本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)領(lǐng)域的不斷發(fā)展，有源矩陣有機發(fā)光二極體(AMOLED)顯示屏因為具有高清晰、高亮度和響應(yīng)快等優(yōu)點受到各界的廣泛關(guān)注。

目前，大部分用戶將大顯示屏、高分辨率作為選擇顯示屏的兩個常用標(biāo)準(zhǔn)，而顯示屏背板的電子遷移能力的好壞直接影響顯示屏的亮度和分辨率等，因此，在制備顯示屏背板時提高電子遷移率是用戶重點考慮的一方面。

在制備AMOLED顯示屏的背板時，為了提高背板的電子遷移能力，通常采用的方法有兩種：第一種，選擇電子遷移率相對較高的背板材料，例如，采用低溫多晶硅(LTPS)或氧化半導(dǎo)體作為背板材料，即：采用低溫多晶硅技術(shù)和氧化物半導(dǎo)體技術(shù)來制備薄膜晶體管(TFT)，作為AMOLED顯示屏的背板。第二種，采用雙柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管作為顯示屏的背板，從而提高背板的電子遷移能力，例如，采用圖1所示的雙柵極薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，可以提AMOLED顯示屏背板的電子遷移能力。

應(yīng)用雙柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管制作AMOLED顯示屏的背板，的確可以有效地提高背板的電子遷移能力。但是，在雙柵極薄膜晶體管工作時，通常要求薄膜晶體管中的上溝道和下溝道同時導(dǎo)通，否則會產(chǎn)生駝峰(Hump)效應(yīng)，即導(dǎo)致薄膜晶體管中產(chǎn)生的工作電流不穩(wěn)定，進而影響顯示屏的顯示性能。

但在實際應(yīng)用中，即使同時給頂柵極和底柵極施加電壓，有時也無法保證上溝道和下溝道同時導(dǎo)通，因此，采用現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，有時會導(dǎo)致薄膜晶體管輸出的電流不穩(wěn)定，使得顯示屏的顯示性能相對較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。

優(yōu)選地，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：

所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分，所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分。

優(yōu)選地，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：

所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。

優(yōu)選地，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：

所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分，所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分。

優(yōu)選地，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：

所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分，所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，該方法包括：

在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極；

在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道；

在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道；

在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極；

在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層；

在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。

優(yōu)選地，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：

對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：

對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分。

優(yōu)選地，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：

對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：

對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。

優(yōu)選地，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：

對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：

對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分。

優(yōu)選地，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：

對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：

對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分。

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，底柵極位于基板上，底柵極絕緣層位于底柵極上，溝道位于底柵極絕緣層上，刻蝕阻擋層位于溝道上，源極和漏極分別位于溝道的兩側(cè)，頂柵極絕緣層位于源極和漏極上，頂柵極位于頂柵極絕緣層上，且源極和漏極與頂柵極或底柵極之一有重疊部分。相比現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體結(jié)構(gòu)中，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而本發(fā)明中提供的雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，在制備頂柵極和底柵極時，使得源極和漏極與頂柵極或底柵極之一有重疊部分，這樣的薄膜晶體結(jié)構(gòu)，可以使得薄膜晶體管中的上溝道和下溝道同時導(dǎo)通。因此，本方案提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中由于頂柵極和底柵極均與源極和漏極有重疊部分，從而造成上溝道和下溝道很難同時導(dǎo)通的問題，即采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可以產(chǎn)生相對較穩(wěn)的電流/電壓，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖4為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖5為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖6為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖7為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖8為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖9為本發(fā)明實施例1提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例2提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖11為本發(fā)明實施例2提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖12為本發(fā)明實施例2提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖13為本發(fā)明實施例2提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖14為本發(fā)明實施例3提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖15為本發(fā)明實施例3提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖16為本發(fā)明實施例3提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖17為本發(fā)明實施例4提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖18為本發(fā)明實施例4提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

