本發(fā)明涉及柔性印刷顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種印刷用柔性襯底、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)：

在QLED和OLED顯示工藝開發(fā)過程中的印刷顯示由于其應(yīng)用領(lǐng)域廣、制備成本低等優(yōu)點(diǎn)在未來的柔性顯示領(lǐng)域中備受人們的關(guān)注與青睞。

目前柔性顯示面板技術(shù)較為成熟的技術(shù)是基于TFT(場效應(yīng)晶體管)的柔性顯示，然而這些技術(shù)都是利用真空蒸鍍技術(shù)來完成的，成本較高，距離實(shí)現(xiàn)真正的大面積可彎折仍然需要很多技術(shù)問題需要突破。然而針對QLED和OLED的柔性印刷顯示技術(shù)的開發(fā)主要集中在印刷模板的制備和相應(yīng)印刷材料的開發(fā)，基于現(xiàn)有技術(shù)制備得到的印刷模板都是帶有陣列的條形溝槽襯底，通過油墨打印技術(shù)在條形溝槽內(nèi)打印等間距的像素點(diǎn)，此類模板的每一個溝槽的印刷點(diǎn)只能控制印刷器件像素點(diǎn)的橫向邊緣整齊度，但其縱向邊緣的整齊度會因打印的油墨容易出現(xiàn)咖啡環(huán)，進(jìn)而會導(dǎo)致縱向邊緣不整齊，也會影響整個像素點(diǎn)的面積，同時也會造成整個柔性顯示面板的效果。利用此印刷模板制備得到的顯示面板其溝槽內(nèi)存在空白區(qū)域，因此在對整個顯示面板進(jìn)行封裝時要求抽真空的條件較高，封裝難度較大；另外，利用此襯底制備得到的無論是QLED還是OLED器件由于其發(fā)光層是平整的，然而相應(yīng)的電流效率會因光散射而造成出光損失，從而造成測試的器件電流效率低于實(shí)際的電流效率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種印刷用柔性襯底、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中打印像素點(diǎn)的縱向邊緣不整齊、柔性顯示面板進(jìn)行封裝時要求抽真空條件高以及因光散射造成電流效率低于實(shí)際電流效率影響的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種印刷用柔性襯底，其中，包括柔性透明導(dǎo)電襯底、位于所述柔性透明導(dǎo)電襯底上方的第一柔性透明絕緣襯底、位于第一柔性透明絕緣襯底上方的第二柔性透明絕緣襯底；所述第一柔性透明絕緣襯底上分布有若干深入到所述柔性透明導(dǎo)電襯底中的第一凹槽，所述第二柔性透明絕緣襯底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽與所述第二凹槽上下對應(yīng)設(shè)置，使第一柔性透明絕緣襯底與第二柔性透明絕緣襯底無縫拼接。

所述的印刷用柔性襯底，其中，所述第一柔性透明絕緣襯底和第二柔性透明絕緣襯底均為聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜或聚乙烯醇膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚苯乙烯膜、聚氯乙烯膜、聚α-甲基苯乙烯樹脂膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚碳酸亞丙酯膜、天然橡膠膜、丁腈橡膠膜、硅膜、碳化硅膜、硫化砷膜、二氧化硅膜、丁基橡膠膜、異戊二烯橡膠膜、酚醛樹脂膜、丁苯橡膠膜、低密度聚乙烯膜、線性低密度聚乙烯膜中的一種或多種。

所述的印刷用柔性襯底，其中，所述柔性透明導(dǎo)電襯底為石墨烯、金屬薄片、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、硒化鉍納米薄片、碲化鉍納米薄片，碲化銻納米薄片中的一種或多種。

