸出的部分)與抗蝕層105一同被除去。之后，對玻璃基板101的上表面101a以及下表面101b進行水洗而除去剝離劑，并除去附著于上表面101a以及下表面101b的水分。

接下來，從上表面101a以及下表面101b的兩面?zhèn)韧ㄟ^濺射法在玻璃基板101的上表面101a、被形成于非貫通孔103的內(nèi)壁的第1金屬膜113a、以及被形成于貫通孔104的內(nèi)壁的第1金屬膜113a上形成由銅 構(gòu)成的第2金屬膜113b(圖4的(g)：本發(fā)明中的第2金屬膜形成工序)。在此，在第2金屬膜形成工序中的第2金屬膜113b的成膜中，以與已經(jīng)成膜的非貫通孔103的底面103a的第1金屬膜113a的膜厚合計時的厚度作為導體銷適當?shù)匕l(fā)揮功能，即能夠確保導電性的程度的厚度的方式調(diào)整濺射法的條件。例如，作為導體銷適當?shù)匕l(fā)揮功能的厚度為50～100μm。此外，濺射法的條件并不被特別限定，可以分多次通過濺射法來成膜，也可以在一次濺射法的成膜中調(diào)整成膜時間。

此外，與第1金屬膜113a的成膜同樣，也可以在第2金屬膜113b的成膜之前，作為粘合劑通過濺射法等形成鈦薄膜。在該情況下，鈦薄膜可以在上述第1蝕刻工序之后立即成膜，也可以在上述第1抗蝕層除去工序之后立即成膜。此外，在第2金屬膜形成工序中，也與第1金屬膜形成工序同樣，只要玻璃基板101與第2金屬膜113b的粘合性優(yōu)秀，便無需預先形成鈦薄膜之類的作為粘合劑發(fā)揮功能的薄膜。

如以上那樣，被形成于玻璃基板101的上表面101a上的第2金屬膜113b構(gòu)成第1接地導體層111，被形成于下表面101b的第2金屬膜113b構(gòu)成第2接地導體層112。另外，利用被形成于非貫通孔103的內(nèi)壁的第1金屬膜113a以及第2金屬膜113b構(gòu)成導體銷123。此外，利用被形成于貫通孔104的內(nèi)壁的第1金屬膜113a以及第2金屬膜113b構(gòu)成導體柱114。

接下來，以使相當于第1接地導體層111的開口的區(qū)域露出的方式利用抗蝕層106形成抗蝕層(圖4的(h)：第2抗蝕層形成工序)。第2抗蝕層形成工序的方法與第1抗蝕層形成工序的方法相同。

接下來，進行蝕刻處理，除去被形成于相當于第1接地導體層111的開口的區(qū)域的第2金屬膜113b(圖4的(i)：第2蝕刻工序)。由此，形成隔著第1接地導體層111的開口111a不與第1接地導體層111電連接的凸起部123c。

接下來，除去抗蝕層106，之后，除去剝離劑以及水分的工序與第1抗蝕層除去工序相同(圖4的(j)：第2抗蝕層除去工序)。

接下來，在第1接地導體層111上、開口111a上以及凸起部123c 上形成絕緣部124(圖5的(k))。首先，例如通過旋涂法將液狀的感光性樹脂涂覆于第1接地導體層111側(cè)的整個面之后通過光刻法除去導體銷123的開口附近的感光性樹脂。然后，通過熱處理來固化殘存的感光性樹脂，由此形成絕緣部124。此外，在導體銷123的開口附近殘留有未除盡的感光性樹脂的情況下，優(yōu)選在上述除去過程中進行CF₄氣體、O₂氣體的RIE(反應離子刻蝕：Reactive Ion Etching)工序。

接下來，形成傳輸路122。首先，使用濺射法，在絕緣部124上形成第3金屬膜113c(圖5的(l)：第3金屬膜形成工序)。第3金屬膜113c只要與導體銷123的基端123b側(cè)的一部分電連接即可，無需一定進入至導體銷123的前端(底面)123a側(cè)。

接下來，在相當于傳輸路122的區(qū)域形成抗蝕層107(圖5的(m)：第3抗蝕層形成工序)。第3抗蝕層形成工序的方法與第1抗蝕層形成工序以及第2抗蝕層形成工序的方法相同。

接下來，進行蝕刻處理，除去除由抗蝕層107覆蓋的區(qū)域以外的第3金屬膜113c(圖5的(n)：第3蝕刻工序)。由此，形成傳輸路122。

接下來，除去抗蝕層107，之后，除去剝離劑以及水分的工序與第1抗蝕層除去工序以及第2抗蝕層除去工序相同(圖5的(o)：第3抗蝕層除去工序)。

如以上那樣，通過圖3～圖5所示的制造方法來制造波導基板100。

[效果]

