技術(shù)總結(jié)
本公開總體上涉及一種用于存儲器件的電部件的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)以及制造方法。例如,在蝕刻停止層上沉積導(dǎo)電材料和絕緣材料層的交替的層,以構(gòu)造垂直堆疊體,穿過蝕刻溝槽穿過垂直堆疊體,以暴露蝕刻停止層,基于所需的電性能,使用電鍍材料電鍍導(dǎo)電層,以及形成導(dǎo)電層中的每一個(gè)的電鍍材料之間的連接。
技術(shù)研發(fā)人員:C·R·邦霍特;J·利勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者:HGST荷蘭公司
文檔號碼:201610826808
技術(shù)研發(fā)日:2016.06.30
技術(shù)公布日:2017.06.13