所述的印刷用柔性襯底，其中，所述第一凹槽為半球狀凹槽，所述第二凹槽為圓柱狀凹槽。

所述的印刷用柔性襯底，其中，所述半球狀凹槽內(nèi)填滿有透明電極材料。

一種印刷用柔性襯底的制備方法，其中，包括步驟：

A1、先在第一柔性透明絕緣襯底上生長柔性透明導(dǎo)電襯底，然后對第一柔性透明絕緣襯底進(jìn)行刻蝕，得到若干深入到所述柔性透明導(dǎo)電襯底中的第一凹槽；同時，在第二柔性透明絕緣襯底上直接進(jìn)行刻蝕，得到若干第二凹槽，其中所述第一凹槽與所述第二凹槽上下對應(yīng)設(shè)置；

A2、將第一柔性透明絕緣襯底與第二柔性透明絕緣襯底按照第一凹槽和第二凹槽的位置進(jìn)行無縫拼接，制備得到印刷用柔性襯底；然后對所述印刷用柔性襯底進(jìn)行壓印處理，完成制備。

所述印刷用柔性襯底的制備方法，其中，所述步驟A1中，先對第一柔性透明絕緣襯底進(jìn)行刻蝕，得到若干圓柱狀的第一凹槽；然后進(jìn)行壓印處理，得到末端為半球狀的第一凹槽。

所述印刷用柔性襯底的制備方法，其中，在所述步驟A1中，通過真空蒸鍍的手段對第一凹槽蒸鍍一層透明電極材料。

一種量子點(diǎn)發(fā)光二級管的制備方法，其中，包括步驟：

A、在如上任一所述的印刷用柔性襯底上制備空穴傳輸層；

B、接著在空穴傳輸層上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；

C、然后在量子點(diǎn)發(fā)光層上制備電子傳輸層；

D、最后在電子傳輸層上蒸鍍陰極層，然后進(jìn)行封裝，得到量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管自下而上依次包括陽極層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層及陰極層，其中所述陽極層采用如上任一所述的印刷用柔性襯底。

有益效果：本發(fā)明利用柔性透明導(dǎo)電襯底和柔性透明絕緣襯底制備得到的具有陣列柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的印刷用柔性襯底，不僅可以解決打印像素點(diǎn)的縱向邊緣不整齊，以及每個像素點(diǎn)封裝難度大、要求抽真空條件高的問題。利用此襯底制備得到的QLED器件發(fā)光層是平整的，從而有效減弱因光散射造成電流效率低于實(shí)際電流效率的影響等問題，進(jìn)而提高了QLED器件的效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種印刷用柔性襯底制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖2為本發(fā)明一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中一種印刷用柔性襯底制備方法的流程圖。

圖4為圖3中部件3的放大圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種印刷用柔性襯底、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明的一種印刷用柔性襯底，其包括柔性透明導(dǎo)電襯底、位于所述柔性透明導(dǎo)電襯底上方的第一柔性透明絕緣襯底、位于第一柔性透明絕緣襯底上方的第二柔性透明絕緣襯底；所述第一柔性透明絕緣襯底上分布有若干深入到所述柔性透明導(dǎo)電襯底中的第一凹槽，所述第二柔性透明絕緣襯底上分布有若干第二凹槽，所述第一凹槽與所述第二凹槽上下對應(yīng)設(shè)置，使第一柔性透明絕緣襯底與第二柔性透明絕緣襯底無縫拼接。

本發(fā)明所述第一柔性透明絕緣襯底和第二柔性透明絕緣襯底可以為但不限于聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜或聚乙烯醇膜、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）膜、聚苯乙烯膜（PS）、聚氯乙烯膜、聚α- 甲基苯乙烯樹脂膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚碳酸亞丙酯膜、天然橡膠（NR）膜、丁腈橡膠（NBR）膜、硅（Si）膜、碳化硅膜（SiC）、硫化砷膜（As₂S₃）、二氧化硅膜（SiO₂） 、丁基橡膠膜 （IIR）、異戊二烯橡膠膜（IR）、酚醛樹脂膜（PF）、丁苯橡膠膜（SBR）、低密度聚乙烯膜（LDPE）、線性低密度聚乙烯膜（LLDPE）中的一種或多種。所述柔性透明導(dǎo)電襯底可以為但不限于石墨烯、金屬薄片、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯(PC)、 聚酰亞胺(PI)、硒化鉍（Bi₂Se₃）納米薄片，碲化鉍（Bi₂Te₃）納米薄片，碲化銻（Sb₂Te₃）納米薄片中的一種或多種。

