本揭露實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

涉及半導(dǎo)體裝置的電子裝備是我們?nèi)粘Ｉ畈豢苫蛉钡?。隨著電子技術(shù)的進(jìn)步，電子裝備變得較復(fù)雜且涉及用于執(zhí)行所要多功能性的較大量的集成電路。因此，電子裝備的制造包含越來(lái)越多的組裝及處理步驟以及用于生產(chǎn)電子裝備中的半導(dǎo)體裝置的材料。因此，存在對(duì)簡(jiǎn)化生產(chǎn)步驟、增加生產(chǎn)效率及降低對(duì)每一電子裝備的相關(guān)聯(lián)制造成本的持續(xù)需求。

在制造半導(dǎo)體裝置的操作期間，半導(dǎo)體裝置組裝有包含具有熱性質(zhì)差異的各種材料的若干個(gè)集成組件。如此，在半導(dǎo)體裝置的固化之后，集成組件呈不期望配置。不期望配置將導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的合格率損失、組件之間的不良接合性、裂縫形成、組件的脫層等。此外，半導(dǎo)體裝置的組件包含數(shù)量有限且因此成本高的各種金屬材料。組件的不期望配置及半導(dǎo)體裝置的合格率損失將進(jìn)一步加劇材料浪費(fèi)且因此制造成本將增加。

由于涉及具有不同材料的不同組件且半導(dǎo)體裝置的制造操作的復(fù)雜性增加，因此存在修改半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)并改進(jìn)制造操作的較多挑戰(zhàn)。如此，存在對(duì)改進(jìn)用于制造半導(dǎo)體的方法及解決以上缺陷的持續(xù)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本揭露實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括：半導(dǎo)體襯底；導(dǎo)電墊，其位于所述半導(dǎo)體襯底上；第一電介質(zhì)，其位于所述半導(dǎo)體襯底上方；導(dǎo)電層，其放置于所述第一電介質(zhì)中；第二電介質(zhì)，其放置于所述導(dǎo)電層上，其中所述導(dǎo)電層的至少一部分從所述第一電介質(zhì)及所述第二電介質(zhì)暴露；及，導(dǎo)電跡線，其部分地位于所述第二電介質(zhì)上方且與所述導(dǎo)電層的所述經(jīng)暴露部分接觸，其中所述導(dǎo)電跡線在一端處連接到所述導(dǎo)電墊。

附圖說(shuō)明

依據(jù)與附圖一起閱讀的以下詳細(xì)描述來(lái)最佳地理解本揭露實(shí)施例的方面。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種構(gòu)件未按比例繪制。實(shí)際上，為論述清晰起見(jiàn)，可任意地增加或減小各種構(gòu)件的尺寸。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。

圖1a是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1中的半導(dǎo)體裝置的一部分的放大視圖。

圖1b是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1a中的半導(dǎo)體裝置的一部分的局部視圖。

圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的一部分的局部視圖。

圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2中的半導(dǎo)體裝置的部分俯視圖。

圖4a到圖4k表示根據(jù)一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下揭露提供用于實(shí)施所提供標(biāo)的物的不同構(gòu)件的許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下文描述組件及布置的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本揭露。當(dāng)然，這些僅為實(shí)例且并非打算為限制性的。舉例來(lái)說(shuō)，在以下描述中第一構(gòu)件在第二構(gòu)件上方或所述第二構(gòu)件上形成可包含其中第一構(gòu)件與第二構(gòu)件直接接觸地形成的實(shí)施例且還可包含其中額外構(gòu)件可形成于第一構(gòu)件與第二構(gòu)件之間使得第一構(gòu)件與第二構(gòu)件征可不直接接觸的實(shí)施例。另外，本揭露可在各種實(shí)例中重復(fù)參考編號(hào)及/或字母。此重復(fù)是出于簡(jiǎn)單及清晰目的且并非本質(zhì)上指示所論述的各種實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

此外，可在本文中為易于描述而使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)(例如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等等)來(lái)描述一個(gè)元件或構(gòu)件與另一元件或構(gòu)件的關(guān)系，如各圖中所圖解說(shuō)明。所述空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)打算囊括在使用或操作中的裝置的除圖中所描繪的定向之外的不同定向。設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其它定向)且可因此同樣地理解本文中所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。

