技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及SOI晶圓的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種SOI片的制備方法，該方法對現(xiàn)有智能剝離技術(shù)進行改進，包括如下步驟：(a)在剝離產(chǎn)生的單晶Si薄膜層上沉積非晶硅，然后在800℃～1000℃的溫度下加熱；(b)氧化步驟(a)產(chǎn)生的硅表面形成硅氧化層，然后氫氟酸去除硅氧化層；(c)將步驟(b)所得SOI片裝入密封反應(yīng)室，依次通入H2與無水HCl氣體，最后通入一段時間N2后，取出SOI片。該方法制得的SOI片頂層單晶Si薄膜膜厚均勻性好，表面粗糙度小，質(zhì)量優(yōu)良。

技術(shù)研發(fā)人員：王文慶
受保護的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運營管理有限公司
文檔號碼：201610844379
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.05.10