本發(fā)明涉及l(fā)ed顯示屏的技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種表面平整一致的集成封裝顯示模組及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著led顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，其間距不斷減小，目前在市場上已經(jīng)形成以點(diǎn)距為p1.5的批量化生產(chǎn)和應(yīng)用。led小間距顯示技術(shù)以其色域廣泛、顯示亮度高、無縫拼接易于維護(hù)等技術(shù)特點(diǎn)，正逐步取代控制室內(nèi)顯示領(lǐng)域中常用的dlp拼接，lcd拼接。而在戶內(nèi)顯示制式屏方面，在大尺寸顯示中，也對現(xiàn)有液晶技術(shù)在成本和顯示效果方面逐步構(gòu)成競爭優(yōu)勢?；谝陨霞夹g(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，led小間距技術(shù)正得到快速的發(fā)展，并有這廣闊的市場空間。

在目前l(fā)ed小間距領(lǐng)域中，在技術(shù)路線方面有以表面貼裝技術(shù)為代表的表貼式顯示技術(shù)，其技術(shù)優(yōu)勢在于其可在燈珠封裝后段實(shí)行像素點(diǎn)的混合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)屏幕芯片的均勻性。但由于采用分立器件與smt技術(shù)設(shè)備精度，在小間距情況下表貼技術(shù)方案難以實(shí)現(xiàn)。而同時存在的另外一條技術(shù)路線是以cob集成小間距封裝為代表的集成封裝技術(shù)，其技術(shù)在更小間距領(lǐng)域有著天然的技術(shù)優(yōu)勢。其技術(shù)路線是將芯片直接安裝在pcb板上，形成集成陣列封裝。有利于實(shí)現(xiàn)更小的點(diǎn)距的集成封裝。而在集成cob封裝模組技術(shù)中，封裝模組在膠水灌封上目前主要采取的技術(shù)路線為直接灌封，即將膠水直接灌注到集成模塊的led芯片安放面。在通過后續(xù)加工實(shí)現(xiàn)厚度及尺寸的一致性。但其不足在于工藝路徑較長，可靠性差，后續(xù)平面化加工難度大，切不能實(shí)現(xiàn)表面的結(jié)構(gòu)化封裝，封裝出的成品會出現(xiàn)光學(xué)串?dāng)_等技術(shù)問題。業(yè)界也有采用高觸變性膠水直接在像素點(diǎn)上點(diǎn)膠來實(shí)現(xiàn)像素點(diǎn)的封裝，但其點(diǎn)膠速度較慢。膠水均勻性難移控制，并且膠水所形成的透鏡形狀一致性也差，最終導(dǎo)致顯示效果和角度一致性變差。因此目前業(yè)界普遍希望找到更加快速，更加穩(wěn)定，并且能夠?qū)崿F(xiàn)結(jié)構(gòu)化光學(xué)設(shè)計的方案。根據(jù)業(yè)界技術(shù)，有人提出利用成熟的模壓技術(shù)實(shí)現(xiàn)集成cob顯示模組的封裝(專利號cn103531108b)。并且可在膠水表面形成結(jié)構(gòu)化的光學(xué)設(shè)計圖形。但在具體實(shí)施中，由于模壓技術(shù)本身工藝要求，及材料問題，模壓技術(shù)在大尺寸(面積大于50mm*50mm)pcb封裝中會出現(xiàn)嚴(yán)重的形變翹曲。如何能夠解決大面積模壓技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)集成cob模組的模壓化生產(chǎn)成為集成cob實(shí)現(xiàn)快速封裝的難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠解決大面積模壓形變翹曲問題的表面平整一致的集成封裝顯示模組及其制造方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的表面平整一致的集成封裝顯示模組包括驅(qū)動ic、pcb板、rgb發(fā)光芯片、封裝膠體；驅(qū)動ic固定在pcb板背面，rgb發(fā)光芯片固定在pcb板正面，封裝膠體壓合于pcb板的正面；其特征在于所述pcb板的基材，其tg點(diǎn)(熔點(diǎn))在200-250℃之間，基材厚度在1mm～3mm之間；封裝膠體厚度為0.4-0.6mm，熱膨脹系數(shù)為25-50μm/m.℃，tg點(diǎn)(熔點(diǎn))為100℃～120℃。

所述封裝膠體的固化溫度為130℃～150℃。

所述pcb板的基材可以采用bt樹脂材料或fr-4材料。

所述封裝膠體由環(huán)氧樹脂100重量份、準(zhǔn)球形硅微粉75-85重量份、zrw_2o_8粉體10-30重量份、甲基六氫鄰苯二甲酸酐60-140重量份、硅烷偶聯(lián)劑1-5重量份、催化劑1-5重量份混合調(diào)制而成。

所述催化劑采用四丁基溴化銨。

上述表面平整一致的集成封裝顯示模組的制作方法如下：

步驟一、將驅(qū)動ic貼裝到pcb板的背面，將rgb發(fā)光芯片貼裝到pcb板的正面，驅(qū)動ic通過pcb板內(nèi)部線路與rgb發(fā)光芯片連接，得到顯示單元；

步驟二、將步驟一組裝完成的顯示單元放入模壓機(jī)，在模壓溫度為90℃～100℃的條件下進(jìn)行模壓處理，將封裝膠體壓合于pcb板的正面；經(jīng)過5-8分鐘時間，開啟模壓機(jī)的模具取出固化好的封裝顯示單元；

