本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法。

背景技術(shù)：

在大部分干法刻蝕設(shè)備中，晶圓要求在腔體中處于中心位置，以得到最好的面內(nèi)刻蝕均一性，并且防止與聚焦環(huán)相距離過近或者過遠，產(chǎn)生異常放電或者生成物堆積形成缺陷。

為了確定晶圓位置是否偏移，現(xiàn)有方法是在開腔情況下用目測或者使用輔助定位工具的方法進行校準，在關(guān)閉腔體之后無法進行持續(xù)監(jiān)測。

但是，現(xiàn)有技術(shù)的這種在對設(shè)備進行開腔的情況下進行目測檢查或輔助定位工具檢查的方案存在一些不便之處，因為開腔會影響工藝流程，為工藝流程帶來極大的不方便。

因此，希望提高一種能夠在不對設(shè)備進行開腔的情況下實現(xiàn)晶圓位置偏移監(jiān)控的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其能夠在不對設(shè)備進行開腔的情況下實現(xiàn)晶圓位置偏移監(jiān)控。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于包括：

第一步驟：將晶圓布置在干法刻蝕設(shè)備中；

第二步驟：對干法刻蝕設(shè)備中的晶圓進行干法刻蝕；

第三步驟：檢測晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性；

第四步驟：根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓位置的偏移情況。

優(yōu)選地，晶圓邊緣區(qū)域指的是晶圓邊緣的外環(huán)區(qū)域。

優(yōu)選地，在第四步驟中，通過根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置，從而判斷晶圓位置的偏移情況。

優(yōu)選地，在第四步驟中，根據(jù)比較檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的相對區(qū)間的刻蝕速率，判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置偏移方向。

優(yōu)選地，相對區(qū)間指的是處于晶圓直徑兩端的兩個區(qū)間。

優(yōu)選地，區(qū)間的刻蝕速率是相應區(qū)間的平均刻蝕速率。

優(yōu)選地，在第四步驟中，將刻蝕速率之差超過預定閾值的兩個相對區(qū)間所在的晶圓直徑所在的方向確定為晶圓位置的偏移方向。

優(yōu)選地，在第四步驟中，將晶圓位置的偏移方向被確定為從兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較大的一個區(qū)間到兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較小的一個區(qū)間的方向。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，從而能夠在不對設(shè)備進行開腔的情況下實現(xiàn)對晶圓位置偏移的有效監(jiān)控。由此，本發(fā)明能夠通過對邊緣刻蝕速率的檢測，及時發(fā)現(xiàn)晶圓位置偏移的異常。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了晶圓在設(shè)備中的位置布置示意圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的流程圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的相對區(qū)間示意圖。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法建立的邊緣刻蝕速率趨勢圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。

在干法刻蝕設(shè)備中，晶圓外部速率和其與聚焦環(huán)之間的距離有強相關(guān)性(晶圓在設(shè)備中的位置布置示意如圖1所示)。由此，本發(fā)明提出，通過監(jiān)控邊緣刻蝕速率的均一性，監(jiān)控晶圓位置相對于于聚焦環(huán)的偏移情況，并設(shè)定相應規(guī)格，檢測過度偏移的情況。由此，在不開腔檢查的情況下，對晶圓相對于聚焦環(huán)的偏移進行持續(xù)監(jiān)測，及時發(fā)現(xiàn)位置異常偏移的情況。

下面將描述本發(fā)明的具體實施例。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法的流程圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法包括：

第一步驟S1：將晶圓布置在干法刻蝕設(shè)備中；

第二步驟S2：對干法刻蝕設(shè)備中的晶圓進行干法刻蝕；

第三步驟S3：檢測晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性；其中，晶圓邊緣區(qū)域指的是晶圓邊緣的外環(huán)區(qū)域。

第四步驟S4：根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓位置的偏移情況。

具體地，在第四步驟S4中，通過根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置，從而判斷晶圓位置的偏移情況。

更具體地，在第四步驟S4中，根據(jù)比較檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的相對區(qū)間的刻蝕速率(該刻蝕速率指的是相應區(qū)間的平均刻蝕速率)，判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置偏移方向。

其中，相對區(qū)間指的是處于晶圓直徑兩端的兩個區(qū)間。具體地，如圖3所示，第一區(qū)間10和第二區(qū)間20處于晶圓直徑兩端，即相對區(qū)間。

進一步地，在第四步驟S4中，將刻蝕速率之差超過預定閾值的兩個相對區(qū)間所在的晶圓直徑所在的方向確定為晶圓位置的偏移方向。

而且更進一步地，將晶圓位置的偏移方向被確定為從兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較大的一個區(qū)間到兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較小的一個區(qū)間的方向。

而且，在本發(fā)明的具體實施過程中，可以持續(xù)監(jiān)測刻蝕設(shè)備內(nèi)部晶圓的邊緣刻蝕速率，并建立如圖4所示邊緣刻蝕速率趨勢圖。由此，可以在趨勢圖中發(fā)現(xiàn)問題，并且在發(fā)現(xiàn)問題之后及時進行腔體維護。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，從而能夠在不對設(shè)備進行開腔的情況下實現(xiàn)對晶圓位置偏移的有效監(jiān)控。由此，本發(fā)明能夠通過對邊緣刻蝕速率的檢測，及時發(fā)現(xiàn)晶圓位置偏移的異常。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。