本發(fā)明涉及合成鈣鈦礦晶型的CsPbI3的方法,具體涉及一種通過雙氨基有機物制備熱穩(wěn)定鈣鈦礦CsPbI3的方法。
背景技術(shù):
近年來,鈣鈦礦太陽電池憑借令人矚目的光電轉(zhuǎn)換效率成為可再生能源領(lǐng)域的研究熱點,但是電池?zé)岱€(wěn)定性差的特點嚴(yán)重限制了其商業(yè)應(yīng)用。因此,研究如何提高鈣鈦礦材料的熱穩(wěn)定性具有十分重要的意義。
現(xiàn)有技術(shù)無法得到鈣鈦礦晶型的CsPbI3,所以CsPbI3一般僅被用作熒光材料。
通過對現(xiàn)有專利文獻的檢索發(fā)現(xiàn),申請?zhí)枮?01510657577.4的中國專利申請公開了一種制備鈣鈦礦薄膜的新方法,主要步驟為將制備的鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜經(jīng)有機胺處理,制備出鈣鈦礦薄膜。然而,該專利制備的鈣鈦礦存在熱穩(wěn)定性較差的問題,這給實際生產(chǎn)應(yīng)用帶來了很大的限制。
申請?zhí)枮?01510626699.7的中國專利申請公開了一種整體堆疊雙結(jié)鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。該電池包括寬、窄帶隙鈣鈦礦吸光層,其中,寬帶隙鈣鈦礦吸光層包括CsPbI3、CH3NH3SnIBr2、CH3NH3PbI2Br。然而,該專利中的鈣鈦礦薄膜存在穩(wěn)定性較差的問題,這也是現(xiàn)在鈣鈦礦太陽能電池一個普遍存在的問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,提供一種通過雙氨基有機物制備熱穩(wěn)定鈣鈦礦CsPbI3的方法,具體涉及通過雙氨基有機物來實現(xiàn)熱穩(wěn)定的鈣鈦礦晶型的CsPbI3的結(jié)構(gòu),使太陽能電池在光電轉(zhuǎn)換效率和熱穩(wěn)定性方面都獲得了良好的結(jié)果。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
第一方面,本發(fā)明涉及一種通過雙氨基有機物制備熱穩(wěn)定鈣鈦礦CsPbI3的方法,所述方法包括如下步驟:
S1、將HPbI3、CsI和EDAI2混合,溶于DMF溶劑中,得前驅(qū)體溶液A;
S2、將所述前驅(qū)體溶液A旋涂到鈣鈦礦基片上,旋涂后低溫退火,即得所述鈣鈦礦晶型的CsPbI3。
優(yōu)選的,所述HPbI3、CsI和EDAI2的摩爾比為1:1:0.0125~0.05。
優(yōu)選的,所述HPbI3、CsI和EDAI2的摩爾比為1:1:0.025。此時,熱穩(wěn)定效果和光電轉(zhuǎn)換效率最佳。
優(yōu)選的,所述HPbI3和DMF的用量比為0.5~1.5mmol:1mL。更優(yōu)選為1mmol:1mL。
優(yōu)選的,步驟S2中,所述旋涂的速度為4000rpm/min~6000rpm/min。
優(yōu)選的,步驟S2中,所述旋涂的時間為15~25s。
優(yōu)選的,步驟S2中,所述低溫退火為:采用90~100℃退火5~10分鐘。
優(yōu)選的,所述HPbI3是通過包括如下步驟的方法制備而得:
A1、取PbI2粉末溶于DMF溶劑,配成濃度為0.5~1.5mol/L(更優(yōu)選為1mol/L)的溶液;
A2、在冰浴、磁力攪拌條件下向所述溶液中緩慢滴加氫碘酸,控制氫碘酸與PbI2的物質(zhì)的量之比為1~1.5:1(更優(yōu)選為1.2:1);
A3、磁力攪拌1~3小時,在75~85℃條件下進行旋轉(zhuǎn)蒸發(fā),結(jié)晶出的物質(zhì)用乙醚反復(fù)洗滌,最后干燥得到所述HPbI3。
優(yōu)選的,所述EDAI2是通過包括如下步驟的方法制備而得:
B1、乙二胺和氫碘酸按1:1~1.5(更優(yōu)選為1:1.2)的物質(zhì)的量之比(摩爾比)混合;
B2、在55~65℃下旋轉(zhuǎn)蒸發(fā),用乙醇反復(fù)洗滌,最后干燥得到所述EDAI2。
第二方面,本發(fā)明還涉及一種前述的方法制得的鈣鈦礦晶型的CsPbI3在太陽能電池中的用途。
本發(fā)明通過將一定比例的HPbI3、CsI和EDAI2(乙二胺碘)溶于DMF溶液,隨后旋涂退火得到鈣鈦礦晶型的CsPbI3薄膜。采用此種處理方法得到的鈣鈦礦薄膜不僅光電轉(zhuǎn)換效率較高,而且具有很好的熱穩(wěn)定性。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下的有益效果:
1、本發(fā)明使用的碘化鉛(PbI2)、碘化銫(CsI)、氫碘酸(HI)、乙二胺(EDA)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)都是工業(yè)上常用原料,容易獲取;
2、本發(fā)明操作便捷,反應(yīng)快速,可以滿足規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)的需求;
