這里公開的本發(fā)明涉及一種用于處理基板的設(shè)備。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體器件和平板顯示面板的制造過程中執(zhí)行各種工藝，諸如圖像工藝、蝕刻工藝、灰化工藝、膜沉積工藝和清潔工藝。在膜沉積工藝中，執(zhí)行在旋轉(zhuǎn)的基板上沉積化學(xué)品的旋涂硬掩模(spin-on-hardmask，soh)工藝。

圖1是執(zhí)行傳統(tǒng)soh工藝的基板處理設(shè)備的示例。在傳送室300內(nèi)設(shè)有一個傳送機器人350。該傳送機器人350沿著室400的布置方向x2移動以將基板傳送到每個室400。因此，工藝時間由于傳送機器人350的廣范圍移動而變長。此外，由于傳送機器人350沿著x2方向移動，因此在基板處理設(shè)備的x2方向的兩端之間產(chǎn)生了渦流。這種渦流導(dǎo)致工藝缺陷。此外，由于每個部件的布局和布置，在使基板處理設(shè)備小型化方面存在問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種可以縮短工藝時間的基板處理設(shè)備。

此外，本發(fā)明提供了可以減少傳送機器人的移動距離和移動時間的基板處理設(shè)備。

此外，本發(fā)明提供了一種可以使從內(nèi)側(cè)產(chǎn)生的渦流最小化的基板處理設(shè)備。

此外，本發(fā)明提供了一種可以使裝備小型化的基板處理設(shè)備。

本發(fā)明構(gòu)思的目的不限于下文所述，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員從如下描述將可理解本發(fā)明構(gòu)思的其它目的。

本發(fā)明提供了一種基板處理設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，該基板處理設(shè)備包括沿著第一方向依次放置的轉(zhuǎn)位模塊、緩沖模塊和處理模塊。所述轉(zhuǎn)位模塊包括：裝載端口，基板收納容器放置在所述裝載端口上；和轉(zhuǎn)位機器人，所述轉(zhuǎn)位機器人被構(gòu)造成在所述裝載端口和所述緩沖模塊之間傳送所述基板。所述緩沖模塊包括當(dāng)從頂側(cè)看時沿著垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一緩沖單元和第二緩沖單元。所述處理模塊包括第一處理單元、第二處理單元、第一傳送室和第二傳送室，其中所述第一傳送室設(shè)置有被構(gòu)造成在所述第一緩沖單元和所述第一處理單元之間傳送所述基板的第一傳送機器人，所述第二傳送室設(shè)置有被構(gòu)造成在所述第二緩沖單元和所述第二處理單元之間傳送所述基板的第二傳送機器人。所述第一傳送室和所述第二傳送室沿著所述第二方向布置。

根據(jù)一實施方式，所述第一緩沖單元包括：第一緩沖室，所述基板暫時停留在所述第一緩沖室中；以及第一冷卻室，所述第一冷卻室被構(gòu)造成冷卻所述基板并與所述第一緩沖室堆疊。

根據(jù)一實施方式，所述第一冷卻室包括一個或多個載入冷卻室和一個或多個載出冷卻室，其中，當(dāng)從所述容器載入到所述第一傳送室時設(shè)置所述載入冷卻室，在將所述第一傳送室的基板載出到所述容器時設(shè)置所述載出冷卻室。

根據(jù)一實施方式，所述第一處理單元包括：被構(gòu)造成利用熱處理所述基板的第一熱處理室；以及被構(gòu)造成利用溶液處理所述基板的第一溶液處理室。

根據(jù)一實施方式，所述第一熱處理室包括殼體、冷卻單元、加熱單元和傳送單元，其中在所述殼體內(nèi)部設(shè)置處理空間，其中所述冷卻單元被構(gòu)造成在所述殼體內(nèi)部冷卻所述基板，其中所述加熱單元被構(gòu)造成在所述殼體內(nèi)部加熱所述基板，并且其中所述傳送單元被構(gòu)造成在所述冷卻單元和所述加熱單元之間傳送所述基板。