在本揭露實(shí)施例中，提供具有用于實(shí)現(xiàn)布線區(qū)域減小及較好布線能力的創(chuàng)新堆疊互連件的半導(dǎo)體裝置。在本揭露實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件包含以圓環(huán)形狀或c形狀設(shè)計(jì)的堆疊互連件。圓環(huán)形狀或c形狀互連件經(jīng)提出以增加在精細(xì)間距扇出封裝中的導(dǎo)電跡線布線的可行性。通過(guò)本揭露實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)布線區(qū)域減小及較好布線能力。

在本揭露實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線經(jīng)配置以沿著膜堆疊的凹槽走線。膜堆疊可為復(fù)合電介質(zhì)結(jié)構(gòu)且內(nèi)部包含一些互連導(dǎo)電跡線。導(dǎo)電跡線在一端處連接到導(dǎo)電墊且延伸到復(fù)合電介質(zhì)結(jié)構(gòu)上方。在導(dǎo)電跡線的另一端上，導(dǎo)電凸塊或ubm連接于其中。導(dǎo)電跡線與復(fù)合電介質(zhì)內(nèi)部的互連導(dǎo)電跡線的一部分接觸，使得在互連導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊之間形成電連接。

圖1是半導(dǎo)體裝置100的實(shí)施例。半導(dǎo)體裝置100包含半導(dǎo)體襯底102。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底102包含半導(dǎo)體材料(例如硅)且在半導(dǎo)體襯底102內(nèi)制作有通過(guò)各種操作(例如光刻、蝕刻、沉積、鍍覆等)產(chǎn)生的預(yù)定功能電路。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底102通過(guò)機(jī)械或激光刀片從硅晶片單?；Ｔ谝恍?shí)施例中，半導(dǎo)體襯底102呈四邊形、矩形或正方形形狀。

圖1a是圖1中的半導(dǎo)體裝置100的一部分100a的放大視圖。半導(dǎo)體襯底102包含表面102b且導(dǎo)電墊102a放置于表面102b上。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊102a與半導(dǎo)體襯底102外部的電路電連接，使得半導(dǎo)體襯底102內(nèi)部的電路通過(guò)導(dǎo)電墊102a與半導(dǎo)體襯底102外部的電路電連接。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊102a經(jīng)配置以用于通過(guò)附接于導(dǎo)電墊102a上的導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電凸塊電耦合，使得半導(dǎo)體襯底102內(nèi)部的電路通過(guò)導(dǎo)電跡線從導(dǎo)電墊102a到導(dǎo)電凸塊地與半導(dǎo)體襯底102外部的電路連接。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊102a包含金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、鈀及/或其合金。

在一些實(shí)施例中，鈍化層103放置于半導(dǎo)體襯底102的表面102b上方且部分地覆蓋導(dǎo)電墊102a。在一些實(shí)施例中，鈍化層103環(huán)繞導(dǎo)電墊102a。導(dǎo)電墊102a的一部分從鈍化層103中的凹槽103a暴露。在一些實(shí)施例中，鈍化層103部分地覆蓋導(dǎo)電墊102a的頂部表面102c。鈍化層103經(jīng)配置以用于為半導(dǎo)體襯底102提供電絕緣及濕氣防護(hù)，使得半導(dǎo)體襯底102與周?chē)h(huán)境隔離。在一些實(shí)施例中，用電介質(zhì)材料(例如旋涂玻璃(sog)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等等)形成鈍化層103。在一些實(shí)施例中，通過(guò)氣相沉積或旋涂工藝形成鈍化層103。

在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)105放置于鈍化層103上方。電介質(zhì)105放置于鈍化層103的頂部表面103b上。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)105包含聚合材料，例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并唑(pbo)、抗焊劑(sr)、abf膜等等。鈍化層103由電介質(zhì)105部分地覆蓋。然而，鈍化層103的一部分通過(guò)電介質(zhì)105中的凹槽105a從電介質(zhì)105暴露。電介質(zhì)105中的凹槽105a與鈍化層103中的凹槽103a大體上對(duì)準(zhǔn)，使得導(dǎo)電跡線108能夠沿著電介質(zhì)105中的凹槽105a行進(jìn)且進(jìn)一步向下行進(jìn)到鈍化層103中的凹槽103a。導(dǎo)電跡線108著陸于導(dǎo)電墊102a的一部分上，其中所述部分通過(guò)凹槽103a從鈍化層103暴露。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線108沿著凹槽103a及凹槽105a保形地走線。在一些實(shí)施例中，凹槽105a具有寬度w2且寬度w2等于或大于凹槽103a的寬度w1。

