技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法以帶有低溫u?GaN修復(fù)層及基底的襯底作為生長基礎(chǔ)，然后，在平整的u?GaN表面依次生長其他各層外延，制備得到紫光LED外延片；最后將紫光LED外延片制成垂直結(jié)構(gòu)LED，主要包括以下環(huán)節(jié)：在LED外延片表面沉積形成反射鏡，并制出金屬電極圖形，利用高溫金屬鍵合工藝將金屬電極圖形表面鍵合在金屬基板上，并利用激光剝離技術(shù)剝離襯底；在u?GaN表面制出另一極金屬電極圖形。本發(fā)明制備的垂直結(jié)構(gòu)LED單顆芯片功率較大，減少了串并聯(lián)LED數(shù)量，可以實現(xiàn)以單芯片滿足用戶需求，同時簡化驅(qū)動電路設(shè)計，大大提高LED產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：田偉;劉波波;田進;趙俊;李誼
受保護的技術(shù)使用者：中聯(lián)西北工程設(shè)計研究院有限公司
文檔號碼：201610796255
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.01.11