本發(fā)明涉及多晶硅太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，具體是一種多晶硅片背面純化工藝。

背景技術(shù)：

多晶硅太陽能電池由于本身材料屬性的限制，在轉(zhuǎn)換效率上比單晶硅電池有約1%的差距，如何能夠利用多晶硅低廉的成本，獲得更高的轉(zhuǎn)換效率，是太陽能行業(yè)研究的重點(diǎn)。近年來發(fā)展了多種背面鈍化技術(shù)，有AlO，SiO，SiON等，這些鈍化技術(shù)在單晶電池上取得了明顯的效率提升效果，但是在多晶電池上卻很難達(dá)到和單晶一樣的效果。因此需要找到一種適合多晶的鈍化工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：如何提供一種多晶硅片背面純化工藝以提高光電轉(zhuǎn)化效率。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種多晶硅片背面純化工藝，按照如下的步驟進(jìn)行：

步驟一、放置多晶硅片在加熱爐中，升溫到910攝氏度，持續(xù)通入氣化三溴化硼，以5攝氏度/分鐘持續(xù)升溫至 970攝氏度，保溫12分鐘；

步驟二、保持溫度970攝氏度不變，停止通入三溴化硼，通入氮?dú)?分鐘后停止；

步驟三、保持溫度970攝氏度不變，通入氮?dú)夂鸵谎趸旌衔镞M(jìn)行推進(jìn)10分鐘后停止；

步驟四、通入氧氣進(jìn)行氧化，同時(shí)以5攝氏度/分鐘持續(xù)降溫至 820攝氏度，保溫10分鐘，停止通入氧氣，在氨氣環(huán)境下自然冷卻。

作為一種優(yōu)選方式：步驟一中三溴化硼的流量為10-20升/分鐘，步驟二中，氮?dú)獾牧髁繛?5升/分鐘，步驟三中氮?dú)夂鸵谎趸谋壤秊?:1，氮?dú)夂鸵谎趸旌衔锪髁繛?0升/分鐘，步驟四中，氧氣流量為10升/分鐘。

本發(fā)明的有益效果是：使用本發(fā)明的鈍化工藝可以有效提高多晶電池的開壓達(dá)10mV，多晶電池的轉(zhuǎn)換效率也有0.5%的提高。實(shí)現(xiàn)了在多晶硅片背鈍化后提高電池效率的目的。在同樣的硅片面積下，每片多晶硅片可以提高0.12w功率。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

在鍍膜工序制作減反射膜層時(shí)，將多晶硅片放置在加熱爐中，升溫到910攝氏度，以15升/分鐘的速度持續(xù)通入氣化三溴化硼，同時(shí)以5攝氏度/分鐘持續(xù)升溫至 970攝氏度，保溫12分鐘，在多晶硅片上形成硼摻雜層，保持溫度970攝氏度不變，停止通入三溴化硼，以15升/分鐘通入氮?dú)?分鐘后停止，目的是把氣化三溴化硼清除，保持溫度970攝氏度不變，通入氮?dú)夂鸵谎趸旌衔镞M(jìn)行推進(jìn)10分鐘后停止，氮?dú)夂鸵谎趸谋壤秊?:1，氮?dú)夂鸵谎趸旌衔锪髁繛?0升/分鐘，目的是在硼摻雜層表面形成一層氮化硼層，一氧化二氮可以促進(jìn)氮化硼層的形成，并且部分與硼摻雜層參合在一起，共同形成純化層，以10升/分鐘，通入氧氣進(jìn)行氧化，同時(shí)以5攝氏度/分鐘持續(xù)降溫至 820攝氏度，保溫10分鐘，停止通入氧氣，在氨氣環(huán)境下自然冷卻，表面的硅原子形成二氧化硅晶體，固化了純化層，且不影響純化層的厚度。

實(shí)施例2

在鍍膜工序制作減反射膜層時(shí)，在三溴化硼通入管道、氮?dú)夂鸵谎趸ㄈ牍艿馈⒀鯕馔ㄈ牍艿赖某隹诎惭b一個(gè)圍繞管道的導(dǎo)電圈，該導(dǎo)電圈接110伏直流電源的負(fù)極，將多晶硅片放置在加熱爐中的接110伏直流電壓的平板導(dǎo)電板上，升溫到910攝氏度，以15升/分鐘的速度持續(xù)通入氣化三溴化硼，同時(shí)以10攝氏度/分鐘持續(xù)升溫至 970攝氏度，保溫10分鐘，在多晶硅片上形成硼摻雜層，保持溫度970攝氏度不變，停止通入三溴化硼，以15升/分鐘通入氮?dú)?分鐘后停止，目的是把氣化三溴化硼清除，保持溫度970攝氏度不變，通入氮?dú)夂鸵谎趸旌衔镞M(jìn)行推進(jìn)6分鐘后停止，氮?dú)夂鸵谎趸谋壤秊?:1，氮?dú)夂鸵谎趸旌衔锪髁繛?0升/分鐘，目的是在硼摻雜層表面形成一層氮化硼層，一氧化二氮可以促進(jìn)氮化硼層的形成，并且部分與硼摻雜層參合在一起，共同形成純化層，以10升/分鐘，通入氧氣進(jìn)行氧化，同時(shí)以10攝氏度/分鐘持續(xù)降溫至 820攝氏度，保溫8分鐘，停止通入氧氣，在氨氣環(huán)境下自然冷卻，表面的硅原子形成二氧化硅晶體，固化了純化層，且不影響純化層的厚度。在靜電場的作用下三溴化硼、氮?dú)?、一氧化二氮、氧氣更容易發(fā)生反應(yīng)，并且形成的純化層更致密，

本發(fā)明只需要少量投入設(shè)備，就能夠達(dá)到提高多晶電池背面開壓的目的，通過提高多晶電池開壓，從而提高多晶電池的轉(zhuǎn)換效率，在硅片面積一定的情況下，可以得到更高的功率，提高產(chǎn)品的競爭力，滿足高端用戶的需求。