除凹槽105a之外，導(dǎo)電跡線108還沿著電介質(zhì)105的另一部分行進(jìn)。如圖1a中所展示，導(dǎo)電跡線108還沿著表面105e走線，所述表面大體上布置成正交于凹槽105a的側(cè)壁。表面105e是和鈍化層103與電介質(zhì)105之間的界面相對(duì)的平面。

導(dǎo)電層106大體上接近于表面105e而放置，所述表面105e為電介質(zhì)105與電介質(zhì)107之間的界面。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層106和電介質(zhì)105與鈍化層103之間的界面間隔開(kāi)預(yù)定距離。在一些實(shí)施例中，所述預(yù)定距離大于0。導(dǎo)電層106由電介質(zhì)105部分地環(huán)繞但具有從電介質(zhì)105暴露的至少一側(cè)。導(dǎo)電層106放置于與導(dǎo)電墊102a不同的水平處且平行于所述導(dǎo)電墊102a。導(dǎo)電層106與導(dǎo)電墊102a之間的隔離至少由鈍化層103及電介質(zhì)105組成。鈍化層103與電介質(zhì)105之間的界面位于導(dǎo)電層106與導(dǎo)電墊102a之間。

導(dǎo)電層106的一側(cè)不被電介質(zhì)105覆蓋或環(huán)繞而由放置于電介質(zhì)105及鈍化層103上方的電介質(zhì)107部分地覆蓋。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)107包含聚合材料，例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并唑(pbo)、抗焊劑(sr)、abf膜等等。導(dǎo)電層106的一部分106e通過(guò)電介質(zhì)107中的凹槽107a從電介質(zhì)107暴露。導(dǎo)電層106的經(jīng)暴露部分106e位于導(dǎo)電跡線108的行進(jìn)路徑處。導(dǎo)電層106的經(jīng)暴露部分106e還接近于電介質(zhì)105的拐角，其中所述拐角供導(dǎo)電跡線108行進(jìn)通過(guò)。導(dǎo)電跡線108電連接到導(dǎo)電層106的經(jīng)暴露部分。在一些實(shí)施例中，與導(dǎo)電跡線108連接的經(jīng)暴露部分與表面105e大體上共面。通過(guò)導(dǎo)電跡線108，導(dǎo)電層106電連接到導(dǎo)電墊102a。

導(dǎo)電層106具有平行于導(dǎo)電墊102a的兩個(gè)側(cè)。平行側(cè)中的一個(gè)平行側(cè)(106f)面對(duì)鈍化層103與電介質(zhì)105之間的界面且與電介質(zhì)105介接。另一平行側(cè)106s背對(duì)鈍化層103與電介質(zhì)105之間的界面但與電介質(zhì)107介接。在一些實(shí)施例中，另一平行側(cè)106s與電介質(zhì)107接觸。與導(dǎo)電跡線108連接的經(jīng)暴露部分106e位于背對(duì)鈍化層103與電介質(zhì)105之間的界面的平行側(cè)處。

導(dǎo)電跡線108行進(jìn)穿過(guò)經(jīng)暴露部分106e且進(jìn)一步沿著凹槽107a的側(cè)壁走線。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線108沿著凹槽107a的側(cè)壁走線且進(jìn)一步彎曲到不同方向。導(dǎo)電跡線108的一部分沿著電介質(zhì)107的表面行進(jìn)，其中所述表面大體上平行于導(dǎo)電層106。

導(dǎo)電層106及導(dǎo)電跡線108兩者均可配置為重布層(rdl)或鈍化后互連件(postpassivationinterconnect)(ppi)。由于導(dǎo)電跡線108的一部分伸展到導(dǎo)電層106上面，因此導(dǎo)電跡線108還經(jīng)配置以連接到凸塊下金屬(ubm)或?qū)щ娡箟K。導(dǎo)電跡線108的一部分還配置為導(dǎo)電層106與導(dǎo)電墊102a之間的互連件。導(dǎo)電跡線108的一端連接到導(dǎo)電墊102a，接著向上延伸且沿著凹槽103a、凹槽105a及凹槽107a的輪廓走線。在延伸跨度中，導(dǎo)電跡線108將其它層間rdl(例如導(dǎo)電層106)與導(dǎo)電墊102a電耦合。

