1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：基板、底柵極、底柵極絕緣層、溝道、刻蝕阻擋層、源極、漏極、頂柵極絕緣層和頂柵極，其中，所述底柵極位于所述基板上，所述底柵極絕緣層位于所述底柵極上，所述溝道位于所述底柵極絕緣層上，所述刻蝕阻擋層位于所述溝道上，所述源極和漏極分別位于所述溝道的兩側，所述頂柵極絕緣層位于所述源極和漏極上，所述頂柵極位于所述頂柵極絕緣層上，且所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：
所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分，所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：
所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：
所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分，所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極和漏極與所述頂柵極和底柵極有重疊部分包括：
所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分，所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分。
6.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該方法包括：
在基板上沉積第一金屬膜，并對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極；
在所述底柵極上依次沉積底柵極絕緣膜和溝道膜，并分別對所述底柵極絕緣膜和溝道膜進行圖形化處理，形成底柵極絕緣層和溝道；
在所述溝道上沉積刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層用于保護所述溝道；
在所述溝道上沉積第二金屬膜，并對所述第二金屬膜進行圖形化處理，在所述溝道的兩端上分別形成源極和漏極；
在所述源極和漏極上沉積頂柵極絕緣層；
在所述頂柵極絕緣層上沉積第三金屬膜，并對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：
對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極或漏極有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：
對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極和漏極均有重疊部分。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：
對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極和漏極均有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：
對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極或漏極有重疊部分。
9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：
對所述第三金屬膜進行圖像化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述源極有重疊部分且與所述漏極沒有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：
對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述源極沒有重疊部分且與所述漏極有重疊部分。
10.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述源極和漏極與所述頂柵極或底柵極之一有重疊部分，包括：
對所述第三金屬膜進行圖形化處理，形成頂柵極，使得所述頂柵極與所述漏極有重疊部分且與所述源極沒有重疊部分，則對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極包括：
對所述第一金屬膜進行圖形化處理，形成底柵極，使得所述底柵極與所述漏極沒有重疊部分且與所述源極有重疊部分。