技術(shù)特征：

1.一種QLED器件，包括依次設(shè)置的襯底、底電極、空穴功能層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子功能層和頂電極，其特征在于，所述空穴功能層、所述電子功能層均由無機(jī)材料制成，且所述空穴功能層和/或所述電子功能層采用MOCVD法制備獲得，其中，所述空穴功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的至少一層，所述電子功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的至少一層。

2.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能層為p型In_xGa_1-xN、p型GaN:Mg、p型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y、p型Al_xGa_1-xN中的至少一種形成的材料層，其中，所述x、y的取值范圍滿足：0≤x≤1，0≤y≤1，

且當(dāng)所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型In_xGa_1-xN時(shí)，各層x的取值范圍不同；

當(dāng)所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y時(shí)，各層x的取值范圍不同，各層y的取值范圍不同；

當(dāng)所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型GaN:Mg時(shí)，各層Mg的摻雜濃度不同；

當(dāng)所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的兩層或三層同為p型Al_xGa_1-xN時(shí)，各層x的取值范圍不同。

3.如權(quán)利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能層的厚度D1滿足：0＜D1≤1000nm。

4.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述電子功能層為無機(jī)納米氧化鋅、n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)、n型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y、n型GaSb、n型Al_xGa_1-xN中的至少一種形成的材料層，其中，所述x、y的取值范圍滿足：0≤x≤1，0≤y≤1，

且當(dāng)所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y時(shí)，各層x的取值范圍不同，各層y的取值范圍不同；

當(dāng)所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，各層Si的摻雜濃度不同；

當(dāng)所述電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的兩層或三層同為n型Al_xGa_1-xN時(shí)，各層x的取值范圍不同。

5.如權(quán)利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述電子功能層的厚度D2滿足：0＜D2≤1000nm。

6.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能層為p型In_xGa_1-xN、p型GaN:Mg、p型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y、p型Al_xGa_1-xN中的至少一種形成的材料層，所述電子功能層為無機(jī)納米氧化鋅、n型GaN:Si/GaN雙層結(jié)構(gòu)、n型Al_xGa_1-xAs_yP_1-y、n型GaSb、n型Al_xGa_1-xN中的至少一種形成的材料層，其中，所述x、y的取值范圍滿足：0≤x≤1，0≤y≤1，且所述空穴功能層和所述電子功能層均采用MOCVD法制備獲得。

7.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層由紅色量子點(diǎn)CdSe/ZnS制成，且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In_0.8Ga_0.2N，所述電子傳輸層為無機(jī)納米氧化鋅。

8.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層由藍(lán)色量子點(diǎn)CdZnS/ZnS制成，且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In_0.2Al_0.8N，所述電子傳輸層為MOCVD法制備的Al_0.6Ga_0.4As_0.6P_0.4。

9.如權(quán)利要求1-5任一所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層由綠色量子點(diǎn)CdSe/ZnSe/ZnS制成，且所述空穴傳輸層為MOCVD法制備的In_0.2Ga_0.8N，所述電子傳輸層為MOCVD法制備的In_0.1Ga_0.9As_0.8P_0.2。