步驟三、將步驟二得到封裝顯示單元放入烤箱，在130℃～150℃溫度下長烤1～4h，使封裝膠體完全固化，得到集成封裝顯示模組。

本發(fā)明通過采用高tg點(diǎn)材料的pcb板，配合低熱膨脹系數(shù)、低熱應(yīng)力的封裝膠體材料，及超薄的封裝膠體厚度，解決了膠體封裝后的形變翹曲問題，封裝膠體的平整一致性好，實(shí)現(xiàn)了大面積集成封裝模塊面板的工業(yè)化快速生產(chǎn)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

圖1是集成封裝顯示模組側(cè)視圖。

圖2集成封裝顯示模組立體圖。

圖3a、圖3b是結(jié)構(gòu)化的集成封裝顯示模組側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明的表面平整一致的集成封裝顯示模組包括pcb板1、驅(qū)動ic2、rgb發(fā)光芯片3、封裝膠體4；驅(qū)動ic2固定在pcb板1的背面，rgb發(fā)光芯片3固定在pcb板1的正面，封裝膠體4壓合于pcb板的正面。

pcb板的基材可以采用bt樹脂材料或fr-4材料，基材厚度在1mm～3mm之間，tg點(diǎn)在200-250℃之間。封裝膠體厚度為0.4-0.6mm，熱膨脹系數(shù)為25-50μm/m.℃，tg點(diǎn)為100℃～120℃。

所述封裝膠體中各組分的配比如下：環(huán)氧樹脂100重量份，準(zhǔn)球形硅微粉75-85重量份，zrw_2o_8粉體10-30重量份，甲基六氫鄰苯二甲酸酐60-140重量份，硅烷偶聯(lián)劑1-5重量份，tbab(四丁基溴化銨)1-5重量份。該封裝膠體熱膨脹系數(shù)為27，固化溫度為80度，tg點(diǎn)為100度。

所述封裝膠體的制備方法如下：

按所述組分及重量百分比含量稱量原料加入到預(yù)混合器中進(jìn)行均勻混合。混合時間為10-15分鐘，再將混合后的原材料通過擠出機(jī)加熱擠煉，擠出機(jī)出料口溫度在60-80℃，再經(jīng)冷輸送、粗碎后在進(jìn)行粉碎。再經(jīng)磁選。后混合，形成粉料產(chǎn)品，再經(jīng)預(yù)成形為餅料產(chǎn)品。

如圖2所示，本發(fā)明的集成封裝顯示模組制作方法如下：

首先通過smt技術(shù)(表面貼裝技術(shù))將驅(qū)動ic2貼裝到pcb板1的背面，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動ic2與pcb板1內(nèi)部線路的相互連接；通過封裝工藝技術(shù)將rgb發(fā)光芯片3貼裝到pcb板1的正面，并形成電路連接，得到顯示單元；將上面制作完成的顯示單元放入模壓機(jī)進(jìn)行模壓處理，模壓溫度設(shè)定在100℃5-8分鐘時間，開啟模壓機(jī)的模具取出，得到封裝顯示單元，此時封裝膠體4封裝覆蓋在pcb板1的正面。將封裝完成的封裝顯示單元放入烤箱，在150℃下長烤2h，讓封裝膠體4完全固化。最后經(jīng)過切邊步驟完成集成封裝顯示模塊的封裝。

以p1.5點(diǎn)距，封裝面積為80*80mm產(chǎn)品為例，采用常規(guī)模壓封裝方法，模壓后pcb出現(xiàn)形變翹曲，難以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的拼接。

以p1.25點(diǎn)距，封裝面積為80*80mm產(chǎn)品為例，采用結(jié)構(gòu)化的封裝表面，即在表面構(gòu)造溝槽的方式來模壓，如圖3a、圖3b所示。

表面結(jié)構(gòu)化在一定程度上可以減小翹曲發(fā)生，但在更大面積上仍然翹曲明顯，而且在點(diǎn)距進(jìn)一步縮小的情況下，像素點(diǎn)之間的縫隙難以通過磨具或者后續(xù)加工的方式構(gòu)造。

本發(fā)明封裝膠體通過模壓等方式直接與pcb板壓合，在pcb板正面形成具有一定厚度的封裝膠體，起到對rgb發(fā)光芯片和pcb板正面的保護(hù)作用。

以點(diǎn)距p1.25，pcb板面積120*120mm為例，pcb板的基材采用bt樹脂材料，厚度采用1.5mm設(shè)計；封裝膠體采用上述由環(huán)氧樹脂、準(zhǔn)球形硅微粉、zrw_2o_8粉體、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、硅烷偶聯(lián)劑tbab制備的膠體材料，厚度采用0.45mm設(shè)計，既能保障封裝芯片可靠，又能保障厚度低，解決了大面積集成封裝cob集成模組模壓封裝大面積面板的形變翹曲問題。用激光平面度測試儀測試，能夠達(dá)到0.04-0.06mm。未采用本發(fā)明以前平面度約為0.4-0.5m。

所述封裝膠體材料還可以采用在硅樹脂、硅膠或uv固化膠水中添加無機(jī)散熱填料、負(fù)熱膨脹填料、固化劑、偶聯(lián)劑及催化劑等配制，只要能夠滿足封裝膠體材料固化后熱膨脹系數(shù)在25-50μm/m.℃之間，固化溫度在130℃～150℃之間，tg點(diǎn)在100℃～120之間即可。