根據(jù)一實施方式，所述第一傳送室、所述冷卻單元和所述加熱單元沿著所述第二方向依次放置。

根據(jù)一實施方式，所述第一熱處理室設(shè)置為彼此堆疊的多個熱處理室，并且所述第一溶液處理室設(shè)置為彼此堆疊的多個溶液處理室。

根據(jù)一實施方式，所述第二處理單元包括：被構(gòu)造成利用熱處理所述基板的第二熱處理室；以及被構(gòu)造成利用溶液處理所述基板的第二溶液處理室，其中所述裝載端口、所述轉(zhuǎn)位機器人、所述第一傳送室和所述第一溶液處理室沿著所述第一方向依次放置；并且其中所述第一熱處理室、所述第一傳送室、所述第二傳送室和所述第二熱處理室沿著所述第二方向依次放置。

根據(jù)一實施方式，所述第一溶液處理室包括通過提供溶液而在旋轉(zhuǎn)的基板上形成膜的室。

根據(jù)一實施方式，所述第一熱處理室、所述第一溶液處理室和所述第一緩沖單元放置在所述第一傳送室的彼此不同的側(cè)。

根據(jù)一實施方式，所述第一傳送機器人包括：固定地安裝在地面上的基座；豎直軸，該豎直軸被設(shè)置成旋轉(zhuǎn)和豎直移動；以及手部，該手部安裝在所述豎直軸上并且被設(shè)置成前后移動。

根據(jù)一實施方式，所述第一傳送室和所述第二傳送室相鄰地放置。

根據(jù)一實施方式，所述第一處理單元包括：利用熱處理基板的第一熱處理室；以及利用溶液處理基板的溶液處理室，其中所述第一熱處理室設(shè)置為彼此堆疊的多個熱處理室，其中所述第一溶液處理室設(shè)置為彼此堆疊的多個溶液處理室并且包括通過提供溶液而在旋轉(zhuǎn)的基板上形成膜的室。所述裝載端口、所述轉(zhuǎn)位機器人、所述第一傳送室和所述第一溶液處理室沿著所述第一方向依次放置。所述第一熱處理室、所述第一傳送室、所述第二傳送室和所述第二熱處理室沿著所述第二方向依次放置，其中第一傳送室和所述第二傳送室彼此相鄰地放置。

根據(jù)一實施方式，所述第一處理單元和所述第一傳送室基于平行于所述第一方向的線對稱地設(shè)置。

根據(jù)一實施方式，基板處理設(shè)備包括沿著第一方向依次放置的轉(zhuǎn)位模塊、緩沖模塊和處理模塊。所述轉(zhuǎn)位模塊包括：裝載端口，基板收納容器放置在所述裝載端口上；和轉(zhuǎn)位機器人，所述轉(zhuǎn)位機器人被構(gòu)造成在所述裝載端口和所述緩沖模塊之間傳送所述基板。所述緩沖模塊包括當(dāng)從頂側(cè)看時沿著垂直于所述第一方向的第二方向布置的第一緩沖單元和第二緩沖單元。所述處理模塊包括第一熱處理室和第二熱處理室、第一溶液處理室和第二溶液處理室、第一傳送室、以及第二傳送室，其中所述第一熱處理室和所述第二熱處理室利用熱處理所述基板，所述第一溶液處理室和所述第二溶液處理室利用溶液處理所述基板，所述第一傳送室設(shè)置有在所述第一熱處理室、所述第一溶液處理室和所述第一緩沖單元之間傳送所述基板的第一傳送機器人，并且所述第二傳送室設(shè)置有在所述第二熱處理室、所述第二溶液處理室和所述第二緩沖單元之間傳送所述基板的第二傳送機器人。所述第一傳送室和所述第二傳送室沿著所述第二方向相鄰地放置。

根據(jù)一實施方式，所述裝載端口、所述轉(zhuǎn)位機器人、所述第一傳送室和所述第一溶液處理室沿著所述第一方向依次放置。所述第一熱處理室、所述第一傳送室、所述第二傳送室和所述第二熱處理室沿著所述第二方向依次放置。

根據(jù)一實施方式，所述第一熱處理室、所述第一溶液處理室和所述第一緩沖單元放置在所述第一傳送室的彼此不同的側(cè)。

根據(jù)一實施方式，所述第一傳送室和所述第二傳送室彼此相鄰地放置。

根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，可以縮短處理時間。

此外，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，可以減少傳送機器人的移動距離和時間。

此外，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，可以將基板處理設(shè)備最小化。

此外，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，可以使從基板處理設(shè)備的內(nèi)部產(chǎn)生的不必要的渦流最小化。

本發(fā)明構(gòu)思的目的不限于以上提及的效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員可從如下描述和本申請理解本發(fā)明構(gòu)思的其它目的。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)基板處理設(shè)備的平面圖。

