本申請(qǐng)案是發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)”，申請(qǐng)?zhí)枮?01310174294.5的發(fā)明專利國際申請(qǐng)案的分案申請(qǐng),原申請(qǐng)案的申請(qǐng)日是2013年05日13日。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著光電技術(shù)的進(jìn)步，用以取代傳統(tǒng)白熾燈泡及熒光燈管的新時(shí)代光源─發(fā)光二極管(Light-emitting diode,LED)─的技術(shù)逐漸成熟。由于發(fā)光二極管具有低功率消耗、體積小、非熱致發(fā)光、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，因此其應(yīng)用領(lǐng)域逐漸地被推廣。

發(fā)光二極管光源是一種具有指向性的光源，所以位于發(fā)光二極管光源前方的光直射區(qū)通常具有較高的亮度，導(dǎo)致了發(fā)光二極管光源容易有眩光的問題。一般來說，在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，覆蓋于發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體是呈一透鏡的形狀，然而，采用透鏡狀的封裝膠體，其出光角度有限，無法具有較大出光角度而達(dá)到面光源的功效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度。

本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光元件以及一透明封裝膠體。發(fā)光元件具有一上表面。透明封裝膠體配置于發(fā)光元件上，且覆蓋上表面。透明封裝膠體具有彼此相對(duì)的一頂表面與一底表面以及一連接頂表面與底表面的第一外圍表面。第一外圍表面的表面積大于等于四倍的上表面的水平投影面積。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的透明封裝膠體的頂表面的表面積等于上表面的水平投影面積。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件具有一第二外圍表面，且第二外圍表面與第一外圍表面切齊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的透明封裝膠體完全覆蓋發(fā)光元件的上表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件包括一承載器以及至少一發(fā)光二極管芯片。承載器具有一凹穴。發(fā)光二極管芯片配置于凹穴內(nèi)且發(fā)光二極管芯片與承載器電性連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件包括一基板以及至少一發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片倒覆于基板上且與基板電性連接。發(fā)光二極管芯片具有一出光面，且出光面面向透明封裝膠體的底表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件還包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)覆蓋于發(fā)光二極管芯片上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的透明封裝膠體包括一第一封膠部以及一第二封膠部。第一封膠部位于第二封膠部與發(fā)光元件之間。第一封膠部的折射率大于第二封膠部的折射率。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一反射率大于90％的反射層，配置于透明封裝膠體的頂表面上。

本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光元件以及一透明封裝膠體。發(fā)光元件具有一上表面。透明封裝膠體配置于發(fā)光元件上，且覆蓋上表面。透明封裝膠體具有彼此相對(duì)的一頂表面與一底表面以及一連接頂表面與底表面的第一外圍表面。發(fā)光元件具有一第二外圍表面，第二外圍表面與第一外圍表面切齊，且透明封裝膠體的頂表面和底表面之間的最大垂直距離大于發(fā)光元件的最大厚度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的透明封裝膠體的頂表面的表面積等于上表面的水平投影面積。

本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光元件以及一透明封裝膠體。發(fā)光元件具有一上表面。透明封裝膠體配置于發(fā)光元件上，且覆蓋上表面。透明封裝膠體具有彼此相對(duì)的一頂表面與一底表面。透明封裝膠體的頂表面的表面積等于上表面的水平投影面積，且透明封裝膠體的頂表面和底表面之間的最大垂直距離大于發(fā)光元件的最大厚度。

基于上述，由于本發(fā)明是利用透明封裝膠體的第一外圍表面的表面積大于等于四倍的發(fā)光元件的上表面的水平投影面積，或者是，透明封裝膠體的頂表面和底表面之間的最大垂直距離大于發(fā)光元件的最大厚度，來提高透明封裝膠體的側(cè)面面積。當(dāng)透明封裝膠體的側(cè)面面積一旦被提高，其側(cè)面出光量也會(huì)因此提升。再者，透明封裝膠體的第一外圍表面的表面積與發(fā)光元件的上表面的水平投影面積的比例大于等于四倍，可有效將發(fā)光元件所發(fā)出的光分散到透明封裝膠體的側(cè)面并由透明封裝膠體的側(cè)面出光。如此一來，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度以及較佳的光均勻性，且可達(dá)到面光源的功效。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A示出為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖1B示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖1C示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖2示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖3示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖4示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖5示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖6示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