圖19為本發(fā)明實施例4提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程示意圖；

圖20為本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管的電壓-電流曲線圖；

圖21為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

具體實施方式

在前述背景技術(shù)中已經(jīng)記載，現(xiàn)有技術(shù)中通過采用雙柵極的薄膜晶體管，從而提高AMOLED顯示屏背板的電子遷移能力，如圖1所示為常用的雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，該薄膜晶體管具體包括：基板101、底柵極102、底柵極絕緣層103、溝道104、刻蝕阻擋層105、源極106、漏極107、頂柵極絕緣層108和頂柵極109，且溝道104的具體結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括上溝道1041和下溝道1042，其中，頂柵極109與源極106和漏極107均有重疊部分，且底柵極102也與源極106和漏極107均有重疊部分。

因為現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中具有上述重疊部分，導(dǎo)致在給頂柵極109和底柵極102加電壓后，無法保證溝道104中的上溝道1041與下溝道1042同時導(dǎo)通，從而產(chǎn)生駝峰效應(yīng)。如圖3所示，如果溝道104中的下溝1042道比上溝道1041先導(dǎo)通，則當(dāng)給源極106通電流時，電流在溝道104中的路線為“OA—AC—CD”，然后，電流從漏極107中輸出；這時溝道104中的上溝道再導(dǎo)通，電流會沿著路線OB，同樣也從漏極107中輸出，顯然，由于上溝道1041和下溝道1042沒有同時導(dǎo)通，導(dǎo)致從漏極107輸出的電流會發(fā)生變化，即產(chǎn)生駝峰效應(yīng)，這種駝峰效應(yīng)將影響顯示屏的顯示性能。

另外，如圖1所示，由于頂柵極109與源極106和漏極107均有重疊部分，且頂柵極109與源極106和柵極107之間只有相對較薄的頂柵極絕緣層108，這樣很容易在頂柵極109與源極106和漏極107之間重疊的部分，產(chǎn)生寄生電容，這種寄生電容的產(chǎn)生，也會對顯示屏的顯示性能產(chǎn)生負(fù)面影響。

鑒于上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題，該薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)具體包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，該方法具體包括：

在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極；在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道；在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道；在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極；在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層；在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實施例1、2、3和4及相應(yīng)的附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，且實施例1、2、3和4中提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)是基于相同的發(fā)明構(gòu)思，即通過改變頂柵極和/或底柵極的結(jié)構(gòu)，使得上溝道和下溝道同時導(dǎo)通，避免了駝峰效應(yīng)的產(chǎn)生。

顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明各實施例提供的技術(shù)方案。

實施例1

本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)如圖4和圖5所示，該薄膜晶體管具體包括：

基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分，所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分。

具體地，如圖4所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板401、底柵極402、底柵極絕緣層403、溝道404、刻蝕阻擋層405、源極406、漏極407、頂柵極絕緣層408和頂柵極409，其中，底柵極402位于基板上401，底柵極絕緣層403位于底柵極上402，溝道404位于底柵極絕緣層403上，刻蝕阻擋層405位于溝道404上，源極406和漏極407分別位于溝道的兩側(cè)404，頂柵極絕緣層408位于源極406和漏極407上，頂柵極409位于頂柵極絕緣層408上，且底柵極402與源極406和漏極407均有重疊部分，頂柵極409與漏極407有重疊部分，但與源極406沒有重疊部分。

具體地，如圖5所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板501、底柵極502、底柵極絕緣層503、溝道504、刻蝕阻擋層505、源極506、漏極507、頂柵極絕緣層508和頂柵極509，其中，底柵極502位于基板上501，底柵極絕緣層503位于底柵極上502，溝道504位于底柵極絕緣層503上，刻蝕阻擋層505位于溝道504上，源極506和漏極507分別位于溝道的兩側(cè)504，頂柵極絕緣層508位于源極506和漏極507上，頂柵極509位于頂柵極絕緣層508上，且底柵極502與源極506和漏極507均有重疊部分，頂柵極509與源極506有重疊部分，而與漏極507沒有重疊部分。

相比于現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而圖4中的雙柵極薄膜晶體管中，頂柵極409與源極406沒有重疊部分。

