技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種PECVD沉積DBR的倒裝LED芯片的制作方法，其步驟如下：在藍寶石襯底上依次生長N型GaN層、量子阱和P型GaN層；通過刻蝕，露出部分N型GaN層；在露出的部分N型GaN層上形成N型擴展條；在P型GaN層表面制作導(dǎo)電金屬層；PECVD沉積DBR層，DBR層為Si3N4層和SiO2層交替沉積的介質(zhì)膜；通過BOE濕法腐蝕，在N型擴展條和導(dǎo)電金屬層上分別形成N電極和P電極窗口；電極窗口內(nèi)淀積金屬層，分別形成負(fù)焊盤和正焊盤電極；對芯片研磨、減薄和切割，完成芯片的制作；本發(fā)明采用PECVD交替沉積Si3N4層和SiO2層作為DBR層，且采用BOE濕法腐蝕對DBR層進行刻蝕，該方法形成的DBR層的絕緣性好、光學(xué)反射率高、制作簡單、成本低、且耗時較短，能夠解決現(xiàn)有倒裝LED芯片技術(shù)中遇到的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：閆曉密;黃慧詩;華斌;張秀敏;周鋒;宋凱;鄭寶玉;王順榮
受保護的技術(shù)使用者：江蘇新廣聯(lián)半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201610929375
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.31
技術(shù)公布日：2017.02.15