1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：
半導(dǎo)體芯片，具有主動面；
導(dǎo)通元件，位于該半導(dǎo)體芯片周圍，且該導(dǎo)通元件具有第一表面及相對于該第一表面的第二表面；
封裝體，包覆部分的該半導(dǎo)體芯片及部分的該導(dǎo)通元件，該封裝體具有第三表面及相對該第三表面的第四表面，其中該導(dǎo)通元件突出于該第四表面；以及
上重布層，形成于該第一表面及該第三表面，且電性連接該導(dǎo)通元件與該半導(dǎo)體芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一表面及該第三表面形成一共平面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中更包括一裝置電性連接該上重布層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該導(dǎo)通元件的直徑介于10微米至50微米。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該導(dǎo)通元件包含選自鋁、銅、鈦及其組合之材料。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中更包括介電層位于該第四表面上，且包圍該突出部。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，更包括下重布層，形成于該介電層上，且電性連接該導(dǎo)通元件與該半導(dǎo)體芯片。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該導(dǎo)通元件包含基板材料。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該基板材料包括金屬、聚合物、金屬合金、玻璃或硅。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該導(dǎo)通元件包括內(nèi)導(dǎo)電機制及外介電層，該外介電層環(huán)繞該內(nèi)導(dǎo)電機制，并位于該中介層元件的該基板材料與該內(nèi)導(dǎo)電機制之間，使該內(nèi)導(dǎo)電機制不與該封裝體直接接觸。
11.一種半導(dǎo)體封裝件的形成方法，包括：
提供半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有主動面及相對于該主動面的背面；
形成導(dǎo)通元件鄰近于該半導(dǎo)體芯片；
以封裝體包覆部分的該半導(dǎo)體芯片及部分的該導(dǎo)通元件，其中該導(dǎo)通元件突出于該封裝體；以及
形成重布層于該封裝體上以電性連接該半導(dǎo)體芯片及該導(dǎo)通元件。
12.如權(quán)利要求11所述的形成方法，更包括：
形成介電層于該封裝體上，該介電層包圍該突出部。
13.如權(quán)利要求12所述的形成方法，其中該重布層形成于該介電層上且電性連接該半導(dǎo)體芯片與該導(dǎo)通元件。