通過(guò)導(dǎo)電跡線108，可節(jié)省用于放置導(dǎo)電層106與導(dǎo)電墊102a之間的中間通路的布局區(qū)域。導(dǎo)電跡線108可同時(shí)配置為頂部層級(jí)rdl及用以耦合頂部層級(jí)rdl與導(dǎo)電墊102a之間的導(dǎo)電層的互連件。

模塑料104環(huán)繞半導(dǎo)體襯底102、鈍化層103及電介質(zhì)105。在一些實(shí)施例中，模塑物104鄰近于半導(dǎo)體襯底102的側(cè)壁102d而放置。在一些實(shí)施例中，模塑物104鄰近于鈍化層103的側(cè)壁103d及電介質(zhì)105的側(cè)壁105d而放置。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)105的頂部表面105b與模塑物104的頂部表面104a大體上共面。在一些實(shí)施例中，模塑物104的拐角104b呈臺(tái)階式配置。拐角104b凹陷遠(yuǎn)離模塑物104與半導(dǎo)體襯底102之間的界面104c。

在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)105進(jìn)一步橫向延伸且延伸跨越界面104c。電介質(zhì)105的一部分105c安置于模塑物104上方。模塑物104包含各種材料，舉例來(lái)說(shuō)環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛硬化劑、二氧化硅、催化劑、色素、脫模劑等等中的一或多者。用于形成模塑料的材料具有高導(dǎo)熱率、低濕氣吸收率、高撓曲強(qiáng)度(在板安裝溫度下)或這些的組合。

在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)109放置于導(dǎo)電跡線108上方。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)109包含用于接納導(dǎo)電材料(例如銅等)的凹槽109a。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)109包含聚合材料，例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并唑(pbo)、抗焊劑(sr)、abf膜等等。電介質(zhì)107可通過(guò)導(dǎo)電跡線108部分地暴露且與電介質(zhì)109接觸。

導(dǎo)電跡線108由電介質(zhì)109部分地覆蓋，所述電介質(zhì)經(jīng)設(shè)計(jì)以使導(dǎo)電跡線108與濕氣或反應(yīng)隔離。然而，導(dǎo)電跡線108在電介質(zhì)107上的至少一部分通過(guò)電介質(zhì)109中的凹槽109a從電介質(zhì)109暴露。電介質(zhì)109使凹槽109a暴露導(dǎo)電跡線108的一部分以便提供用于接納凸塊下金屬(ubm)110的頂部表面108a。導(dǎo)電凸塊115放置于ubm110上。在一些實(shí)施例中，用金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、鈀及/或其合金形成ubm110。在一些實(shí)施例中，凸塊下金屬(ubm)是選用構(gòu)件，使得導(dǎo)電凸塊115直接放置于導(dǎo)電跡線108上。

仍參考圖1a，半導(dǎo)體裝置100中的導(dǎo)電構(gòu)件可分類(lèi)成三個(gè)不同層級(jí)。將半導(dǎo)體襯底102作為最底部層級(jí)的參考以便較好地理解以下描述。導(dǎo)電墊102a在半導(dǎo)體襯底102上方且稱(chēng)作第一層級(jí)導(dǎo)體。導(dǎo)電層106稱(chēng)作第二層級(jí)導(dǎo)體。在一些實(shí)施例中，在電介質(zhì)105或鈍化層103內(nèi)不存在通路或互連件。換句話說(shuō)，第一層級(jí)導(dǎo)體與第二層級(jí)導(dǎo)體之間的電介質(zhì)復(fù)合物不含導(dǎo)電構(gòu)件。導(dǎo)電跡線108配置為部分第三層級(jí)導(dǎo)體且還經(jīng)延伸以與第一層級(jí)導(dǎo)體及第二層級(jí)導(dǎo)體接觸。第一層級(jí)導(dǎo)體(導(dǎo)電墊102a)與第二層級(jí)導(dǎo)體(導(dǎo)電層106)通過(guò)第一層級(jí)導(dǎo)體與第二層級(jí)導(dǎo)體之間的電介質(zhì)外部的導(dǎo)體電連接。

