1.一種SOI片的制備方法，在兩片單晶硅片中至少一片上形成氧化膜，從其中一片單晶硅片構(gòu)成的接合晶圓的表面注入氫離子或稀有氣體離子來(lái)形成離子注入層，再將該接合晶圓的離子注入過(guò)的表面與由另一片單晶硅片構(gòu)成的基底晶圓表面通過(guò)氧化膜鍵合，然后進(jìn)行剝離熱處理，在所述離子注入層將接合晶圓剝離，最后進(jìn)一步施加熱處理，牢固地結(jié)合兩片單晶硅片，使剝離產(chǎn)生的頂層單晶Si薄膜層表面平坦化，其特征在于，包括如下步驟：
(a)在剝離產(chǎn)生的頂層單晶Si薄膜層上沉積非晶硅，然后在800℃～1000℃的溫度下加熱，使非晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅，與頂層單晶Si薄膜層一起成為Si覆蓋層；
(b)氧化步驟(a)產(chǎn)生的Si覆蓋層表面形成硅氧化層，然后氫氟酸去除硅氧化層；
(c)將步驟(b)所得SOI片裝入密封反應(yīng)室，依次通入H2與無(wú)水HCl氣體刻蝕頂層單晶Si薄膜層，最后通入一段時(shí)間N2后，取出SOI片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI片的制備方法，其特征在于：兩片單晶硅片中至少一片表面實(shí)施等離子處理后，通過(guò)所述氧化膜進(jìn)行鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI片的制備方法，其特征在于：步驟(a)沉積非晶硅采用低壓化學(xué)氣相沉積法。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI片的制備方法，其特征在于：步驟(b)氧化由熱氧化實(shí)現(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOI片的制備方法，其特征在于：步驟(b)熱氧化溫度900℃～1000℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI片的制備方法，其特征在于：步驟(c)通無(wú)水HCl氣體的純度>99.999％，刻蝕溫度800℃～1000℃，時(shí)間1min～1.5min。