1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其具有襯底(12)，該襯底具有多個(gè)與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)的有源區(qū)域電絕緣的溝槽(14.1，14.2，14.3)，其中，在至少一個(gè)第一溝槽(14.1)中沿該溝槽的縱軸線(L)引入導(dǎo)電材料的第一區(qū)段(16)，該第一區(qū)段與第一電接通部(18)這樣連接，使得在施加電壓到該第一電接通部(18)上的情況下該第一區(qū)段充當(dāng)MOS結(jié)構(gòu)的柵極電極，其中，在該第一溝槽(14.1)和/或在第二溝槽(14.2)中沿所述溝槽的縱軸線引入所述導(dǎo)電材料的第二區(qū)段(20)，
其特征在于，
所述第二區(qū)段(20)作為所述第一區(qū)段(16)的串聯(lián)電阻這樣地電連接，使得所述第二區(qū)段(20)的第一端部與所述第一電接通部(18)電連接并且所述第二區(qū)段(20)的第二端部與所述導(dǎo)電材料的所述第一區(qū)段(16)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述第一區(qū)段(16)及所述第二區(qū)段(20)具有基本上相同的橫截面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述第二區(qū)段(20)由多個(gè)相互串聯(lián)電連接的部分區(qū)段組成并且在多個(gè)溝槽(14)上延伸。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)具有構(gòu)造在表面上的第二電接通部(38)，其中，至少一個(gè)第二區(qū)段(20)布置在所述第二電接通部(38)與所述襯底(12)之間。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，有源半導(dǎo)體區(qū)的鄰接所述第二溝槽(14)的區(qū)域不具有摻雜。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述第一區(qū)段(16)及所述第二區(qū)段(20)布置在共同的溝槽(14)中并且相互電絕緣。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述第一區(qū)段(16)及所述第二區(qū)段(20)分別由多晶硅組成。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，所述溝槽中的至少一個(gè)用第一導(dǎo)電材料填充直至第一高度h1，并且所述第一區(qū)段(16)和/或所述第二區(qū)段(20)在所述第一高度h1與位于所述第一高度h1以上的第二高度h2之間延伸。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)，其中，在所述溝槽(14)中的至少一個(gè)中在所述第一區(qū)段(16)的下面存在導(dǎo)電材料的下區(qū)段，該下區(qū)段充當(dāng)場(chǎng)板(28)。
10.一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)的方法，該方法具有以下步驟：
a.提供半導(dǎo)體襯底(12)，
b.在所述半導(dǎo)體襯底(12)中開設(shè)多個(gè)溝槽(14)，
c.在通過所述溝槽(14)結(jié)構(gòu)化的襯底表面上制造第一絕緣層(22)，
d.用導(dǎo)電材料這樣地填充所述溝槽(14)，使得在所述溝槽中分別形成至少一個(gè)導(dǎo)電的上區(qū)段(16，20)，
e.在所述上區(qū)段(16，20)上方制造第二絕緣層(30)，
f.這樣電接通至少一個(gè)第一溝槽(14)的所述上區(qū)段(16)，使得該上區(qū)段能夠充當(dāng)MOS結(jié)構(gòu)的柵極電極(16)，
g.這樣電接通第二溝槽(14)的至少一個(gè)上區(qū)段(20)，使得該至少一個(gè)上區(qū)段能夠充當(dāng)所述MOS結(jié)構(gòu)的所述柵極電極(16)的串聯(lián)電阻。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在步驟c)后及步驟d)前實(shí)施以下步驟：
k.用導(dǎo)電材料填充所述溝槽(14)，使得形成下導(dǎo)電區(qū)段(28)，
l.借助蝕刻工藝去除所述下導(dǎo)電區(qū)段(28)的導(dǎo)電材料的一部分直至高度h1，
m.在所述下導(dǎo)電區(qū)域與所述上導(dǎo)電區(qū)段之間制造絕緣分隔層(24)。
12.一種用于車輛的控制裝置，該控制裝置包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(10)。