采用圖4結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管獲得的有益效果具體如下：

如圖6所示，因為頂柵極409與源極406沒有重疊部分，在給頂柵極409加電壓后，這時頂柵極409在頂柵極絕緣層408產(chǎn)生電場，產(chǎn)生的電場范圍是由頂柵極409的結(jié)構(gòu)決定的。具體圖6所示，根據(jù)頂柵極409的形狀，在頂柵極絕緣層408產(chǎn)生的電場的范圍為E～F，因此，在溝道404表面上產(chǎn)生的感應(yīng)電荷也只分布在E～F范圍中，隨著頂柵極409的電壓的增加，則溝道404中的上溝道EF被導(dǎo)通；而底柵極402與源極406和漏極407均有重疊部分，如圖6所示的底柵極402結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生的電場范圍為P～Q，即可以在底柵極絕緣層403產(chǎn)生的感應(yīng)電荷的范圍為P～Q，隨著底柵極402的電壓的增加，則溝道404中整個下溝道將會被導(dǎo)通。

當(dāng)給源極406加電流時，如圖6所示，從源極406的邊緣O點輸入溝道404的電流，會沿著下溝道一直通向漏極407，而上溝道因為O點與E點之間頂柵極409與源極406沒有重疊部分，因此，從O點通入的電流無法直接沿著上溝道(OF)直接通向漏極407。但是從O點通入的電流可以沿著“OA-AB-BE-EF”(如圖7所示)，從而，最終到達(dá)漏極407。

為明確起見，這里詳細(xì)的說明圖4中的薄膜晶體管中的電流走向，具體如圖7所示，其中，沿下溝道的電流走向為“OA-AB-BC-CD”，沿上溝道的電流走向為“OA-AB-BE-EF”。

由此可知，由于頂柵極409與源極406沒有重疊部分，因此，只有當(dāng)溝道404中的下溝道被導(dǎo)通，上溝道才同時被導(dǎo)通，即：達(dá)到了上溝道和下溝道同時被導(dǎo)通的效果。

圖5薄膜晶體管的溝道504中的電流走向原理與圖4薄膜晶體管中的電流走向原理相同，為避免重復(fù)，這里就不再對圖5中薄膜晶體管中的電流走向原理進行詳細(xì)說明。具體的電流走向如圖8所示：沿下溝道的電流走向為“OA-AD-DE”，沿上溝道的電流走向為“OB-BC-CD-DE”。

同理，因為頂柵極509與漏極507沒有重疊部分，所以也只有溝道504中的下溝道被導(dǎo)通時，上溝道才會被導(dǎo)通，即同樣達(dá)到了上溝道和下溝道同時被導(dǎo)通的效果。

另外，雙柵極薄膜晶體管中的頂柵極與源極和漏極之間的距離通常很近，因此，在薄膜晶體管工作時，頂柵極與源極和漏極中的重疊部分，容易形成寄生電容，寄生電容的產(chǎn)生，同樣會對薄膜晶體管中電流的輸出造成影響。而本發(fā)明提供的薄膜晶體管中的頂柵極與源極或漏極沒有重疊部分，因此會減少一部分寄生電容的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的性能。

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，底柵極位于基板上，底柵極絕緣層位于底柵極上，溝道位于底柵極絕緣層上，源極和漏極分別位于溝道的兩側(cè)，頂柵極絕緣層位于源極和漏極上，頂柵極位于頂柵極絕緣層上，且底柵極與源極和漏極均有重疊部分，頂柵極與源極或漏極有重疊部分。相比現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體結(jié)構(gòu)中頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而本發(fā)明中提供的雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，雖然底柵極與源極和漏極均有重疊部分，但頂柵極與源極或漏極沒有重疊部分，采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管作為AMOIED顯示屏背板獲得的有益效果是：

1、因為頂柵極與源極或漏極沒有重疊部分，這樣的薄膜晶體結(jié)構(gòu)，在將下溝道導(dǎo)通的同時將上溝道導(dǎo)通。因此，本方案提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中由于頂柵極和底柵極均與源極和漏極有重疊部分，從而造成上溝道和下溝道很難同時導(dǎo)通的問題，即采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可以產(chǎn)生相對較穩(wěn)的電流/電壓，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