本發(fā)明所述柔性透明導(dǎo)電襯底可以采用真空沉積、液相生長、外延生長等方法與第一柔性透明絕緣襯底形成具有明顯分層結(jié)構(gòu)的柔性透明襯底。其中，所述柔性透明襯底的下層為導(dǎo)電部分，上層為絕緣部分，所述柔性透明襯底的導(dǎo)電部分相對較薄。

本發(fā)明所述半球狀凹槽內(nèi)填滿有透明電極材料。這種透明電極材料因是半球狀結(jié)構(gòu)，能夠有效的減弱光從透明電極材料出光因反射造成的光損失，從而提高出光效率。所述透明電極材料可以為氧化銦錫、鋁摻雜氧化鋅中的一種或兩種。

本發(fā)明提供一種印刷用柔性襯底的制備方法較佳實(shí)施例，如圖1所示，包括步驟：

S1、先在第一柔性透明絕緣襯底上生長柔性透明導(dǎo)電襯底，然后對第一柔性透明絕緣襯底進(jìn)行刻蝕，得到若干深入到所述柔性透明導(dǎo)電襯底中的第一凹槽；同時，在第二柔性透明絕緣襯底上直接進(jìn)行刻蝕，得到若干第二凹槽，其中所述第一凹槽與所述第二凹槽上下對應(yīng)設(shè)置；

具體地，對第一柔性透明絕緣襯底進(jìn)行刻蝕(如離子束刻蝕)，得到若干圓柱狀的深入到所述柔性透明導(dǎo)電襯底中的第一凹槽。該圓柱狀的第一凹槽厚度大于第一柔性透明絕緣襯底厚度，圓柱狀的第一凹槽厚度小于整個柔性透明襯底的厚度。然后對所述圓柱狀的第一凹槽進(jìn)行壓印處理，得到末端為半球狀的第一凹槽。本發(fā)明在進(jìn)行壓印處理時，所利用的壓印工具的末端是凸起的半球狀。

進(jìn)一步地，本發(fā)明還通過真空蒸鍍的手段對所述末端為半球狀的第一凹槽蒸鍍一層透明電極材料填滿半球狀部分，這種透明電極材料因是半球狀結(jié)構(gòu)，能夠有效的減弱光從透明電極材料出光因反射造成的光損失，從而提高出光效率。所述透明電極材料可以為氧化銦錫、鋁摻雜氧化鋅中的一種或兩種。

S2、將第一柔性透明絕緣襯底與第二柔性透明絕緣襯底按照第一凹槽和第二凹槽的位置進(jìn)行無縫拼接，制備得到印刷用柔性襯底；然后對所述印刷用柔性襯底進(jìn)行壓印處理，完成制備。

上述步驟S2中，將帶有陣列半球狀電極材料的第一柔性透明絕緣襯底與利用離子束刻蝕得到的具有陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的第二柔性透明絕緣襯底進(jìn)行無縫拼接，制備得到印刷用柔性襯底，然后對拼接后得到的印刷用柔性襯底進(jìn)行壓印處理，以保證上述兩種襯底拼接完整，最后利用印刷用柔性襯底進(jìn)行后續(xù)的QLED或OLED的制備。所述印刷用柔性襯底的功能是作為QLED或OLED器件的電極。