第三層級(jí)導(dǎo)體的一部分沿著鈍化層103中的凹槽103a的形態(tài)走線。在一些實(shí)施例中，第三層級(jí)導(dǎo)體是作為翼(wing)且從導(dǎo)電墊102a對(duì)稱(chēng)地進(jìn)行橫跨。電介質(zhì)復(fù)合物(電介質(zhì)105及電介質(zhì)107)共同具有包含呈臺(tái)階式配置的拐角的凹槽且第三層級(jí)導(dǎo)體的一部分沿著臺(tái)階式拐角走線。

圖1b展示半導(dǎo)體裝置100的一部分。上部剖面圖包含導(dǎo)電墊102a及導(dǎo)電層106。省略導(dǎo)電跡線108以便簡(jiǎn)化圖解說(shuō)明。在剖面圖之下圖解說(shuō)明導(dǎo)電墊102a及導(dǎo)電層106的俯視圖。在圖1b中，ra定義為凹槽103a的直徑、rb定義為凹槽105a的直徑且rc定義為導(dǎo)電層106的直徑。在一些實(shí)施例中，直徑ra小于直徑rb，且直徑rb小于直徑rc。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊102a的頂部表面102c的一部分通過(guò)凹槽103a及凹槽105a暴露。從俯視圖角度來(lái)看，導(dǎo)電層106配置為環(huán)路且導(dǎo)電墊102a位于所述環(huán)路內(nèi)部。在一些實(shí)施例中，從俯視圖角度來(lái)看，導(dǎo)電層106的布局不與導(dǎo)電墊102a重疊。

圖2展示半導(dǎo)體裝置300的另一實(shí)施例。半導(dǎo)體裝置300包含類(lèi)似于圖1b中的半導(dǎo)體100的結(jié)構(gòu)，使得在本文中不對(duì)利用相同數(shù)字標(biāo)記來(lái)指示的元件的細(xì)節(jié)進(jìn)行重復(fù)。圍繞導(dǎo)電墊102a的導(dǎo)電層106不呈閉合環(huán)路配置。從俯視圖角度(圖中的下部部分)來(lái)看，導(dǎo)電層106呈具有一端開(kāi)口的c形狀。在剖面圖中，導(dǎo)電層106僅展示在對(duì)應(yīng)導(dǎo)電墊102a的一側(cè)中。

圖3是放置于導(dǎo)電跡線108之下的導(dǎo)電層的俯視圖。導(dǎo)電層包含數(shù)個(gè)c形環(huán)106b。每一c形環(huán)106b由對(duì)應(yīng)導(dǎo)電跡線108部分地覆蓋。每一c形環(huán)106b還連接到延伸部分106c。在一些實(shí)施例中，延伸部分106c是延展的rdl。

圖4a到圖4k包含制造圖1中的半導(dǎo)體裝置100的方法的操作。所述方法包含操作201、202、203、204、205、206、207、208、209及210，如對(duì)應(yīng)圖式中所展示。

在操作201中，提供襯底400作為載體或支撐件。將犧牲膜401放置于襯底400上(如圖4a中)。在操作202中，將導(dǎo)電層106放置于犧牲膜401上(如圖4b中)。導(dǎo)電層106的形成可包含圖案化光致抗蝕劑且接著將導(dǎo)電材料電鍍到光致抗蝕劑中的經(jīng)圖案化孔或溝槽中。在形成經(jīng)圖案化導(dǎo)電層106之后，將光致抗蝕劑剝除。

在操作203中，將電介質(zhì)105放置于犧牲膜401及導(dǎo)電層106上(如圖4c中)。電介質(zhì)的形成可包含用以在導(dǎo)電層106及犧牲膜401上方生長(zhǎng)毯覆膜的一些沉積工藝。引入圖案化工藝以移除過(guò)多電介質(zhì)材料以形成經(jīng)圖案化電介質(zhì)105。