接下來，對本實施方式的波導基板100的制造方法的作用效果進行說明。一般，如圖3的(c)所示，在通過濺射法在形成有非貫通孔103的玻璃基板101的上表面101a以及下表面101b同時形成有第1金屬膜113a的情況下，如圖6所示，上表面101a上的第1金屬膜113a的厚度Dt'、與非貫通孔103的底面103a上的第1金屬膜113a的厚度Db'的關(guān)系形成為Dt'＞Db'。換句話說，被形成于非貫通孔103的內(nèi)壁特別是底面103a上的第1金屬膜113a比被形成于玻璃基板101的上表面101a上的第1金屬膜113a薄。因此，為了使非貫通孔103作為導體銷123發(fā)揮功能，需要以某種程度加厚被形成于底面103a上的第1金屬膜113a 的厚度。

為此，在本實施方式的波導基板100的制造方法中，首先，依靠通過濺射法在形成有非貫通孔103的玻璃基板101的上表面101a、下表面101b以及非貫通孔103的內(nèi)壁形成第1金屬膜的第1金屬膜形成工序，使被形成于非貫通孔103的內(nèi)壁特別是底面103a附近的第1金屬膜113a，比被形成于玻璃基板101的上表面101a以及下表面101b的第1金屬膜113a薄。然后，在玻璃基板101的上表面101a側(cè)以封閉非貫通孔103的開口的方式形成抗蝕層105(抗蝕層形成工序)，除去被形成于玻璃基板101的上表面101a、下表面101b的第1金屬膜113a(金屬膜除去工序)，并除去抗蝕層(抗蝕層除去工序)。因此，在抗蝕層除去工序后的玻璃基板101中，雖在上表面101a以及下表面101b未形成有第1金屬膜113a，但在非貫通孔103的內(nèi)壁未除去第1金屬膜113a而將其殘留。然后，以在非貫通孔103的內(nèi)壁形成有第1金屬膜113a的狀態(tài)通過濺射法對于玻璃基板101的上表面101a、下表面101b形成第2金屬膜(第2金屬膜形成工序)。因此，針對在一個工序(第1金屬膜形成工序)中通過濺射法相對較薄地形成的非貫通孔103的內(nèi)壁，在兩個工序(第1金屬膜形成工序以及第2金屬膜形成工序)中通過濺射法形成第1金屬膜113a+第2金屬膜113b的雙層的金屬膜，即形成導體銷123，并針對在一個工序中通過濺射法相對較厚地形成的一方的主表面上，在一個工序(第2金屬膜形成工序)中通過濺射法形成第2金屬膜113b的一層的金屬膜，即形成第1接地導體層以及第2接地導體層。其結(jié)果是，既能夠確保非貫通孔103的底面103a附近的金屬膜的膜厚，又能夠在基板表面形成能夠防止剝離的膜厚的金屬膜。

另外，在圖3的(c)所示的第1金屬膜形成工序中，雖直至將被形成于非貫通孔103的底面103a上的第1金屬膜113a的膜厚形成為規(guī)定的厚度為止都通過濺射法反復成膜，但只要將在該第1金屬膜形成工序中被形成于非貫通孔103的底面103a上的第1金屬膜113a的膜厚，形成為僅依靠該第1金屬膜113a的膜厚便能夠確保作為導體銷123的導電性的程度的厚度即可，在圖4的(g)所示的第2金屬膜形成工序中，可以不考慮被形成于非貫通孔103的底面103a上的第2金屬膜113b的膜厚，而將被形成于玻璃基板101的上表面101a上的第2金屬膜113b的膜厚盡可能形成得較薄。

這樣，由于能夠可靠地減薄被形成于玻璃基板101的上表面101a上的第2金屬膜113b的膜厚，所以能夠使該第2金屬膜113b不易從玻璃基板101的上表面101a剝離。

此外，在本實施方式中，雖對作為基板使用玻璃基板的情況進行了說明，但作為能夠成為波導基板100的基板也可以使用硅基板。在通過濺射法在該硅基板上形成金屬膜的情況下，作為金屬膜的金屬材料優(yōu)選Cu，另外，作為粘合劑發(fā)揮功能的金屬材料優(yōu)選TiW。這樣，根據(jù)基板的材料適當?shù)剡x擇第1金屬膜113a、第2金屬膜113b以及粘合劑的材料即可。

如以上那樣，本發(fā)明的波導基板的制造方法的特征在于，具有：通過濺射法在形成有非貫通孔的基板的一方的主表面以及非貫通孔的內(nèi)壁形成第1金屬膜的第1金屬膜形成工序、在基板的一方的主表面?zhèn)纫苑忾]非貫通孔的開口的方式形成抗蝕層的抗蝕層形成工序、除去被形成于一方的主表面的第1金屬膜的金屬膜除去工序、除去抗蝕層的抗蝕層除去工序、以及以在非貫通孔的內(nèi)壁形成有第1金屬膜的狀態(tài)下通過濺射法在基板的一方的主表面形成第2金屬膜的第2金屬膜形成工序。