本發(fā)明利用柔性透明導(dǎo)電襯底和柔性透明絕緣襯底制備得到的具有陣列柱狀凹槽的印刷用柔性襯底，不僅可以解決打印像素點(diǎn)的縱向邊緣不整齊，以及每個像素點(diǎn)封裝難度大，要求抽真空條件高的問題，同時也可以減弱因光散射造成電流效率低于實(shí)際電流效率的影響等問題。

本發(fā)明利用印刷用柔性襯底進(jìn)行后續(xù)的QLED的制備。在制備QLED之前，本發(fā)明預(yù)先配制QLED各個功能層墨水。QLED各個功能層墨水所采用的溶劑包括但不限于氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1,4- 二氧雜環(huán)己烷、1,2 二氯乙烷、1,1,1- 三氯乙烷、1,1,2,2- 四氯乙烷、四氫萘、萘烷中的一種或多種。下面對QLED的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。

本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法較佳實(shí)施例，如圖2所示，包括步驟：

S100、在如上任一所述的印刷用柔性襯底上制備空穴傳輸層；

上述步驟中，所述空穴傳輸層的材料可以為但不限于氧化鎳、氧化鎢、氧化鉬、氧化鉻、氧化釩、p型氮化鎵、MoS₂、WS₂、WSe₂、MoSe₂、自聚乙撐二氧噻吩- 聚(苯乙烯磺酸鹽)、摻雜聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-雙（4-丁基苯基）-N,N'- 雙（苯基）聯(lián)苯胺]、聚[（9,9- 二辛基芴-2,7-二基）- 共-（4,4'-（N-（4-仲丁基苯基）二苯胺）]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9- 二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3] 噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9- 咔唑)聯(lián)苯、4,4',4''-三( 咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'- 聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-雙-（1-萘基）-N,N'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺組成中的至少兩種。

S200、接著在空穴傳輸層上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；

上述步驟中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料包括二元相、三元相和四元相量子點(diǎn)，其中二元相量子點(diǎn)可以為但不限于CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS，三元相量子點(diǎn)可以為但不限于Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X，四元相量子點(diǎn)可以為但不限于Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、 PbSe_XS_1-X/ZnS。

S300、然后在量子點(diǎn)發(fā)光層上制備電子傳輸層；

上述步驟中，所述電子傳輸層的材料可以為但不限于ZnO、TiO₂、SnO、ZrO₂、Ta₂O₃。

S400、最后在電子傳輸層上蒸鍍陰極層，然后進(jìn)行封裝，得到發(fā)光二極管。

上述步驟中，利用噴涂的方法噴涂UV膠進(jìn)行封裝。封裝過程使用的UV膠包括但不限于環(huán)氧樹脂、硅膠、環(huán)氧、丙烯酸、氰基丙烯酸中的一種。

本發(fā)明還提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管自下而上依次包括如上任一所述的印刷用柔性襯底、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層及陰極層。

本發(fā)明印刷用柔性襯底不僅能夠應(yīng)用于QLED的制備，還可應(yīng)用于OLED的制備。在制備OLED之前，本發(fā)明預(yù)先配制OLED各個功能層墨水。OLED各個功能層墨水所采用的溶劑包括但不限于氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、1,4- 二氧雜環(huán)己烷、1,2 二氯乙烷、1,1,1- 三氯乙烷、1,1,2,2- 四氯乙烷、四氫萘、萘烷中的一種或多種。

與上述QLED各功能層不同的是，本發(fā)明的OLED采用有機(jī)小分子發(fā)光層取代QLED中的量子點(diǎn)發(fā)光層。本發(fā)明OLED中的有機(jī)小分子發(fā)光層的材料包括聚苯類及其衍生物、聚對亞苯（PPP）及其衍生物類、聚噻吩（PAT）及其衍生物、聚吡咯（PAP）及其衍生物、聚吡啶（PPY）及其衍生物、聚苯乙炔類及其衍生物、聚對苯乙炔（PPV）及其衍生物、聚噻吩乙炔（PTV）、聚萘乙炔（PNV）及其衍生物、聚吡啶乙炔（PPYV）及其衍生物類等不限于此。OLED中的陰極層的材料為Al、LiF/Al、Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ag、Ca/Ag、BaF₂、BaF₂/Al、BaF₂/Ag、BaF₂/Ca/Al、BaF₂/Ca、Ag、Mg、CsF/Al、CsCO₃/Al等 組成中的一種或多種。與上述QLED的制備方法類似，本發(fā)明OLED的詳細(xì)制備方法在此不再進(jìn)行贅述。