圖2是根據(jù)本申請的實施方式的基板處理設(shè)備的平面圖。

圖3是沿著圖2的a-a’線截取的基板處理設(shè)備的剖視圖。

圖4是沿著圖2的b-b’線截取的基板處理設(shè)備的剖視圖。

圖5是圖2的基板處理設(shè)備的第一熱處理室的立體圖。

圖6是圖5的第一熱處理室的平面圖。

圖7是圖5的第一熱處理室的剖視圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更全面地描述各種示例實施方式，在附圖中示出了一些示例實施方式。然而，本發(fā)明可以以不同形式來實施并且不應(yīng)該解釋為限于本文中闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式使得該公開將是徹底的且完整的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。因此，夸大附圖的特征以強調(diào)明確說明。

在示例性實施方式中，作為基板的示例說明了半導(dǎo)體晶片。然而，除了晶片外，該基板還可以是各種類型的基板，例如平板顯示面板、光掩模等。

圖2是根據(jù)本申請的實施方式的基板處理設(shè)備的平面圖。圖3是沿著圖2的a-a’線截取的基板處理設(shè)備的剖視圖，且圖4是沿著圖2的b-b’線截取的基板處理設(shè)備的剖視圖。

參照圖2至圖4，基板處理設(shè)備10包括轉(zhuǎn)位模塊100和工藝處理模塊200。

轉(zhuǎn)位模塊100和工藝處理模塊200沿著第一方向成行放置。當(dāng)從頂側(cè)觀看時，將垂直于第一方向的方向稱為第二方向，并且將垂直于第一方向和第二方向二者的方向稱為第三方向。

轉(zhuǎn)位模塊100安裝在工藝處理模塊200的前部中。轉(zhuǎn)位模塊100沿著第一方向x1放置在工藝處理模塊200的一側(cè)。轉(zhuǎn)位模塊100是在工藝處理模塊200和儲存多個晶片w的儲存盒c之間傳送晶片w的轉(zhuǎn)位裝置。轉(zhuǎn)位模塊100包括裝載端口110和傳送單元120。裝載端口110沿著第二方向x2成行放置，而傳送單元120放置在裝載端口110和工藝處理模塊200之間。容納基板的儲存盒c通過傳送裝置(未示出)放置在裝載端口上，傳送裝置諸如高架傳送器、高架輸送器或自動引導(dǎo)車。儲存盒c可以用作密封容器，像前開式晶圓傳送盒(foup)。

傳送單元120在工藝處理模塊200和安置在裝載端口110上的儲存盒c之間傳送晶片w。傳送單元120具有轉(zhuǎn)位機器人122和傳送通道124，其中該傳送通道被設(shè)置為供轉(zhuǎn)位機器人122沿著第二方向x2移動的通路。

在工藝過程期間，轉(zhuǎn)位機器人122沿著傳送通道124移動并將在儲存盒c和工藝處理模塊200之間傳送晶片w。這里，在轉(zhuǎn)位模塊100和工藝處理模塊200之間傳送晶片w是通過形成在工藝處理模塊200和轉(zhuǎn)位模塊100之間的入口(gateway)進行的。

工藝處理模塊200包括處理模塊400和緩沖模塊500。

處理模塊400包括第一處理單元410、第二處理單元420、第一傳送室430和第二傳送室440。第一處理單元410和第二處理單元420執(zhí)行特定半導(dǎo)體制造工藝。例如，第一處理單元410和第二處理單元420可以執(zhí)行將溶液涂覆在晶片w上的涂覆工藝或者加熱或冷卻基板的烘焙工藝。

下面說明第一處理單元410。

第一處理單元410包括第一熱處理室412、第一溶液處理室414和第一溶液提供室416。第一熱處理室412利用熱對基板進行處理。例如，第一熱處理室412執(zhí)行諸如預(yù)烘焙工藝、軟烘焙工藝和/或冷卻工藝的工藝。預(yù)烘焙工藝通過在基板w上涂覆溶液之前利用一定溫度加熱基板w而去除基板w的表面上的水分或有機物質(zhì)。軟烘焙工藝在基板w上涂覆處理溶液之后進行，并且在每次加熱工藝之后冷卻工藝都對基板w進行冷卻。