100a、100a’、100a”、100b、100c、100d、100e、100f：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)；

110a、110a’、110a”、110b、110c：發(fā)光元件；

112a：承載器；

112b、112c：基板；

113a：凹穴；

113b：第二外圍表面；

114a、114b、114c：發(fā)光二極管芯片；

115a：殼體；

115b、115c：出光面；

116a、116a’：密封膠；

116c：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)；

117a：線路層；

120a、120a’、120b、120d、120e、120f：透明封裝膠體；

121d：第一封膠部；

122a、122b、122e、122f：頂表面；

123d：第二封膠部；

124a、124a’、124b、124e、124f：底表面；

126a、126b、126e、126f：第一外圍表面；

130：焊線；

140：反射層；

B1、B2、B3、B4、B5：上表面；

S：密閉空間；

S1：區(qū)域；

H1、H2、H3、H4：最大垂直距離；

T1、T2、T3：最大厚度。

具體實(shí)施方式

圖1A示出為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a包括一發(fā)光元件110a以及一透明封裝膠體120a。發(fā)光元件110a具有一上表面B1。透明封裝膠體120a體配置于發(fā)光元件110a上，且覆蓋上表面B1。透明封裝膠體120a具有彼此相對(duì)的一頂表面122a與一底表面124a以及一連接頂表面122a與底表面124a的第一外圍表面126a。特別是，透明封裝膠體120a的第一外圍表面126a的表面積大于等于四倍的上表面B1的水平投影面積。

詳細(xì)來說，在本實(shí)施例中，發(fā)光元件110a包括一承載器112a、至少一發(fā)光二極管芯片114a(圖1A中僅示意地示出一個(gè))以及一密封膠116a。承載器112a具有一凹穴113a以及一第二外圍表面113b，其中透明封裝膠體120a與承載器112a定義出一密閉空間S。發(fā)光二極管芯片114a配置于凹穴113a內(nèi)且位于密閉空間S中，其中發(fā)光二極管芯片114a與承載器112a電性連接。密封膠116a填充于密閉空間S中，且覆蓋發(fā)光二極管芯片114a，如圖1A所示，密封膠116a填滿密閉空間S。更進(jìn)一步來說，此處的承載器112a可例如是由一殼體115a以及一設(shè)置于殼體115a上的線路層117a所組成。本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a還包括至少一焊線130，其中發(fā)光二極管芯片114a通過焊線130與承載器112a的線路層117a電性連接。當(dāng)然，在其他未示出的實(shí)施例中，承載器也可由導(dǎo)線架及與導(dǎo)線架連接的殼體所組成，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。

如圖1A所示，本實(shí)施例的透明封裝膠體120a完全覆蓋發(fā)光元件的上表面B1。透明封裝膠體120a的頂表面122a的表面積等于上表面B1的水平投影面積。透明封裝膠體120a的頂表面122a和底表面124a之間的最大垂直距離H1大于發(fā)光元件110a的最大厚度T1。第一外圍表面126a與第二外圍表面113b實(shí)質(zhì)上切齊，即，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a可為一長(zhǎng)方體或一立方體，在此并不加以限制。再者，本實(shí)施例的發(fā)光元件110a的承載器112a與密封膠116a直接接觸透明封裝膠體120a的部分底表面124a，而定義出上表面B1。如圖1A所示，上表面B1為一水平面，且透明封裝膠體120a完全直接覆蓋上表面B1，當(dāng)上表面B1為一水平面時(shí)，上表面B1的水平投影面積即等于上表面B1的面積。此外，本實(shí)施例的透明封裝膠體120a的折射率例如是介于1.1至1.7之間，較佳地，透明封裝膠體120a的折射率由底表面124a朝向頂表面122a逐漸遞減。此處，透明封裝膠體120a的材質(zhì)例如是硅膠(silicone)、環(huán)氧樹脂(epoxy resin)或紫外線固化(UV-cured)膠。

