技術(shù)特征：

1.一種ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一浮柵；

位于浮柵上的底層氧化層；

位于底層氧化層上的氮化硅層；

位于氮化硅層上的頂層氧化層；

位于頂層氧化層上的控制柵；其中，

所述底層氧化層的材料為Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂；和/或所述頂層氧化層的材料為Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂，但底層氧化層的材料和頂層氧化層的材料不能同時(shí)為SiO₂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層氧化層、所述氮化硅層和所述頂層氧化層的厚度的比例為1:(1～1.5):(1.5～2)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層氧化層的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂層氧化層的厚度為

6.一種權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

步驟01：提供一具有浮柵的襯底；

步驟02：在浮柵上沉積底層氧化層；

步驟03：在底層氧化層上沉積氮化硅層；

步驟04：在氮化硅層上沉積頂層氧化層；

步驟05：在氧化硅層上沉積控制柵；其中，所述底層氧化層的材料為Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂；和/或所述頂層氧化層的材料為Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂，但底層氧化層的材料和頂層氧化層的材料不能同時(shí)為SiO₂。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟02中，采用原子層沉積法來沉積Al₂O₃，或采用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積法來沉積Ta₂O₅，或采用爐管熱氧化工藝來沉積SiO₂。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟03中，采用低壓氣相沉積法來沉積氮化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟04中，采用原子層沉積法來沉積Al₂O₃，或采用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積法來沉積Ta₂O₅，或采用爐管熱氧化工藝來沉積SiO₂。