第一熱處理室412包括殼體1100、傳送單元1200、加熱單元1300和冷卻單元1400。

殼體1100在內(nèi)部提供用于進行例如烘焙工藝的工藝的處理空間。殼體1100可以設(shè)置為矩形形式。該殼體包括第一側(cè)壁1111、第二側(cè)壁1112、第三側(cè)壁1113和第四側(cè)壁1114。

第一側(cè)壁1111設(shè)置在殼體1100的一側(cè)中?；鍂進入的入口1116形成在第一側(cè)壁1111中。入口1116提供基板w的通道。

第二側(cè)壁1112形成在第一側(cè)壁1111的相反側(cè)。第二側(cè)壁1112平行于第一側(cè)壁1111設(shè)置。第三側(cè)壁1113設(shè)置在第一側(cè)壁1111和第二側(cè)壁1112之間。第三側(cè)壁1113垂直于第一側(cè)壁1111和第二側(cè)壁1112中的每一者設(shè)置。第四側(cè)壁1114設(shè)置在第一側(cè)壁1111和第二側(cè)壁1112之間。第四側(cè)壁1114垂直于第一側(cè)壁1111和第二側(cè)壁1112中的每一者設(shè)置。第四側(cè)壁1114平行于第三側(cè)壁1113設(shè)置。

傳送單元1200在殼體1100內(nèi)部在加熱單元1300和冷卻單元1400之間移動基板w。傳送單元1200包括傳送板1210、支撐臂1220、支撐環(huán)1230和驅(qū)動構(gòu)件1270。

基板w被放置在傳送板1210上。傳送板1210被設(shè)置為圓形形式。傳送板1210可以設(shè)置有與基板w相同的尺寸。傳送板1210可以設(shè)置為具有良好導(dǎo)熱性的金屬材料。導(dǎo)向孔1250形成在傳送板1210中。導(dǎo)向孔1250是用于容納升降銷1315的空間。導(dǎo)向孔1250被設(shè)置成從傳送板1210的外側(cè)延伸到傳送板1210的內(nèi)側(cè)。導(dǎo)向孔1250防止在傳送板1210移動時與升降銷1315干涉或碰撞。

支撐臂1220固定地連接至傳送板1210。支撐臂1220設(shè)置在傳送板1210和驅(qū)動構(gòu)件之間。

支撐環(huán)1230設(shè)置成包圍傳送板1210。支撐環(huán)1230支撐傳送板1210的邊緣。支撐環(huán)1230起到在基板w被放置在傳送板1210上之后將基板w支撐成位于正確位置的作用。

驅(qū)動構(gòu)件1270可以傳送或輸送傳送板1210。驅(qū)動構(gòu)件1270被設(shè)置成線性地和/或上下(豎直地)移動傳送板1210。

加熱單元1300通過支撐基板而加熱基板。加熱單元1300包括板1311、銷孔1312、加熱器1313、升降銷1315、罩1317和驅(qū)動器1319。

板1311被設(shè)置成柱體形式。板1311可以設(shè)置成具有良好導(dǎo)熱性的材料。例如，板1311可以設(shè)置為金屬材料。用于容納升降銷1315的銷孔1312形成在板1311的頂部上。

加熱器1313加熱基板w。加熱器1313設(shè)置在板1311的內(nèi)側(cè)。例如，加熱器1313可以作為加熱線圈安裝在板1311內(nèi)部。與此不同，板1311可以設(shè)置有加熱模式。加熱器1313設(shè)置在板1311的內(nèi)部，并且因此在加熱基板之前先加熱該板1311。

銷孔1312設(shè)置為在升降銷1315上下移動基板w時用于升降銷131的通道。銷孔1312設(shè)置在板1311的頂部上并且可以設(shè)置有多個。

升降銷1315通過升降裝置(未描述)上下移動。升降銷1315可以將基板w安置在板1311上。升降銷1315可以將基板w提升至與板1311間隔開一定距離的位置。

罩1317放置在板1311的頂部上。罩1317設(shè)置成柱體形式。罩1317在其內(nèi)部提供加熱空間。在基板w移動到板1311時，罩1317通過驅(qū)動器1319在板1311的頂部上移動。當(dāng)基板w被板1311加熱時，罩1317通過驅(qū)動器1319向下移動并且形成用于加熱基板w的加熱空間。

驅(qū)動器1319通過支撐部件1318與罩1317固定連接。在驅(qū)動器1319被傳送或輸送到板1311時，該驅(qū)動器1319使罩1317升降。例如，驅(qū)動器1319可以設(shè)置為氣缸驅(qū)動器。