本發(fā)明提供一種既能夠確保非貫通孔的底面附近的金屬膜的膜厚，又能夠防止被形成于基板表面的金屬膜的剝離的波導基板的制造方法。

〔總結(jié)〕

本發(fā)明的波導基板的制造方法是具備基板、被形成于上述基板的一方的主表面的第1接地導體層以及被形成于上述基板的另一方的主表面的第2接地導體層、被形成于上述第1接地導體層與上述第2接地導體層之間的貫通孔的內(nèi)壁的多個導體柱、被形成于上述基板的一方的主表面?zhèn)鹊男盘杺鞑ビ闷矫骐娐?、以及被形成于通過在上述基板的一方的主表面開口而設置的非貫通孔的內(nèi)壁并且與上述平面電路連接的導體銷的波導基板的制造方法，其特征在于，具有：通過濺射法在形成有上述非貫通孔的上述基板的上述一方的主表面以及上述非貫通孔的內(nèi)壁形成第1金屬膜的第1金屬膜形成工序、在上述基板的上述一方的主表面?zhèn)纫苑忾]上述非貫通孔的開口的方式形成抗蝕層的抗蝕層形成工序、除去被形成于上述一方的主表面的上述第1金屬膜的金屬膜除去工序、除 去上述抗蝕層的抗蝕層除去工序、以及以在上述非貫通孔的內(nèi)壁形成有第1金屬膜的狀態(tài)通過濺射法在上述基板的上述一方的主表面形成第2金屬膜的第2金屬膜形成工序。

根據(jù)本發(fā)明的波導基板的制造方法，在具備基板、被形成于上述基板的一方的主表面的第1接地導體層以及被形成于上述基板的另一方的主表面的第2接地導體層、被形成于上述第1接地導體層與上述第2接地導體層之間的貫通孔的內(nèi)壁的多個導體柱、被形成于上述基板的一方的主表面?zhèn)鹊男盘杺鞑ビ闷矫骐娐?、以及被形成于通過在上述基板的一方的主表面開口而設置的非貫通孔的內(nèi)壁并且與上述平面電路連接的導體銷的波導基板的制造方法中，具有通過濺射法在形成有上述非貫通孔的上述基板的上述一方的主表面以及上述非貫通孔的內(nèi)壁形成第1金屬膜的第1金屬膜形成工序。由此，被形成于非貫通孔的內(nèi)壁特別是底面附近的第1金屬膜比被形成于基板的一方的主表面上的第1金屬膜薄。而且，還具有在上述基板的上述一方的主表面?zhèn)纫苑忾]上述非貫通孔的開口的方式形成抗蝕層的抗蝕層形成工序、除去被形成于上述一方的主表面的上述第1金屬膜的金屬膜除去工序、以及除去上述抗蝕層的抗蝕層除去工序。因此，在抗蝕層除去工序后的基板中，雖在一方的主表面未形成有第1金屬膜，但在上述非貫通孔的內(nèi)壁未除去第1金屬膜而將其殘留。此外，還具有以在上述非貫通孔的內(nèi)壁形成有第1金屬膜的狀態(tài)下通過濺射法在上述基板的上述一方的主表面形成第2金屬膜的第2金屬膜形成工序。因此，針對在一個工序中通過濺射法相對較薄地形成的非貫通孔的內(nèi)壁，在兩個工序中通過濺射法形成金屬膜，即形成導體銷，并針對在一個工序中通過濺射法相對較厚地形成的一方的主表面上，在一個工序中通過濺射法形成金屬膜，即形成第1接地導體層。其結(jié)果是，既能夠確保非貫通孔的底面附近的金屬膜的膜厚，又能夠在基板表面形成能夠防止剝離的膜厚的金屬膜。

本發(fā)明的波導基板的制造方法也可以在上述第1金屬膜形成工序中，通過濺射法在上述基板的上述另一方的主表面以及上述貫通孔的內(nèi)壁也形成上述第1金屬膜，在上述抗蝕層形成工序中，在上述基板的兩面?zhèn)纫惨苑忾]上述貫通孔的開口的方式形成上述抗蝕層，在上述金屬膜除去工序中，也除去被形成于上述另一方的主表面的上述第1金屬膜，在上述第2金屬膜形成工序中，通過濺射法在上述基板的上述另一方的 主表面以及上述貫通孔的內(nèi)壁也形成上述第2金屬膜。

本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在技術(shù)方案所示的范圍內(nèi)能夠進行各種變更，并且適當?shù)亟M合不同的實施方式中分別公開的技術(shù)手段而得的實施方式也被包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。