技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED器件，包括依次設(shè)置的襯底、底電極、空穴功能層、量子點發(fā)光層、電子功能層和頂電極，所述空穴功能層、所述電子功能層均由無機材料制成，且所述空穴功能層和/或所述電子功能層采用MOCVD法制備獲得，其中，所述空穴功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的至少一層，所述電子功能層包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的至少一層。本發(fā)明提供的QLED器件，提高了器件效率、穩(wěn)定性和使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇
受保護的技術(shù)使用者：TCL集團股份有限公司
文檔號碼：201610830088
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.18
技術(shù)公布日：2017.01.11