1.一種JFET管，包括：P型襯底，所述P型襯底作為背柵；在所述P型襯底的上表層中形成N型注入?yún)^(qū)；在所述N型注入?yún)^(qū)的上表層中形成的P型注入?yún)^(qū)，所述P型注入?yún)^(qū)作為正柵；在所述P型注入?yún)^(qū)的上表層中形成的P型重?fù)诫s區(qū)；在所述N型注入?yún)^(qū)上表層的兩端形成的N型重?fù)诫s的漏區(qū)和源區(qū)，正柵靠近所述源區(qū)；所述漏區(qū)與所述P型注入?yún)^(qū)之間的N型注入?yún)^(qū)上形成的第一場氧化層；所述源區(qū)與所述P型注入?yún)^(qū)之間的N型注入?yún)^(qū)上形成的第二場氧化層，其特征在于：所述第一場氧化層下的N型注入?yún)^(qū)上部形成P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)靠近P型注入?yún)^(qū)一側(cè)與柵極電性相連，構(gòu)成第二JFET結(jié)構(gòu)，所述第二JFET結(jié)構(gòu)的夾斷電壓高于本征JFET結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述整個(gè)P型摻雜區(qū)與第一場氧化層接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述P型摻雜區(qū)呈“L”型，靠近所述P型注入?yún)^(qū)一側(cè)與所述第一場氧化層接觸，且與柵極電性相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的JFET管，其特征在于：所述P型摻雜區(qū)與第一場氧化層之間的N型注入?yún)^(qū)靠近漏區(qū)側(cè)與漏極電性相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的JFET管，其特征在于：部分所述第一場氧化層上以及與之相連的部分P型注入?yún)^(qū)上形成第一多晶硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的JFET管，其特征在于：所述P型摻雜區(qū)通過第一多晶硅層與柵極電性相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的JFET管，其特征在于：部分所述第一場氧化層上以及與之相連的部分漏區(qū)上形成第二多晶硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的JFET管，其特征在于：所述P型摻雜區(qū)呈“L”型，靠近所述P型注入?yún)^(qū)一側(cè)與所述第一場氧化層接觸，且與柵極電性相連，所述P型摻雜區(qū)與第一場氧化層之間的N型注入?yún)^(qū)通過第二多晶硅層與漏極電性相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述N型注入?yún)^(qū)分為第一N型注入?yún)^(qū)和第二N型注入?yún)^(qū)，第二N型注入?yún)^(qū)形成在P型摻雜區(qū)與P型注入?yún)^(qū)之間的第一N型注入?yún)^(qū)上表層中，且所述第二N型注入?yún)^(qū)多子濃度低于第一N型注入?yún)^(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的JFET管，其特征在于：所述第二N型注入?yún)^(qū)深度大于P型摻雜區(qū)同時(shí)小于P型注入?yún)^(qū)。