1.一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，以帶有低溫u-GaN修復(fù)層及基底的襯底作為生長基礎(chǔ)，然后，在平整的u-GaN修復(fù)層表面依次生長其他各層外延，制備得到紫光LED外延片；最后將紫光LED外延片制成垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，包括以下步驟：
2.1)紫光LED外延片的P-GaN表面清洗后，對襯底進行研磨拋光，在P-GaN表面進行涂膠及激光劃片，再去除P-GaN表面的氧化層，用去離子水PM清洗干凈，氮氣吹干；
2.2)在P-GaN表面進行PM蒸鍍反射鏡電極，然后用光刻膠作P電極掩膜，進行PM腐蝕和去膠，然后用電子束蒸發(fā)臺帶膠蒸發(fā)沉積形成兼作歐姆接觸層和反射鏡的金屬層，再用去膠劑剝離光刻膠以形成P型金屬電極圖形，然后進行快速退火，退火溫度為350～450℃；
2.3)利用高溫金屬鍵合工藝，在N2環(huán)境下加壓將P-GaN面鍵合在硅或銅或鎢銅合金基板上；
2.4)利用激光剝離技術(shù)剝離襯底，剝離后進行清洗；
2.5)先對u-GaN進行刻蝕處理，對u-GaN面采用酸堿進行粗化處理，然后再對u-GaN表面處理，先采用光刻膠沉積二氧化硅掩膜作N電極，然后進行劃片槽光刻，經(jīng)過曝光后對劃片槽蝕刻，去膠去二氧化硅后再進行二氧化硅沉積，然后進行電極光刻，曝光后蝕刻二氧化硅；
2.6)再用電子束蒸發(fā)臺帶膠蒸發(fā)沉積形成N型電極金屬，再用去膠劑剝離光刻膠以形成N型金屬電極圖形，最終得到垂直結(jié)構(gòu)的LED。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，2.3)中，在紫光LED外延片的P-GaN表面、硅或銅或鎢銅合金基板表面分別蒸鍍一層1～2um的鍵合金屬，然后將預(yù)鍵合的樣品放入晶圓鍵合機中，在N2保護下按照設(shè)定的溫度及壓力參數(shù)進行鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述晶圓鍵合機中鍵合溫度為200～800℃，鍵合壓力為300N，時間為1h。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述鍵合過程中一邊清洗襯底，一邊對所述紫光LED芯片進行POD蒸度，然后將襯底和芯片外延層鍵合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，2.5)中，所述刻蝕具體為采用電感耦合等離子體蝕刻u-GaN外延片表面，ICP的功率為400～700W，反應(yīng)壓力為500～800Pa，反應(yīng)氣體為50sccm的Cl2和50sccm的氧氣，刻蝕時間為3200s，刻蝕后的u-GaN表面粗糙度RMS為0.15～0.18nm，再進行粗化處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述粗化處理具體為：
3.1)將u-GaN外延片清洗：依次放入丙酮超聲清洗2～5分鐘、酒精超聲清洗2～3分鐘，去離子水中進行超聲清洗2～3分鐘；
3.2)將u-GaN外延片使用加熱到200～260℃，后將加熱到熔融狀態(tài)的KOH均勻涂抹在GaN外延片表面，將微波加熱使溫度穩(wěn)定在250℃，持續(xù)腐蝕8～10分鐘；
3.3)關(guān)閉加熱，自然冷卻到室溫后再用去離子水清洗GaN外延片表面的KOH。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述激光剝離技術(shù)具體為：采用逐點剝離工藝，波長248nm、光斑尺寸為2mm×2mm的正方形光斑、能量密度為500mJ/cm2的KrF準(zhǔn)分子激光器的激光作輻照光源，從藍寶石一側(cè)掃描整個樣品，移動速度為1.55mm/s，激光掃描完樣品后，藍寶石襯底脫落，用1：1的HCI浸泡樣品，除去GaN上的金屬Ga。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述紫光LED外延片的制備包括以下步驟：
1.1)在1070～1090℃溫度下、壓力為150torr下通N2烘烤10～30min，氮化藍寶石、SiC或Si襯底，襯底厚度為430～450μm；
1.2)將步驟1氮化后的藍寶石、SiC或Si襯底降溫至515～535℃、壓力為800torr，然后在襯底上生長厚度為15～35nm的基底，隨后升溫至1030～1050℃、壓力為400torr使基底重新結(jié)晶，再生長1.8～2.5μm的u-GaN修復(fù)層；
1.3)升溫至1070～1090℃、壓力為200torr先生長輕Si摻雜的n-GaN層，厚度為500～600nm，再生長重Si摻雜的n-GaN層，厚度為300～400nm；
1.4)在所述重Si摻雜n-GaN層的基礎(chǔ)上生長n-AlGaN電流擴展層，厚度為80～240nm；
1.5)在n-AlGaN層的基礎(chǔ)上生長Si摻雜的n+GaN層，厚度為2～4μm，隨后生長不摻Si的n-GaN層500～600nm；
1.6)在阱的生長溫度740～760℃，壘的生長溫度為820-840℃、壓力為200torr下生長10～20個周期的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，再生長8個周期Al摻雜的InGaN/AlGaN；所述多量子阱層厚度為250～350nm；
1.7)升溫至960～980℃，壓力為150torr生長PAlGaN層，厚度為1～200nm；降溫至920～940℃，壓力為150torr生長輕Mg摻雜的P+GaN層，厚度為0.1～0.2μm；生長重Mg摻雜的P++GaN層，厚度為5～20nm；
1.8)生長CTL層，厚度為10～30nm，生長完畢后，降溫至700～730℃進行退火60-120min，之后隨爐冷卻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，1.6)中，所述先生長10～20個周期厚度為80～120nm的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，具體為：先生長30～40nm的GaN-cap層，再生長5～15nm的barrierGaN層，最后生長1.5～5nm的InGaN阱層；
所述再生長8個周期厚度為100～150nm的Al摻雜的InGaN/AlGaN，具體為：先生長5～15nm的barrierInGaN層，再生長1.5～5nm的AlGaN阱層，最后生長30～40nm的GaN-cap層。