技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種集成電路，包括一SRAM陣列。SRAM陣列包括具有第一多行以及多列的SRAM單元的一第一子陣列以及具有第二多行以及多列的SRAM單元的一第二子陣列。第一位元線以及第一互補(bǔ)位元線連接至第一子陣列中的一列的第一以及第二溝道柵極金屬氧化物半導(dǎo)體裝置。第二位元線以及第二互補(bǔ)位元線連接至第二子陣列中的一列的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元的第一以及第二溝道柵極金屬氧化物半導(dǎo)體裝置。第一位元線以及第一互補(bǔ)位元線與第二位元線以及第二互補(bǔ)位元線斷開。感測放大器電路電性耦接至并用以感測第一位元線、第一互補(bǔ)位元線、第二位元線以及第二互補(bǔ)位元線。

技術(shù)研發(fā)人員：廖忠志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.08
技術(shù)公布日：2017.08.08