1.一種功率器件的整體封裝方法，該方法包括將芯片(21)焊接在銅框架(1)的焊盤(12)上進(jìn)行上芯工序處理；然后，再經(jīng)過(guò)壓焊工序、塑封固化工序、電鍍工序和切筋成型，得到相應(yīng)的功率器件，其特征在于，所述上芯工序處理具體包括以下步驟：
A、在氫氮混合氣體的保護(hù)下，使需要上芯的銅框架(1)先經(jīng)過(guò)上芯工序加熱軌道中的預(yù)熱區(qū)進(jìn)行預(yù)加熱處理，使銅框架(1)經(jīng)過(guò)預(yù)熱區(qū)后的溫度升溫至320℃～350℃；
B、經(jīng)過(guò)預(yù)熱區(qū)后，再使銅框架(1)進(jìn)入點(diǎn)焊區(qū)進(jìn)行點(diǎn)焊處理，使在銅框架(1)的焊盤(12)上形成錫球；
C、點(diǎn)焊完成后，再使銅框架(1)進(jìn)入壓模區(qū)對(duì)錫球進(jìn)行整形，使錫球鋪開在銅框架(1)的焊盤(12)上；
D、然后進(jìn)入焊接區(qū)將芯片(21)放置在相應(yīng)的錫球上進(jìn)行焊接，使芯片(21)的背面焊接在焊盤(12)上；
E、焊接完成后進(jìn)入后加熱區(qū)進(jìn)行加熱處理后，且使后加熱區(qū)的溫度設(shè)定在180℃～200℃，然后再進(jìn)入冷卻區(qū)進(jìn)行冷卻處理后，完成芯片(21)的上芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，步驟A中所述預(yù)熱區(qū)依次包括第一預(yù)熱區(qū)、第二預(yù)熱區(qū)和第三預(yù)熱區(qū)，且所述第一預(yù)熱區(qū)的溫度設(shè)定為220℃～240℃；所述第二預(yù)熱區(qū)的溫度設(shè)定為260℃～280℃；所述第三預(yù)熱區(qū)的溫度設(shè)定為320℃～340℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，步驟D中所述芯片(21)的邊長(zhǎng)延長(zhǎng)線與焊盤(12)上相對(duì)應(yīng)的邊形成的夾角角度為10゜～15゜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，步聚E中所述冷卻區(qū)依次包括第一冷卻區(qū)、第二冷卻區(qū)和第三冷卻區(qū)，且所述第一冷卻區(qū)的溫度設(shè)定為155℃～165℃；所述第二冷卻區(qū)的溫度設(shè)定為135℃～145℃；所述第三冷卻區(qū)的溫度設(shè)定為100℃～120℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述芯片(21)通過(guò)以下方法制備得到：
使劃片機(jī)的切刀沿著晶圓(2)中對(duì)應(yīng)的切道(22)進(jìn)行切割處理，切割過(guò)程中使含有碳酸氫根的去離子水流過(guò)切割處，經(jīng)過(guò)若干次橫向切割和縱向切割之后，使晶圓(2)中的每一個(gè)芯片(21)均被切割分離出來(lái)，得到相應(yīng)的單一芯片(21)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述含有碳酸氫根的去離子水的導(dǎo)電率為0.5us/cm～1.5us/cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述含有碳酸氫根的去離子水通過(guò)向去離子水中通入二氧化碳得到。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述切割處理的切割速度為60mm/s～90mm/s；且所述切割處理時(shí)采用的切刀的轉(zhuǎn)速為30千轉(zhuǎn)/秒～35千轉(zhuǎn)/秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述切刀的刀刃長(zhǎng)度為600μm～720μm；且所述切刀的刀片厚度為15μm～20μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述功率器件的整體封裝方法，其特征在于，所述塑封固化工序具體為：
將經(jīng)過(guò)壓焊工序后的半成品放入塑封模具內(nèi)，然后，再控制溫度在170℃～185℃的條件下使環(huán)氧樹脂熔融并完全覆蓋在芯片(21)上進(jìn)行塑封固化處理80s～100s；然后，再將塑封固化處理后的產(chǎn)品從模具中轉(zhuǎn)移至烘箱內(nèi)并控制溫度在160℃～185℃的條件下進(jìn)行后固化處理。