1.一種鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸層用鈷氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，包括：以金屬鈷作為第一靶材、以氬氣和氧氣作為濺射氣體，采用直流磁控共濺射法在基底表面沉積鈷氧化物薄膜；其中，施加于所述第一靶材上的直流電源的功率為 100～700 W 或者功率密度為1.3～8.9 W/cm2；控制濺射氣體的總壓強為0.5～2.5 Pa，氧分壓為50%以下；沉積時間為1～5分鐘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈷氧化物薄膜中還含有摻雜金屬離子，摻雜金屬源為銅、鎳、鎂、鋁、鋅和鈦中的至少一種；
制備方法包括：以金屬鈷作為第一靶材、以摻雜金屬源作為第二靶材、以氬氣和氧氣作為濺射氣體，采用直流磁控共濺射法在基底表面沉積鈷氧化物薄膜；其中，施加于所述第一靶材上的直流電源的功率為 100～700 W 或者功率密度為1.3～8.9 W/cm2；施加于所述第二靶材上的直流電源的功率為5～50 W或者功率密度為0.065～0.65 W/cm2；控制濺射氣體的總壓強為0.5～2.5 Pa，氧分壓為50%以下；沉積時間為1～5分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第二靶材為銅、鎳、鎂和鋁中的至少一種，優(yōu)選為銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述第二靶材上的直流電源的功率為10～30W，優(yōu)選為15W。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一靶材上的直流電源的功率為 100～500 W，優(yōu)選為300～500W。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于，控制濺射氣體的總壓強為1～2.5 Pa，氧分壓為20-40%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一靶材或/和第二靶材與基底的距離為7～20 cm；初始基底溫度為室溫，沉積結(jié)束時基底溫度在80℃以下；本底真空度低于10-4 Pa。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述方法制備的鈷氧化物薄膜，其特征在于，所述鈷氧化物薄膜中Co2+、Co3+和摻雜金屬離子的摩爾比為（50～100）: （50～100）: （0～5）。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈷氧化物薄膜，其特征在于，所述鈷氧化物薄膜厚度為5～20 nm，可見光透過率達到50～80%。
10.一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：依次在透明導電基底上沉積鈷氧化物薄膜、鈣鈦礦光吸收層、電子傳輸層、和背電極，其中所述鈷氧化物薄膜采用權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法制得。