2、因為頂柵極與源極或漏極沒有重疊部分，減少了薄膜晶體管中一部分寄生電容的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的性能，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。該方法的具體流程如圖9所示，該方法包括：

步驟901：在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極。

在本步驟中，在基板上沉積一層金屬膜，這里的金屬可以是銅、鋁等金屬，且沉積的方式可以是氣相沉積，具體可以是熱蒸鍍法，或者是磁控濺射法等將金屬膜沉積在基板上。

在將第一金屬膜沉積在基板上后，對該金屬膜進行圖形化處理，獲得底柵極結(jié)構(gòu)。這里圖形化處理的方式可以是化學(xué)刻蝕或者物理刻蝕等等，常用的化學(xué)刻蝕可以采用酸性溶液與第一金屬膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，且通常還會用到掩膜板，從而將第一金屬膜刻蝕出底柵極的形狀；常用的物理刻蝕可以采用等離子體等對第一金屬膜進行轟擊，在轟擊的過程中有時也會用到掩膜板，從而獲得底柵極。

步驟902：在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道。

在步驟901獲得的底柵極的基礎(chǔ)上，沉積底柵極絕緣膜和溝道膜(有源層)，這里的底柵極絕緣膜可以是SiNx膜，溝道膜可以是α-Si等等。且在底柵極上沉積底柵極絕緣層后，需要對該柵極絕緣層進行圖形化處理，圖形化后獲得柵極絕緣層，然后，在柵極絕緣層上沉積溝道膜，同樣，也要對該溝道膜進行圖形化處理，獲得溝道。

這里采用的圖形化方法可以是與步驟901記載的圖形化方法相同，或者還有其它的圖形化方法，這里不作具體限定。

步驟903：在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道。

在步驟中，在溝道上沉積刻蝕阻擋層，該刻蝕阻擋層用于保護該溝道，具體地，因為步驟904需要在溝道兩側(cè)上制備源極和漏極，在制備源極和漏極的過程中通常會用到刻蝕的方法，這時為了避免溝道受到刻蝕溶液等的腐蝕，因此在溝道上沉積一層刻蝕阻擋層避免溝道受到破壞。

步驟904：在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極。

在本步驟中，要在溝道上沉積第二金屬膜，這里的第二金屬膜也可以是銅或鋁等導(dǎo)電金屬膜，且這里的圖形化的方法也可以與步驟901提到的圖形化方法相同或相似的方法。

步驟905：在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層。

本步驟與步驟902相似，這里不再贅述，如圖4或圖5所示，沉積后的頂柵極絕緣層分布在整個器件的表面。

步驟906：在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，且所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分。

本步驟與步驟901獲得底柵極的方法相同或相似，這里也就不再贅述。

應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法所獲得的有益效果，與前述應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管所獲得的有益效果相同或相似，為避免重復(fù)，這里不再詳細(xì)說明。

實施例2

實施例2為本發(fā)明提供第二種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)如圖10和圖11所示，該薄膜晶體管具體包括：

基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。

具體地，如圖10所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板1001、底柵極1002、底柵極絕緣層1003、溝道1004、刻蝕阻擋層1005、源極1006、漏極1007、頂柵極絕緣層1008和頂柵極1009，其中，底柵極1002位于基板上1001，底柵極絕緣層1003位于底柵極上1002，溝道1004位于底柵極絕緣層1003上，刻蝕阻擋層1005位于溝道1004上，源極1006和漏極1007分別位于溝道的兩側(cè)1004，頂柵極絕緣層1008位于源極1006和漏極1007上，頂柵極1009位于頂柵極絕緣層1008上，且所述頂柵極1009與所述源極1006和漏極1007均有重疊部分，所述底柵極1002與所述源極1006沒有重疊部分。

具體地，如圖11所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板1101、底柵極1102、底柵極絕緣層1103、溝道1104、刻蝕阻擋層1105、源極1106、漏極1107、頂柵極絕緣層1108和頂柵極1109，其中，底柵極1102位于基板上1101，底柵極絕緣層1103位于底柵極上1102，溝道1104位于底柵極絕緣層1103上，刻蝕阻擋層1105位于溝道1104上，源極1106和漏極1107分別位于溝道的兩側(cè)1104，頂柵極絕緣層1108位于源極1106和漏極1107上，頂柵極1109位于頂柵極絕緣層1108上，且頂柵極1109與源極1106和漏極1107均有重疊部分，底柵極1102與源極1106有重疊部分，但與漏極1107沒有重疊部分。