3、通過本發(fā)明得到的鈣鈦礦材料的熱穩(wěn)定性比傳統(tǒng)的鉛鹵鈣鈦礦材料有大幅提高,且又保持了鈣鈦礦薄膜本身的性能。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述,本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
圖1為實施例1、2、3和對比例1所得材料的XRD圖;
圖2為實施例1、2、3和對比例1所得材料的SEM圖,顯示比例均為500nm;
圖3為實施例1、2、3和對比例1所得材料的開路電壓和時間的關(guān)系曲線圖;其中,曲線1為HPbI3+CsI,曲線2為HPbI3+CsI+0.0125EDAI2,曲線3為HPbI3+CsI+0.025EDAI2,曲線4為HPbI3+CsI+0.05EDAI2;
圖4為對比例1、2、3和對比例1所得材料的光電轉(zhuǎn)換效率圖;其中,曲線1-正向掃描:Jsc:14.36mA/cm2;Voc:1.12V;FF:0.51;PCE:8.20%;反向掃描:Jsc:14.53mA/cm2;Voc:1.15V;FF:0.71;PCE:11.86%。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明,但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是,對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
以下實施例中涉及的原料HPbI3、EDAI2(乙二胺碘)為自行合成。
HPbI3的制備:取一定量的PbI2粉末(純度不低于99.9%,否則難溶解)溶于DMF溶劑,配成濃度為1mol/L的溶液。然后在冰浴、磁力攪拌條件下向前述溶液中緩慢滴加氫碘酸(7.58mol/L),并控制HI與PbI2的物質(zhì)的量之比為1.2:1。隨后磁力攪拌2小時,在80℃條件下進行旋轉(zhuǎn)蒸發(fā),結(jié)晶出的物質(zhì)用乙醚反復(fù)洗滌,最后干燥得到HPbI3粉末。
EDAI2(乙二胺碘)的制備:乙二胺和氫碘酸按1:1.2的物質(zhì)的量之比混合,在60℃下旋轉(zhuǎn)蒸發(fā),用乙醇反復(fù)洗滌,最后干燥得到EDAI2粉末。
太陽能電池基片是在用濃鹽酸和鋅粉蝕刻的FTO玻璃上,先后噴涂TiO2致密層和旋涂TiO2多孔層而獲得的。
實施例1
本實施例涉及將一種混合物溶于DMF溶劑中,進而通過旋涂得到鈣鈦礦薄膜的方法,所述方法包括如下步驟:
1)將HPbI3、CsI(碘化銫)和EDAI2(乙二胺碘)按1:1:0.025的物質(zhì)的量之比(具體為:HPbI3 2mmol、CsI 2mmol、EDAI2 0.05mmol)溶于2mL DMF中得到溶液A;
2)將步驟1)所得到的溶液A在4000rpm、時間20s條件下旋涂到太陽能電池基片上,隨后在100℃熱臺上退火5分鐘,得到鈣鈦礦膜。
3)在鈣鈦礦膜上旋涂空穴傳輸層(HTM);在空穴傳輸層上蒸鍍對電極銀等。太陽能電池的制作工藝具體可參考現(xiàn)行文獻。
圖1提供了實施例1的X射線衍射圖譜,從中可以得出實施例1得到的鈣鈦礦膜的晶型仍為鈣鈦礦,且結(jié)晶性良好;圖2提供了實施例1的掃描電鏡照片,照片表明,鈣鈦礦薄膜表面致密。圖3提供了實施例1所得電池放置在60%濕度下15天前后電池的開路電壓和時間的關(guān)系,從中可以看出實施例1得到的鈣鈦礦薄膜非常穩(wěn)定,放置15后開路電壓僅有輕微下降。表1給出了實施例1的光電轉(zhuǎn)換效率為11.86%,這一結(jié)果比較可觀。
實施例2
本實施例方法同實施例1,區(qū)別在于HPbI3、CsI和EDAI2的比例為1:1:0.0125。根據(jù)圖3、4可以看出電池的穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率出現(xiàn)了輕微的下降。
實施例3
本實施例方法同實施例1,區(qū)別在于HPbI3、CsI和EDAI2的比例為1:1:0.05。根據(jù)圖3、4可以看出電池的穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率出現(xiàn)了更大幅度的下降。但總的來說,并不顯著。
對比例1
本對比例方法同實施例1,區(qū)別在于HPbI3、CsI和EDAI2的比例為1:1:0,即不加入EDAI2。根據(jù)圖3、4,所得的鈣鈦礦薄膜的穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率出現(xiàn)了顯著下降。
表1
以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是,本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改,這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。