技術(shù)特征：

1.一種僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，包含陽極，陰極，和有機(jī)層，所述陽極和陰極為金屬、無機(jī)物或有機(jī)化合物；所述有機(jī)層為空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層；所述空穴傳擋層，電子傳輸層和/或電子注入層中含有式(I)所述的化合物，

其中，R1-R4獨(dú)立地表示為氫、C1-C8取代或者未取代的烷基、或C2-C8取代或者未取代的烯烷基、或C2-C8取代或者未取代的炔烷基，其中取代基為C1-C4的烷基或鹵素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，其中，R1-R4獨(dú)立地表示為氫、C1-C4取代或者未取代的烷基、或C2-C4取代或者未取代的烯烷基，或C2-C4取代或者未取代的炔烷基。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，其中R1-R4獨(dú)立地表示為氫、C1-C4的烷基。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，R1-R4相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，其中，R1-R4優(yōu)選表示為氫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，為下列結(jié)構(gòu)化合物：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，為下列結(jié)構(gòu)化合物：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，所述式(I)所述的化合物為電子傳輸層的材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，所述有機(jī)層的總厚度為1-1000nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的僅電子有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件，所述有機(jī)層的總厚度為5-300nm，通過蒸渡或旋涂形成薄膜。