在操作204中，提供半導(dǎo)體裸片402，且將半導(dǎo)體裸片402翻轉(zhuǎn)倒置并附接到襯底400(如圖4d中)。主動(dòng)表面(與半導(dǎo)體襯底102的背側(cè)相對(duì))面朝導(dǎo)電層106。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片402包含半導(dǎo)體襯底102、半導(dǎo)體襯底102的表面102b上的導(dǎo)電墊102a及表面102b上的鈍化層103。在一些實(shí)施例中，將襯底400翻轉(zhuǎn)倒置并附接到半導(dǎo)體裸片402。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片402是從晶片單?；陌雽?dǎo)體芯片。在放置于襯底400上方之前，半導(dǎo)體裸片402可經(jīng)歷一系列晶片層級(jí)半導(dǎo)體操作。舉例來(lái)說(shuō)，提供半導(dǎo)體晶片且在半導(dǎo)體襯底中形成例如cmos、二極管等裝置。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)電介質(zhì)到電介質(zhì)接合而將鈍化層103接合到電介質(zhì)105。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)105的邊緣不與半導(dǎo)體襯底102的邊緣對(duì)準(zhǔn)。如圖4d中，半導(dǎo)體裸片402的側(cè)壁邊緣102d不與電介質(zhì)105的外部邊緣對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，將半導(dǎo)體裸片402附接于一位置中，使得電介質(zhì)105的一部分105c進(jìn)一步突出遠(yuǎn)離側(cè)壁102d。

在操作205中，將模塑物104放置于襯底400上方以環(huán)繞半導(dǎo)體裸片402。將襯底400翻轉(zhuǎn)倒置(如圖4e中)。將模塑物104放置于犧牲膜401上以環(huán)繞半導(dǎo)體裸片402。引入移除或平坦化操作以移除模塑物104的一部分以便暴露半導(dǎo)體襯底102的背側(cè)102d。在一些實(shí)施例中，在背側(cè)102d上不保留模塑物104。在一些實(shí)施例中，通過(guò)例如蝕刻或研磨等操作將模塑物104移除以便為共面的。

在操作206中，將襯底400及犧牲膜401移除(如圖4f中)。導(dǎo)電層106的一側(cè)從電介質(zhì)105暴露。在操作207中，將電介質(zhì)107放置于電介質(zhì)105及導(dǎo)電層106上方(如圖4g中)。在一些實(shí)施例中，將電介質(zhì)107放置于電介質(zhì)105及導(dǎo)電層106的一部分上。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電層106的一部分106e通過(guò)電介質(zhì)107的凹槽107a從電介質(zhì)107暴露。

在操作208中，將導(dǎo)電跡線108放置于半導(dǎo)體裸片402上方(如圖4h中)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)電鍍或?yàn)R鍍而放置導(dǎo)電跡線108。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電跡線108經(jīng)放置使得導(dǎo)電跡線108沿著鈍化層103的凹槽103a、電介質(zhì)105的凹槽105a、電介質(zhì)107的凹槽107a及電介質(zhì)107的頂部表面107b行進(jìn)。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)107包含聚合材料，例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并唑(pbo)、抗焊劑(sr)、abf膜等等。

在操作209中，將電介質(zhì)109放置于導(dǎo)電跡線108上方，形成凹槽109a以暴露導(dǎo)電跡線108的一部分108b，且如圖4i中放置接墊110。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)109包含聚合材料，例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并唑(pbo)、抗焊劑(sr)、abf膜等等。在一些實(shí)施例中，接墊110形成于導(dǎo)電跡線108的一部分108b及電介質(zhì)109上面。在一些實(shí)施例中，接墊110填充凹槽109a且從電介質(zhì)109的頂部表面109b延伸到導(dǎo)電跡線108的部分108b，使得接墊110與導(dǎo)電跡線108電連接。在一些實(shí)施例中，接墊110是凸塊下金屬(ubm)墊，所述凸塊下金屬墊是用于接納凸塊且將接墊110與半導(dǎo)體裸片402外部的電路電連接的可焊接表面。

在操作210中，將凸塊115放置于接墊110上(如圖4j中)。在一些實(shí)施例中，凸塊115為焊料凸塊、焊球、焊料膏等。在一些實(shí)施例中，凸塊115經(jīng)配置以用于與另一裸片、另一襯底或另一半導(dǎo)體封裝上的墊附接。在一些實(shí)施例中，凸塊115為導(dǎo)電凸塊或?qū)щ娊宇^。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊102a通過(guò)導(dǎo)電跡線108及接墊110而與凸塊115電連接。

