技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的電極制作方法，包括：在半導(dǎo)體襯底的第一表面上形成具有第一開(kāi)口的第一層間介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層表面形成具有第二開(kāi)口的第一抗蝕刻劑掩模，且所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口連通形成第一層疊開(kāi)口；在第一抗蝕刻劑掩模上方形成第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層包括位于第一抗蝕刻劑掩模表面的第一部分，以及位于所述第一層疊開(kāi)口中的第二部分；以及去除所述第一抗蝕刻劑掩模，所述第一導(dǎo)體層的第一部分與所述第一抗蝕刻劑掩模一同被除去，保留所述第一導(dǎo)體層的第二部分作為第一面電極。

技術(shù)研發(fā)人員：殷登平;王世軍;姚飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司
文檔號(hào)碼：201610885936
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.11
技術(shù)公布日：2017.01.11