冷卻單元1400起到在處理完成的情況下冷卻板1311或基板w的作用。冷卻單元1400放置在殼體1100的內(nèi)側(cè)。相比于第二側(cè)壁1112，冷卻單元1400更鄰近第一側(cè)壁1111放置。冷卻單元1400包括冷卻板1410。

冷卻板1410冷卻基板。冷卻板1410可以設(shè)置為圓形形式。冷卻板1410可以設(shè)置有與基板對應(yīng)的尺寸。在冷卻板1410內(nèi)，可以設(shè)置冷卻通道。在冷卻通道中，可以提供冷卻水來冷卻基板w。傳送板1210在基板保持在傳送板1210中時放置在冷卻板1410上，并且可以對基板進行冷卻。

第一溶液處理室414在基板上涂覆溶液。第一溶液處理室414可以通過提供溶液而在旋轉(zhuǎn)的基板上形成膜。沿著第三方向x3可以堆疊多個第一溶液處理室414。

第一溶液提供室416可以堆疊在第一溶液處理室414上。第一溶液提供室416和第一溶液處理室414可以沿著第三方向x3堆疊。第一溶液提供室416可以放置在第一溶液處理室414的下方。第一溶液提供室416設(shè)置到第一溶液處理室14并且儲存處理溶液以利用溶液對基板進行處理。溶液提供室中的處理溶液被提供給第一溶液處理室414。

第二處理單元420基于與第二方向x2平行的線與第一處理單元410對應(yīng)地設(shè)置。而且，第二處理單元420與第一處理單元410相同地設(shè)置。第二處理單元420執(zhí)行與第一處理單元410相同的功能。第二處理單元420包括第二熱處理室422、第二溶液處理室424和第二溶液提供室426。第二熱處理室422、第二溶液處理室424和第二溶液提供室426分別與第一熱處理室412、第一溶液處理室414和第一溶液提供室416對應(yīng)地設(shè)置。

第一傳送室430包括框架310和第一傳送機器人350。

在框架310內(nèi)，設(shè)置第一傳送機器人350移動的移動路線320。移動路線320沿著第三方向x3設(shè)置。在工藝過程期間，第一傳送機器人350沿著移動路線320移動，并且在轉(zhuǎn)位模塊100和處理模塊400之間傳送晶片。

第一傳送機器人350包括基座352、豎直軸354和手部356。基座352固定地安裝在地面上。豎直軸354設(shè)置成上下移動并可從基座352旋轉(zhuǎn)。豎直軸354設(shè)置成沿著與第一方向x1和第二方向x2垂直的第三方向延伸。手部356設(shè)置成相對于豎直軸354前后移動。也就是說，手部356設(shè)置成向第一方向x1和第二方向x2移動。

第二傳送室440基于與第二方向x2平行的線與第一傳送室430對應(yīng)地設(shè)置。而且，第二傳送室440與第一傳送室430相同地設(shè)置。第二傳送機器人執(zhí)行與第一傳送機器人350相同的功能。第二傳送機器人與第一傳送機器人350對應(yīng)地設(shè)置。第二傳送室440與第一傳送室430鄰近地設(shè)置。第二傳送室440和第一傳送室430沿著第一方向x1布置。

緩沖模塊500為在工藝處理模塊200和轉(zhuǎn)位模塊100之間傳送的基板提供暫時停留的空間。緩沖模塊500放置在工藝處理模塊200和轉(zhuǎn)位模塊100之間。

緩沖模塊500包括第一緩沖單元510和第二緩沖單元520。第一緩沖單元510和第二緩沖單元520沿著第二方向x2布置。當(dāng)從頂側(cè)觀看時，第二方向x2為垂直于第一方向x1的方向。第一緩沖單元510和第一傳送室430沿著第一方向x1布置。

第一緩沖單元510包括第一緩沖室512和第一冷卻室514。第一緩沖室512提供基板臨時停留的空間。第一冷卻室514與第一緩沖室512堆疊。第一冷卻室514和第一緩沖室512沿著第三方向x3堆疊。第一冷卻室514冷卻基板。第一冷卻室514包括載入冷卻室516和載出冷卻室518。載入冷卻室516設(shè)置有一個或多個。多個載入冷卻室516可以沿著第三方向堆疊。

