1.一種用于在多芯片集成中最小化產(chǎn)量損失的方法，所述方法包括：
在室中提供被支撐在載體上的第一集成電路芯片和第二集成電路芯片；
流動(dòng)模塑料以覆蓋所述第一集成電路芯片、所述第二集成電路芯片和所述載體；以及
在固化所述模塑料的同時(shí)將合成氣體流入所述室中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述合成氣體包括H2和N2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：控制所述合成氣體在所述室中的壓力，以增加所述合成氣體滲入到所述第一集成電路芯片的柵極氧化物和硅表面的程度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：控制所述合成氣體的溫度以增加所述合成氣體滲入所述第一集成電路芯片的柵極氧化物和硅表面的程度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述合成氣體流入所述室包括：通過在所述室的頂蓋中限定的多個(gè)噴嘴引入所述合成氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述多個(gè)噴嘴關(guān)于中心噴嘴同心地布置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括：調(diào)整所述多個(gè)噴嘴與所述第一集成電路芯片之間的距離以及H2和N2的摩爾百分比。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中固化所述模塑料發(fā)生在180℃以上以及300℃以下的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一集成電路芯片包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片，所述第二集成電路芯片包括芯片上系統(tǒng)(SoC)，并且最小化產(chǎn)量損失包括減少DRAM數(shù)據(jù)保持時(shí)間的劣化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中減少DRAM數(shù)據(jù)保持時(shí)間的劣化包括：通過使用所述合成氣體再形成一個(gè)或多個(gè)破損鍵來減少由所述固化引起的多個(gè)破損硅-氫鍵。
11.一種裝置，包括：
室，具有氣體出口；
壓板，位于所述室內(nèi)并且被配置為支撐襯底；
材料引入端口，通過所述室中的第一開口限定；
氣體引入端口，被配置為將氣體的完全可調(diào)混合物傳輸?shù)剿鍪抑校?/p>
控制器，被配置為確定將通過所述氣體引入端口流動(dòng)的所述氣體的完全可調(diào)混合物的摩爾比、壓力和溫度；以及
加熱器，被配置為當(dāng)所述室中存在所述氣體的完全可調(diào)混合物時(shí)固化所述襯底上的模塑料，通過所述材料引入端口分配所述模塑料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括第一閥和第二閥，每個(gè)閥均被配置為基于來自所述控制器的控制信號(hào)進(jìn)行調(diào)整，以分別向所述氣體引入端口在第一壓力下提供第一量的第一氣體以及在第二壓力下提供第二量的第二氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括：加熱器，被配置為在將所述氣體的完全可調(diào)混合物通過所述氣體引入端口傳輸?shù)剿鍪抑兄?，加熱所述氣體的完全可調(diào)混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括：致動(dòng)器，被配置為在三個(gè)正交方向上移動(dòng)所述壓板。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括所述室的頂蓋，其中所述材料引入端口與所述頂蓋一體形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述氣體引入端口包括關(guān)于中心噴嘴以同心圓方式布置的多個(gè)噴嘴。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述氣體引入端口具有跨越所述壓板的寬度的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述加熱器被設(shè)置在所述壓板內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述控制器被配置為當(dāng)所述加熱器處于操作狀態(tài)時(shí)通過所述氣體引入端口傳輸所述氣體的完全可調(diào)混合物。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述材料引入端口是分配設(shè)備的一部分，所述分配設(shè)備具有被配置為在兩個(gè)垂直方向上移動(dòng)所述引入端口的致動(dòng)器。