技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例揭示一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包含：半導(dǎo)體襯底；導(dǎo)電墊，其位于所述半導(dǎo)體襯底上；及第一電介質(zhì)，其位于所述半導(dǎo)體襯底上方。所述半導(dǎo)體裝置還包含：導(dǎo)電層，其放置于所述第一電介質(zhì)中；及第二電介質(zhì)，其放置于所述導(dǎo)電層上。在所述半導(dǎo)體裝置中，所述導(dǎo)電層的至少一部分從所述第一電介質(zhì)及所述第二電介質(zhì)暴露。所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包含導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線部分地位于所述第二電介質(zhì)上方且與所述導(dǎo)電層的所述經(jīng)暴露部分接觸。在所述半導(dǎo)體裝置中，所述導(dǎo)電跡線在一端處連接到所述導(dǎo)電墊。

技術(shù)研發(fā)人員：陳承先;黃育智;陳玉芬;潘國(guó)龍;鄭余任;李明機(jī);普翰屏;張緯森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.25
技術(shù)公布日：2017.07.04