相比于現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而圖10中的雙柵極薄膜晶體管中，底柵極1002與源極1006沒有重疊部分，且相比于現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管，圖11中的雙柵極薄膜晶體管中，底柵極1102與漏極1107沒有重疊部分。

采用圖10和圖11結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管獲得的有益效果與實施例中采用圖4和圖5結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管獲得的有益效果類似，圖4和圖5中的薄膜晶體管只有在下溝道導(dǎo)通的情況下，才能將上溝道導(dǎo)通，而圖10和圖11中的薄膜晶體管只有在上溝道導(dǎo)通的情況下，才能將下溝道導(dǎo)通。

為明確起見，針對圖10中的薄膜晶體管中的電流走向進行說明，具體如圖12所示，其中，沿下溝道的電流走向為“OA-AB-BC-CD”，沿上溝道的電流走向為“OA-AE”。根據(jù)圖10中薄膜晶體管中電流的走向原理，很容易獲知圖11中薄膜晶體管中的電流的走向，這里就不再詳細(xì)說明。

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，底柵極位于基板上，底柵極絕緣層位于底柵極上，溝道位于底柵極絕緣層上，源極和漏極分別位于溝道的兩側(cè)，頂柵極絕緣層位于源極和漏極上，頂柵極位于頂柵極絕緣層上；且頂柵極與源極和漏極均有重疊部分，底柵極與源極或漏極有重疊部分。相比現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體結(jié)構(gòu)中，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而本發(fā)明中提供的雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，雖然頂柵極與源極和漏極均有重疊部分，但底柵極與源極或漏極沒有重疊部分，這樣必須給頂柵極加電壓，使得薄膜晶體管中的上溝道導(dǎo)通，才能將下溝道導(dǎo)通，即使得薄膜晶體管中的上溝道和下溝道同時導(dǎo)通。因此，本方案提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中由于底柵極和底柵極全部閉合，造成上溝道和下溝道很難同時導(dǎo)通的問題，即使得薄膜晶體管中產(chǎn)生相對較穩(wěn)的電流/電壓，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。該方法的具體流程如圖13所示，該方法包括：

步驟1301：在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極。

步驟1302：在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道。

步驟1303：在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道。

步驟1304：在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極。

步驟1305：在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層。

步驟1306：在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，且所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體的制備方法與實施例1提供的薄膜晶體的制備方法相同，這里不再贅述。且應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法所獲得的有益效果，與前述應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管所獲得的有益效果相同或相似，為避免重復(fù)，這里也不再詳細(xì)說明。

實施例3

實施例3為本發(fā)明提供第三種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)如圖14所示，該薄膜晶體管具體包括：

基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上；且所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分，所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分。

具體地，如圖14所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板1401、底柵極1402、底柵極絕緣層1403、溝道1404、刻蝕阻擋層1405、源極1406、漏極1407、頂柵極絕緣層1408和頂柵極1409，其中，底柵極1402位于基板1401上，底柵極絕緣層1403位于底柵極1402上，溝道1404位于底柵極絕緣層1403上，刻蝕阻擋層1405位于溝道1404上，源極1406和漏極1407分別位于溝道的兩側(cè)1404，頂柵極絕緣層1408位于源極1406和漏極1407上，頂柵極1409位于頂柵極絕緣層1408上，且底柵極1402與源極1406沒有重疊部分且與漏極1407有重疊部分，頂柵極1409與源極1406有重疊部分且與漏極1407沒有重疊部分。

相比于現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而圖14中的雙柵極薄膜晶體管中，底柵極1402與源極1406沒有重疊部分且與漏極1407有重疊部分，頂柵極1409與源極1406有重疊部分且與漏極1407沒有重疊部分。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，與實施例1和實施例2的發(fā)明構(gòu)思類似，具體通過圖15來說明本發(fā)明提供的薄膜晶體管的電流走向，當(dāng)源極1406中通有電流時，沿下溝道的電流走向為“OA-AB-BD-DF”，沿上溝道的電流走向為“OA-AC-CE-ED-DF”。