由于本實(shí)施例是利用透明封裝膠體120a的第一外圍表面126a的表面積大于等于四倍的上表面B1的水平投影面積，來提高透明封裝膠體120a的側(cè)面面積。當(dāng)透明封裝膠體120a的側(cè)面面積一旦被提高，透明封裝膠體120a的側(cè)面出光量也會(huì)因此提升。再者，透明封裝膠體120a的第一外圍表面126a的表面積與發(fā)光元件110a的上表面B1的水平投影面積的比例大于等于四倍，可有效將發(fā)光元件110a所發(fā)出的光分散到透明封裝膠體120a的側(cè)面(即第一外圍表面126a)，并由透明封裝膠體120a的側(cè)面出光。如此一來，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a可具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度以及較佳的光均勻性，且可達(dá)到面光源的功效。

在此必須說明的是，下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖1B示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1B，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a’與圖1A的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a主要的差異是在于：本實(shí)施例的發(fā)光元件110a’的密封膠116a’并未填滿密閉空間S。如圖1B所示，本實(shí)施例的發(fā)光元件110a’的上表面B2并非為一水平面，且透明封裝膠體120a完全覆蓋上表面B2，其中透明封裝膠體120a的部分區(qū)域并未直接接觸上表面B2，且此未接觸的區(qū)域S1中存在有空氣或無空氣。

圖1C示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1C，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a”與圖1A的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a主要的差異是在于：本實(shí)施例的發(fā)光元件110a”并沒有密封膠116a’，且透明封裝膠體120a’還延伸填充于密閉空間S中且覆蓋發(fā)光二極管芯片114a、線路層117a、焊線130，也就是說，透明封裝膠體120a’的底表面124a’會(huì)直接接觸殼體115a。此時(shí)，發(fā)光元件110a”的上表面B3即是與透明封裝膠體120a’所接觸的表面。

圖2示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖2，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b與圖1A的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a主要的差異在于：本實(shí)施例的發(fā)光元件110b不同于前述實(shí)施例的發(fā)光元件110a。詳細(xì)來說，本實(shí)施例的發(fā)光元件110b包括一基板112b以及一發(fā)光二極管芯片114b?；?12b具有第二外圍表面113b。發(fā)光二極管芯片114b倒覆于基板112b上且與基板112b電性連接。即，發(fā)光二極管芯片114b是通過覆晶接合的方式與基板112b電性連接。發(fā)光二極管芯片114b具有一出光面115b，其中出光面115b面向透明封裝膠體120b的底表面124b。此處，發(fā)光元件110b的上表面B4是指與透明封裝膠體120b直接接觸的表面，且發(fā)光二極管芯片114b例如是一藍(lán)光發(fā)光二極管芯片。

由于本實(shí)施例的透明封裝膠體120b的第一外圍表面126b的表面積大于等于四倍的上表面B4的水平投影面積，且透明封裝膠體120b的頂表面122b和底表面124b之間的最大垂直距離H2大于發(fā)光元件110b的最大厚度T2。發(fā)光二極管芯片114b所發(fā)出的光從出光面115b入射至透明封裝膠體120b，透明封裝膠體120b的最大垂直距離H2會(huì)影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b的側(cè)向出光強(qiáng)度。舉例來說，透明封裝膠體120b的最大垂直距離H2越大時(shí)，會(huì)使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b的側(cè)向出光越強(qiáng)，進(jìn)而使整體發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度及較佳的光均勻性。

圖3示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖3，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100c與圖2的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100b主要的差異在于：本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100c還包括一反射層140，其中反射層140配置于透明封裝膠體120b的頂表面122b上。此處，反射層140的反射率大于90％，其中反射層140的材質(zhì)例如是銀或鋁。

此外，本實(shí)施例的發(fā)光元件110c可選擇性地包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)116c，其中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)116c覆蓋于發(fā)光二極管芯片114c與基板112c上。如此一來，可使得發(fā)光二極管芯片114c所產(chǎn)生的光線(如藍(lán)光)可以被波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)116c轉(zhuǎn)換為不同顏色的光線(如綠光、黃光或紅光)，然后不同顏色的光線混合后而產(chǎn)生白光。如圖3所示，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)116c直接接觸透明封裝膠體120b，且波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)116c與透明封裝膠體120b接觸的表面為上表面B5。

由于本實(shí)施例的透明封裝膠體120b的第一外圍表面126b的表面積大于等于四倍的上表面B5的水平投影面積，而透明封裝膠體120b的頂表面122b和底表面124b之間的最大垂直距離H2大于發(fā)光元件110c的最大厚度T3，且反射層140配置于透明封裝膠體120b的頂表面122b上。因此，當(dāng)發(fā)光二極管芯片114c所發(fā)出的光從出光面115c入射至透明封裝膠體120b時(shí)，射向頂表面122b的光線會(huì)因反射層140的反射再次回到透明封裝膠體120b后穿過第一外圍表面126b射出。如此一來，可有效增加整體發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100c的側(cè)面出光效率。

