技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種提供了ONO多晶硅間介質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其包括：浮柵；位于浮柵上的底層氧化層；位于底層氧化層上的氮化硅層；位于氮化硅層上的頂層氧化層；位于頂層氧化層上的控制柵；其中，底層氧化層的材料為Al2O3、Ta2O5或SiO2；和/或頂層氧化層的材料為Al2O3、Ta2O5或SiO2，但底層氧化層的材料和頂層氧化層的材料不能同時為SiO2。本發(fā)明可以在不降低其它性能的基礎(chǔ)上提高GCR，從而提升疊柵flash器件編程和擦除能力。

技術(shù)研發(fā)人員：盧普生;陳昊瑜;姬峰
受保護的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
文檔號碼：201610833495
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.20
技術(shù)公布日：2016.12.07