由此可知，本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，當(dāng)只有上溝道導(dǎo)通時，給源極1406通以電流，漏極1407不會有電流輸出，因為此時溝道中沒有形成電流回路；同理，當(dāng)只有下溝道導(dǎo)通時，給源極1406通以電流，漏極1407同樣也不會有電流輸出，只有當(dāng)上溝道和下溝道同時導(dǎo)通時，在可以在溝道中形成閉合回路，此時給源極1406通以電流，漏極1407才會有電流輸出，即采用本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管使得上溝道和下溝道同時導(dǎo)通。本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，底柵極位于基板上，底柵極絕緣層位于底柵極上，溝道位于底柵極絕緣層上，刻蝕阻擋層位于溝道上，源極和漏極分別位于溝道的兩側(cè)，頂柵極絕緣層位于源極和漏極上，頂柵極位于頂柵極絕緣層上，且頂柵極與源極和漏極均有重疊部分，底柵極與源極或漏極沒有重疊部分。相比現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體結(jié)構(gòu)中，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管作為AMOIED顯示屏背板獲得的有益效果是：

1、當(dāng)上溝道導(dǎo)通而下溝道沒有導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極不會有電流產(chǎn)生，且當(dāng)下溝道導(dǎo)通而上溝道導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極同樣也不會有電流產(chǎn)生；只有當(dāng)上溝道和下溝道同時導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極才會有電流產(chǎn)生，即達(dá)到了上、下溝道同時導(dǎo)通的效果。因此，本方案提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中由于頂柵極和底柵極均與源極和漏極有重疊部分，從而造成上溝道和下溝道很難同時導(dǎo)通的問題，即采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可以產(chǎn)生相對較穩(wěn)的電流/電壓，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

2、因為頂柵極與漏極沒有重疊部分，減少了薄膜晶體管中一部分寄生電容的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的性能，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。該方法的具體流程如圖16所示，該方法包括：

步驟1601：在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極。

步驟1602：在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道。

步驟1603：在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道。

步驟1604：在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極。

步驟1605：在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層。

步驟1606：在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，且所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分，所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體的制備方法與實施例1提供的薄膜晶體的制備方法相同，這里不再贅述。且應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法所獲得的有益效果，與前述應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管所獲得的有益效果相同或相似，為避免重復(fù)，這里也不再詳細(xì)說明。

實施例4

實施例4為本發(fā)明提供第四種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)如圖17所示，該薄膜晶體管具體包括：

基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側(cè)，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分，所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分。

具體地，如圖17所示的薄膜晶體管，該薄膜晶體管具體包括：基板1701、底柵極1702、底柵極絕緣層1703、溝道1704、刻蝕阻擋層1705、源極1706、漏極1707、頂柵極絕緣層1708和頂柵極1709，其中，底柵極1702位于基板上1701，底柵極絕緣層1703位于底柵極上1702，溝道1704位于底柵極絕緣層1703上，所述刻蝕阻擋層1705位于所述溝道上1704，源極1706和漏極1707分別位于溝道的兩側(cè)1704，頂柵極絕緣層1708位于源極1706和漏極1707上，頂柵極1709位于頂柵極絕緣層1708上，且底柵極1702與漏極1707沒有重疊部分且與源極1706有重疊部分，頂柵極1709與漏極1707有重疊部分且與源極1706沒有重疊部分。

相比于現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管，頂柵極和底柵極與源極和漏極均有重疊部分，而圖17中的雙柵極薄膜晶體管中，底柵極1702與漏極1707沒有重疊部分且與源極1706有重疊部分，頂柵極1709與漏極1707有重疊部分且與源極1706沒有重疊部分。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，與實施例3的發(fā)明構(gòu)思類似，具體通過圖18來說明本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的電流走向，當(dāng)源極1706中通有電流時，沿下溝道的電流走向為“OA-AB-BC-CD”，沿上溝道的電流走向為“OA-AB-BE-EF”。