在操作211中，將圖4j中所展示的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)倒置并附接到圖4k的底部處的另一襯底120。襯底120可為封裝襯底、板(例如，印刷電路板(pcb))、晶片、裸片、中介層襯底或其它適合襯底。凸塊結(jié)構(gòu)通過(guò)各種導(dǎo)電附接點(diǎn)耦合到襯底120。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電區(qū)122形成且圖案化于襯底120上。導(dǎo)電區(qū)122是接點(diǎn)墊或?qū)щ娵E線(其由掩模層124呈現(xiàn))的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模層124是形成且圖案化于襯底120上以暴露導(dǎo)電區(qū)122的抗焊劑層。掩模層124具有掩模開(kāi)口，所述掩模開(kāi)口提供用于焊料接頭形成的窗。舉例來(lái)說(shuō)，可將包含錫、鉛、銀、銅、鎳、鉍或其組合的合金的焊料層提供于導(dǎo)電區(qū)122上。半導(dǎo)體裝置100可通過(guò)接墊110與導(dǎo)電區(qū)122之間的接頭焊料結(jié)構(gòu)126耦合到襯底120。示范性耦合工藝包含助焊劑施加、芯片安放、熔融焊料接頭的回焊及/或助焊劑殘?jiān)那鍧崱０雽?dǎo)體襯底102、接頭焊料結(jié)構(gòu)126及其它襯底120可稱(chēng)為封裝組合件或在當(dāng)前實(shí)施例中稱(chēng)為倒裝芯片封裝組合件。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置100通過(guò)封裝凸塊與另一封裝接合以變?yōu)槎询B式封裝(packageonpackage)(pop)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置100通過(guò)封裝凸塊與另一封裝電連接。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置100的數(shù)個(gè)導(dǎo)電部件通過(guò)數(shù)個(gè)封裝凸塊與另一封裝的數(shù)個(gè)封裝墊對(duì)應(yīng)地接合以變?yōu)閜op。

在一些實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包含：半導(dǎo)體襯底；導(dǎo)電墊，其位于所述半導(dǎo)體襯底上；及第一電介質(zhì)，其位于所述半導(dǎo)體襯底上方。所述半導(dǎo)體裝置還包含：導(dǎo)電層，其放置于所述第一電介質(zhì)中；及第二電介質(zhì)，其放置于所述導(dǎo)電層上。在所述半導(dǎo)體裝置中，所述導(dǎo)電層的至少一部分從所述第一電介質(zhì)及所述第二電介質(zhì)暴露。所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包含導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線部分地位于所述第二電介質(zhì)上方且與所述導(dǎo)電層的所述經(jīng)暴露部分接觸。在所述半導(dǎo)體裝置中，所述導(dǎo)電跡線在一端處連接到所述導(dǎo)電墊。

在一些實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置包含：半導(dǎo)體襯底；導(dǎo)電墊，其位于所述半導(dǎo)體襯底上；及電介質(zhì)，其位于所述半導(dǎo)體襯底上方。所述半導(dǎo)體裝置還包含模塑料，所述模塑料環(huán)繞所述半導(dǎo)體襯底、所述導(dǎo)電墊及所述電介質(zhì)。在所述半導(dǎo)體裝置中，所述模塑料包括從所述模塑料與所述半導(dǎo)體襯底之間的界面凹陷的拐角。

在一些實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法包含：提供襯底；將導(dǎo)電跡線放置于襯底上方；及將電介質(zhì)放置于所述導(dǎo)電跡線上。所述方法進(jìn)一步包含：提供半導(dǎo)體裸片且將所述半導(dǎo)體裸片翻轉(zhuǎn)倒置以將所述半導(dǎo)體裸片附接到所述襯底；及移除半導(dǎo)體襯底以暴露所述導(dǎo)電跡線。

前述內(nèi)容概述數(shù)個(gè)實(shí)施例的構(gòu)件，使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可較好地理解本揭露的方面。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，其可容易地使用本揭露作為設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文中介紹的實(shí)施例相同的目的及/或?qū)崿F(xiàn)與所述實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)的其它工藝及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識(shí)到，此類(lèi)等效構(gòu)造并不背離本揭露的精神及范圍，且其可在不背離本揭露的精神及范圍的情況下在本文中做出各種改變、替換及更改。