下面通過一實(shí)施例對本發(fā)明的一種印刷用柔性襯底的制備方法及印刷用柔性襯底的應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)說明。

本實(shí)施例中利用柔性透明碳化硅襯底通過外延技術(shù)生長石墨烯，與碳化硅襯底通過離子束與壓印技術(shù)、蒸鍍技術(shù)制備所需要的印刷用柔性襯底。結(jié)合圖3所示，其制備過程如下：

1、碳化硅（SiC）襯底的制備如下：

采用Si(111)襯底，其電阻率10歐姆每厘米，厚度380μm。在放入真空室前，Si襯底經(jīng)過了一系列的化學(xué)方法處理。具體步驟如下：

1）、使用分析純的甲苯、四氯化碳、丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗3min。

2）、在濃硫酸和雙氧水混合液內(nèi)浸泡5min。

3）、在4%的HF溶液浸泡以刻蝕掉表面的原生氧化層。

4）、用去離子水沖洗數(shù)次并用高純氮?dú)獯蹈珊?，迅速放入到真空室?/p>

在生長SiC之前，Si襯底先于300℃退火一小時去除吸附的水蒸氣和其它氣體，然后Si襯底溫度升高到630℃，生長Si緩沖層。用這種方法可以獲得有序、清潔的Si襯底表面。

5）、在Si襯底溫度為720℃時碳（C）化30min。

6）、將Si襯底溫度升高至1100℃，共同蒸發(fā)Si和C，生長SiC襯底，圖3中1為SiC襯底，生長時間100min，SiC襯底厚度約10-500nm（優(yōu)選地400nm）。

2、碳化硅（SiC）襯底上外延生長石墨烯的制備如下：

碳化硅襯底放入真空前，進(jìn)行清洗：

1）、使用分析純的四氯化碳、丙酮、乙醇、去離子水超聲多次清洗，將表面吸附的有機(jī)物去除。

2）、用濃硫酸和雙氧水混合液（體積比1:1）浸泡5min 后并用去離子水沖洗，去除表面的氧化物、金屬和有機(jī)雜質(zhì)。

3）、用5%的氫氟酸溶液刻蝕表面3min，去除表面的氧化層最后用去離子水沖洗數(shù)次。

4）、用高純氮?dú)獯蹈?，迅速放入真空室?/p>

5）、碳化硅襯底溫度升高到300℃去除表面的水蒸氣。

6）、保持碳化硅襯底750℃下蒸Si （Si束流0.3nm/min），沉積時間約5min。

7）、停止蒸Si后升高溫度到1300℃，并保持退火時間為10min，然后自然降溫到室溫，得到厚度為400nm的石墨烯層，圖3中2為石墨烯層。

3、具有陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的柔性透明襯底(圖3中3為陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的柔性透明襯底，圖4為陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的柔性透明襯底的放大圖)的制備如下：

1) 、將制備得到的具有石墨烯層的SiC襯底進(jìn)行清洗過后，對SiC層進(jìn)行離子束刻蝕（具體的刻蝕參數(shù)依據(jù)不同的設(shè)備而定），加工出具有陣列圓柱狀直徑在400nm的凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽的深度大于SiC的厚度，小于整個含有石墨烯與SiC襯底的厚度。