載入冷卻室516對從容器(例如儲存盒c)載入到第一傳送室430的基板進行冷卻。載出冷卻室518設(shè)置有一個或多個。多個載出冷卻室518可以沿著第三方向堆疊。載出冷卻室518對從作為容器的第一傳送室430載出的基板進行冷卻。

第二緩沖單元520與第一緩沖單元510相同地設(shè)置。第二緩沖單元520與第一緩沖單元510相鄰地設(shè)置。第一緩沖單元510和第二緩沖單元520沿著第一方向x1布置。第二緩沖單元520和第二傳送室440沿著第二方向x2布置。

第一傳送室430、冷卻單元1400和加熱單元1300可以沿著第二方向x2以該順序布置。因此，基板從第一傳送室430經(jīng)過入口1116裝載在冷卻單元1400上，然后被傳送到加熱單元1300并可以利用熱對該基板進行處理。

第一緩沖單元510、第一熱處理室412和第一溶液處理室414放置在第一傳送室430的不同側(cè)。例如，第一傳送室430以矩形形式設(shè)置，并且第一緩沖單元510、第一熱處理室412和第一溶液處理室414均與第一傳送室430的四側(cè)當(dāng)中的其他不同側(cè)相鄰地設(shè)置。而且，在第一傳送室430的剩余側(cè)中，第二傳送室440被相鄰地設(shè)置。

例如，在第一傳送室430中相鄰于第二方向x2的一側(cè)，設(shè)置第一熱處理室412。在第一傳送室430中相鄰于第二方向x2的另一側(cè)，相鄰地設(shè)置第二傳送室440。在第一傳送室430中相鄰于第一方向x1的一側(cè)，設(shè)置第一緩沖單元510。在第一傳送室430中相鄰于第一方向x1的另一側(cè)，設(shè)置第一溶液處理室414。

下面說明使用以上描述的基板處理設(shè)備處理基板的方法。

第一處理單元410和第一傳送室430基于與第一方向x1平行的線與第二處理單元420和第二傳送室440對稱地設(shè)置。因此，通過第一傳送室430和第一處理單元410進行的工藝與通過第一傳送室430和第一處理單元410進行的工藝相同。

裝載端口110、轉(zhuǎn)位機器人122、第一傳送室430和第一溶液處理室414沿著第二方向x2依次放置?；逡来瓮ㄟ^轉(zhuǎn)位模塊100和緩沖模塊500而插入第一傳送室430中。當(dāng)從頂側(cè)看時，第一傳送機器人350移動到與第一方向x1和第二方向x2垂直的第三方向。詳細(xì)地說，豎直軸354沿著第三方向豎直地移動。第一熱處理室412和第一溶液處理室414與第一傳送室430的不同側(cè)相鄰地放置，因此與傳統(tǒng)設(shè)備相比，第一傳送機器人350的豎直軸354不必移動到第一方向x1或第二方向x2。因此，通過縮短本發(fā)明的傳送機器人的移動時間可以縮短處理時間。而且，通過使傳送機器人的移動區(qū)段變窄而使不必要的渦流或流動最小可以防止工藝缺陷。

當(dāng)?shù)竭_堆疊多個第一溶液處理室414或第一熱處理室412的高度時，手部356水平移動到豎直軸354并將基板插入到第一溶液處理室414或第一熱處理室412中。之后，執(zhí)行基板處理工藝。

此外，裝載端口110、轉(zhuǎn)位機器人122、第一傳送室440和第二溶液處理室424沿著第二方向x2依次放置。第一熱處理室412、第一傳送室430、第二傳送室440和第二熱處理室422沿著第一方向x1依次放置。通過第二傳送室440插入基板的處理工藝與通過所描述的第一傳送室430插入基板的工藝相同地進行。因此，與傳統(tǒng)設(shè)備相比，傳送室由多個構(gòu)成，從而縮短了傳送基板的時間，由此可以縮短處理時間。

前述實施方式是本發(fā)明的示例。另外，以上內(nèi)容僅僅例示和描述了優(yōu)選實施方式，并且這些實施方式可以包括各種組合、改變和環(huán)境。也就是說，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離原理和精神的情況下可以對這些實施方式進行替換、修改和改變，這些原理和精神的范圍在所附權(quán)利要求及其等同物中限定。另外，不意圖將該申請的范圍限制于這些具體實施方式或其具體特征或益處。相反，該申請的范圍旨在唯一地由所附權(quán)利要求及其等同物來限定。