1.一種通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于包括：
第一步驟：將晶圓布置在干法刻蝕設(shè)備中；
第二步驟：對干法刻蝕設(shè)備中的晶圓進行干法刻蝕；
第三步驟：檢測晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性；
第四步驟：根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓位置的偏移情況。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，晶圓邊緣區(qū)域指的是晶圓邊緣的外環(huán)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，在第四步驟中，通過根據(jù)檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕速率均一性判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置，從而判斷晶圓位置的偏移情況。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，在第四步驟中，根據(jù)比較檢測出的晶圓邊緣區(qū)域的相對區(qū)間的刻蝕速率，判斷晶圓相對于聚焦環(huán)的位置偏移方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，相對區(qū)間指的是處于晶圓直徑兩端的兩個區(qū)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，區(qū)間的刻蝕速率是相應(yīng)區(qū)間的平均刻蝕速率。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，在第四步驟中，將刻蝕速率之差超過預(yù)定閾值的兩個相對區(qū)間所在的晶圓直徑所在的方向確定為晶圓位置的偏移方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的通過檢測邊緣刻蝕速率均一性監(jiān)控晶圓位置偏移的方法，其特征在于，在第四步驟中，將晶圓位置的偏移方向被確定為從兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較大的一個區(qū)間到兩個相對區(qū)間中刻蝕速率較小的一個區(qū)間的方向。