圖4示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖4，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d與圖1A的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a主要的差異在于：本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100d的透明封裝膠體120d包括一第一封膠部121d以及一第二封膠部123d。詳細(xì)來說，第一封膠部121d位于第二封膠部123d與發(fā)光元件之間110a，而發(fā)光元件110a直接接觸部分第一封膠部121d，且第一封膠部121d的折射率大于第二封膠部123d的折射率。

圖5示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖5，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100e與圖1A的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100a主要的差異在于：透明封裝膠體120e的設(shè)計(jì)。詳細(xì)來說，在本實(shí)施例中，透明封裝膠體120e的第一外圍表面126e與發(fā)光元件110a的第二外圍表面113b實(shí)質(zhì)上切齊，且透明封裝膠體120e的頂表面122e和底表面124e之間的最大垂直距離H3大于發(fā)光元件110a的最大厚度T1。此處，如圖5所示，本實(shí)施例的透明封裝膠體120e的頂表面122e的外形具體化為弧形曲面。

由于本實(shí)施例的透明封裝膠體120e的第一外圍表面126e與發(fā)光元件110a的第二外圍表面113b實(shí)質(zhì)上切齊，且透明封裝膠體120e的頂表面122e和底表面124e之間的最大垂直距離H3大于發(fā)光元件110a的最大厚度T1。因此，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100e可具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度及較佳的光均勻性。當(dāng)然，在其他未示出的實(shí)施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照前述實(shí)施例的說明，選用在如前述實(shí)施例所提及的發(fā)光二極管芯片114b是通過覆晶接合的方式與基板112b電性連接的發(fā)光元件110b來達(dá)到所需的技術(shù)效果，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。

圖6示出為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖6，本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f與圖3的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100c主要的差異在于：本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f并無設(shè)置反射層140，且本實(shí)施例的透明封裝膠體120f的設(shè)計(jì)不同于透明封裝膠體120b的設(shè)計(jì)。詳細(xì)來說，本實(shí)施例的透明封裝膠體120f的頂表面122f的表面積等于上表面B5的水平投影面積，且透明封裝膠體120f的頂表面122f和底表面124f之間的最大垂直距離H4大于發(fā)光元件110c的最大厚度T3。此處，如圖6所示，本實(shí)施例的透明封裝膠體120f的剖面形狀具體化為類六邊形。

由于本實(shí)施例的透明封裝膠體120f的頂表面122f的表面積等于上表面B5的水平投影面積，且透明封裝膠體120f的頂表面122f和底表面124f之間的最大垂直距離H4大于發(fā)光元件110c的最大厚度T3。發(fā)光二極管芯片114c所發(fā)出的光從出光面115c入射至透明封裝膠體120f，會(huì)使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f的側(cè)向出光越強(qiáng)，進(jìn)而使整體發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100f具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度及較佳的光均勻性。當(dāng)然，在其他未示出的實(shí)施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照前述實(shí)施例的說明，選用在如前述實(shí)施例所提及的發(fā)光二極管芯片114a是通過焊線130接合的方式與承載器112a電性連接的發(fā)光元件110a來達(dá)到所需的技術(shù)效果，此仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。

綜上所述，由于本發(fā)明是利用透明封裝膠體的第一外圍表面的表面積大于等于四倍的發(fā)光元件的上表面的水平投影面積，或者是，透明封裝膠體的頂表面和底表面之間的最大垂直距離大于發(fā)光元件的最大厚度，來提高透明封裝膠體的側(cè)面面積。當(dāng)透明封裝膠體的側(cè)面面積一旦被提高，其側(cè)面出光量也會(huì)因此提升。再者，透明封裝膠體的第一外圍表面的表面積與發(fā)光元件的上表面的水平投影面積的比例大于等于四倍，可有效將發(fā)光元件所發(fā)出的光分散到透明封裝膠體的側(cè)面并由透明封裝膠體的側(cè)面出光。如此一來，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可具有較大的側(cè)向出光強(qiáng)度以及較佳的光均勻性，且可達(dá)到面光源的功效。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。