技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件和一種制造半導(dǎo)體器件的方法。可在襯底上形成偽柵電極層和偽柵極掩模層?？蓪螙艠O掩模層圖案化以形成偽柵極掩模，從而暴露出偽柵電極層的一部分?？赏ㄟ^傾斜離子注入將離子注入偽柵電極層的暴露部分中以及偽柵電極層的與偽柵電極層的暴露部分鄰近的一部分中，以在偽柵電極層中形成生長阻擋層?？衫脗螙艠O掩模作為蝕刻掩模對偽柵電極層進(jìn)行蝕刻，以形成偽柵電極?？稍诎▊螙烹姌O和偽柵極掩模的偽柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成間隔件?？蓤?zhí)行選擇性外延生長工藝，以形成外延層。

技術(shù)研發(fā)人員：金局泰;孫豪成;申東石;沈鉉準(zhǔn);李周利;張星旭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.08
技術(shù)公布日：2017.08.18