2）將刻蝕后的襯底進(jìn)行一系列清洗后用高純氮?dú)獯蹈?，迅速放入真空室?nèi)，然后采用200℃退火處理去除凹槽內(nèi)的水蒸氣。

4、利用壓印工具(壓印工具的末端是凸起的半球狀)對陣列圓柱狀凹槽進(jìn)行壓印，得到具有陣列半球狀凹槽結(jié)構(gòu)的柔性透明襯底4，并通過真空蒸鍍ITO填滿半球狀凹槽。

1）、對上述3中具有陣列圓柱狀凹槽的柔性透明襯底進(jìn)行壓印，所采用的壓印工具是末端帶有凸起的半球狀，其半球的直徑與圓柱狀的直徑一致，在一定的條件下利用這種壓印工具對陣列圓柱狀的凹槽進(jìn)行壓印，得到的半球狀凹槽部分是在柔性石墨烯層當(dāng)中。

2）、將壓印后的襯底進(jìn)行一系列的清洗后用高純氮?dú)獯蹈?，迅速放入真空室?nèi)，在一定的實(shí)驗(yàn)條件下進(jìn)行真空蒸鍍氧化銦錫（ITO）直到ITO填滿整個半球凹槽以及碳化硅（SiC）內(nèi)的柱狀凹槽停止蒸鍍，然后取出。

5. 具有陣列圓柱狀凹槽的絕緣襯底膜進(jìn)行無縫拼接：

1）、對步驟1中得到的同樣碳化硅柔性透明襯底采用相同的刻蝕條件（與步驟3的刻蝕條件一樣）進(jìn)行刻蝕，得到的柔性透明襯底同樣具有陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)，如圖3中5所示，其中圓柱狀凹槽的直徑和體積和步驟3得到的完全一致。

2）、將帶有陣列圓柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的碳化硅柔性透明襯底進(jìn)行對稱拼接，保證底部的ITO與圓柱狀的孔相對應(yīng)，得到拼接后的柔性透明襯底，如圖3中6所示。對拼接后的柔性透明襯底6利用平整的壓印模具以一定的力進(jìn)行壓印，制備得到印刷用柔性襯底7。壓印處理一方面保證兩種柔性透明襯底接觸緊密，另一方面也趕走因拼接不緊密所引起的空氣成分在柔性襯底里。

6、發(fā)光二級管的制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述：

1）、制備發(fā)光二極管功能層的油墨：PEDOT:PSS空穴傳輸層油墨、CdSe/ZnS紅色量子點(diǎn)發(fā)光層油墨、ZnO納米顆粒電子傳輸層油墨。

2）、利用噴墨打印機(jī)先打印PEDOT:PSS空穴傳輸層油墨，然后采用150℃退火30min，徹底去除油墨內(nèi)的溶劑和水蒸氣，在打印CdSe/ZnS紅色量子點(diǎn)發(fā)光層油墨，采用階梯化溫度進(jìn)行退火處理80℃、100℃、120℃、150℃、180℃分別退火 10min。最后再打印ZnO納米顆粒電子傳輸層油墨，采用150℃退火30min。

3）、利用真空沉積的方法蒸鍍Al電極作為QLED的陰極，同時也是整個柔性面板的陰極。最后利用噴涂的方法它對整個柔性面板噴涂環(huán)氧樹脂UV膠進(jìn)行封裝，制備得到所述發(fā)光二極管。圖5為本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，本發(fā)明發(fā)光二極管從下而上依次包括印刷用柔性襯底8，空穴傳輸層9、量子點(diǎn)發(fā)光層10、電子傳輸層11以及陰極層12。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種印刷用柔性襯底、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法利用柔性透明導(dǎo)電襯底和柔性絕緣襯底制備得到的具有陣列柱狀凹槽結(jié)構(gòu)的印刷用柔性襯底不僅可以解決打印像素點(diǎn)的縱向邊緣不整齊以及每個像素點(diǎn)封裝難度大要求抽真空條件高的問題，同時也可以減弱因光散射造成電流效率低于實(shí)際電流效率的影響等問題。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。