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一種多晶硅片背面純化工藝的制作方法

文檔序號(hào):11596085閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及多晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域,具體是一種多晶硅片背面純化工藝。一種多晶硅片背面純化工藝,放置多晶硅片在加熱爐中,升溫到910攝氏度,持續(xù)通入氣化三溴化硼,停止通入三溴化硼,通入氮?dú)?分鐘后停止;保持溫度970攝氏度不變,通入氮?dú)夂鸵谎趸旌衔镞M(jìn)行推進(jìn)10分鐘后停止;通入氧氣進(jìn)行氧化。使用本發(fā)明的鈍化工藝可以有效提高多晶電池的開壓達(dá)10mV,多晶電池的轉(zhuǎn)換效率也有0.5%的提高。

技術(shù)研發(fā)人員:趙科巍;郭衛(wèi);王恩宇;申開愉;張之棟;張波
受保護(hù)的技術(shù)使用者:山西潞安太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼:201610633838
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.05
技術(shù)公布日:2017.01.04

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