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，底柵極位于基板上，底柵極絕緣層位于底柵極上，溝道位于底柵極絕緣層上，刻蝕阻擋層位于溝道上，源極和漏極分別位于溝道的兩側(cè)，頂柵極絕緣層位于源極和漏極上，頂柵極位于頂柵極絕緣層上，且底柵極與漏極沒有重疊部分且與源極有重疊部分，頂柵極與漏極有重疊部分且與源極沒有重疊部分。采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管作為AMOIED顯示屏背板獲得的有益效果是：

1、當(dāng)上溝道導(dǎo)通而下溝道沒有導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極不會有電流產(chǎn)生，且當(dāng)下溝道導(dǎo)通而上溝道導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極同樣也不會有電流產(chǎn)生；只有當(dāng)上溝道和下溝道同時導(dǎo)通時，給源極加電流時漏極才會有電流產(chǎn)生，即達(dá)到了上、下溝道同時導(dǎo)通的效果。因此，本方案提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵極薄膜晶體管中由于頂柵極和底柵極均與源極和漏極有重疊部分，從而造成上溝道和下溝道很難同時導(dǎo)通的問題，即采用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可以產(chǎn)生相對較穩(wěn)的電流/電壓，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

2、因為頂柵極與源極沒有重疊部分，減少了薄膜晶體管中一部分寄生電容的產(chǎn)生，提高了薄膜晶體管的性能，進而提高了AMOLED顯示屏的顯示性能。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用的雙柵極薄膜晶體管作為AMOLED背板時，由于該雙柵極薄膜晶體管中的上溝道和下溝道無法同時導(dǎo)通，而導(dǎo)致AMOLED顯示屏的顯示性能相對較低的問題。該方法的具體流程如圖19所示，該方法包括：

步驟1901：在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極。

步驟1902：在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道。

步驟1903：在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道。

步驟1904：在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極。

步驟1905：在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層。

步驟1906：在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，且所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分，所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體的制備方法與實施例1提供的薄膜晶體的制備方法相同，這里不再贅述。且應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法所獲得的有益效果，與前述應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管所獲得的有益效果相同或相似，為避免重復(fù)，這里也不再詳細(xì)說明。

圖20為本發(fā)明提供的薄膜晶體管的電壓-電流曲線與普通結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的電壓-電流曲線的對比圖，坐標(biāo)軸中的橫坐標(biāo)對應(yīng)的柵極電壓，縱坐標(biāo)為漏極產(chǎn)生的電流。且圖20中的本發(fā)明的薄膜晶體管是采用實施例1、實施例2、實施3和實施例4中任意薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具體地，通過大量實驗獲得的實施1、實施例2、實施例3和實施例4中薄膜晶體管的電壓-電流曲線，與圖20中的本發(fā)明的薄膜晶體管的電壓-電流曲線大致相同。

這里的普通結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管如圖21所示，具體包括：基板2101、底柵極2102、底柵極絕緣層2103、溝道2104、刻蝕阻擋層2105、源極2106和漏極2107，且圖21為現(xiàn)有技術(shù)中常用的底柵極的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

由圖21可知，當(dāng)柵極電壓大于2V時，本發(fā)明的薄膜晶體管對應(yīng)漏極產(chǎn)生的電流大約為普通結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管漏極產(chǎn)生的電流的5倍左右，且根據(jù)計算可得：本發(fā)明的薄膜晶體管的電子遷移率大約為46.0cm²/VS，普通結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的電子遷移率大于為19.3cm²/VS，即本發(fā)明的薄膜晶體管的電子遷移率大約為普通結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管電子遷移率的2.38倍。

因此，相對于現(xiàn)有技術(shù)中底柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，可以提高晶體管中的電子遷移能力。且由圖20可知，本發(fā)明的薄膜晶體管的電壓-電流曲線的形狀與底柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的電壓-電流曲線的形狀大致相同，說明應(yīng)用本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，并沒有給薄膜晶體管帶來其它不良的效果。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例而已，并不用于限制本發(fā)明。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。