本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板、陣列基板的制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)行業(yè)中，常規(guī)的陣列基板制備流程為：柵極→絕緣層→有源層→源漏電極→保護(hù)層。

在陣列基板設(shè)置有TFT的位置要比其他位置要多出了柵極、有源層、源漏電極等功能圖形，因此會(huì)產(chǎn)生較大的段差。較大的段差會(huì)影響后續(xù)配向膜的涂覆以及液晶擴(kuò)散，并且在Rubbing工藝(制作配向膜的摩擦工藝)中很容易形成Rubbing弱區(qū)，從而影響顯示，使畫(huà)面產(chǎn)生殘影、漏光等不良現(xiàn)象，影響了產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是減少現(xiàn)有陣列基板上所形成的圖層段差。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的功能膜層圖形和覆蓋功能膜層圖形的絕緣層，所述絕緣層表面的段差小于預(yù)設(shè)閾值。

進(jìn)一步地，所述功能膜層圖形包括柵金屬層圖形，所述絕緣層包括覆蓋柵金屬層圖形的柵絕緣層；所述陣列基板還包括：

第一犧牲層，所述柵金屬層圖形嵌入所述第一犧牲層，且所述柵金屬層圖形的表面與所述第一犧牲層的表面齊平。

進(jìn)一步地，所述功能膜層圖形包括源漏金屬層圖形，所述絕緣層包括覆蓋源漏金屬層圖形的鈍化層；所述陣列基板還包括：

第二犧牲層，所述陣列基板的有源層嵌入所述第二犧牲層，且所述有源層的表面與所述第二犧牲層的表面位于同一平面上，所述源漏金屬層圖形形成在該平面上。

進(jìn)一步地，所述第二犧牲層為柵絕緣層，所述有源層嵌入但不貫通所述柵絕緣層。

進(jìn)一步地，所述功能膜層圖形包括源漏金屬層圖形和有源層，所述絕緣層包括覆蓋源漏金屬層圖形和有源層的柵絕緣層；所述陣列基板還包括：

第三犧牲層，所述陣列基板的有源層和源漏金屬層圖形嵌入所述第三犧牲層，且所述有源層的表面與所述第三犧牲層的表面齊平。

進(jìn)一步地，所述功能膜層圖形包括柵金屬層圖形，所述柵金屬層圖形嵌入但不貫通所述柵絕緣層，且所述柵金屬層圖形的表面與所述柵絕緣層的表面齊平。

進(jìn)一步地，所述功能膜層圖形包括源漏金屬層圖形，所述絕緣層包括覆蓋源漏金屬層圖形的鈍化層；所述陣列基板還包括：

第四犧牲層，所述陣列基板的源漏金屬層圖形嵌入所述第四犧牲層，且所述源漏金屬層圖形的表面與所述第四犧牲層的表面位于同一平面上，所述柵絕緣層位于所述源漏金屬層圖形與柵金屬層圖形之間。

進(jìn)一步地，述功能膜層圖形包括形成在所述柵絕緣層上的有源層，所述陣列基板還包括：

第五犧牲層，所述陣列基板的有源層嵌入所述第五犧牲層，且所述有源層的表面與所述第五犧牲層的表面齊平，所述有源層與所述源漏金屬層接觸，并位于所述源漏金屬層與所述柵絕緣層之間。

進(jìn)一步地，所述第五犧牲層為所述柵絕緣層，所述源漏金屬層圖形嵌入但不貫通所述柵絕緣層。

另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成的功能膜層圖形和覆蓋功能膜層圖形的絕緣層的步驟，所述絕緣層表面的段差小于預(yù)設(shè)閾值。

進(jìn)一步地，所述絕緣層包括犧牲層，在襯底基板上形成的功能膜層圖形和覆蓋功能膜層圖形的絕緣層的步驟，包括：

在襯底基板上形成犧牲層；

對(duì)所述犧牲層進(jìn)行刻蝕，使所述犧牲層形成凹槽結(jié)構(gòu)；

在所述犧牲層的凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成功能膜層圖形，所述功能膜層圖形的表面與所述犧牲層的表面齊平。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板。

本發(fā)明的上述方案具有如下有益效果：

本發(fā)明在陣列基板上設(shè)置段差小于預(yù)設(shè)閾值的絕緣層從而提高陣列基板表面的平整度。在后續(xù)涂覆配向膜時(shí)，較小的段差可以避免配向膜出現(xiàn)斷裂或Rubbing弱區(qū)，從而防止導(dǎo)致液晶無(wú)法正常偏轉(zhuǎn)，產(chǎn)生不良的顯示效果。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖4分別為本發(fā)明的陣列基板的幾種實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5A-圖5C為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖6A-圖6H本發(fā)明的陣列基板的制作方法制作圖2所示的陣列基板的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

針對(duì)現(xiàn)有陣列基板的圖層結(jié)構(gòu)具有較大的段差問(wèn)題，本發(fā)明提供一種解決方案。

一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，如圖1所示，包括：

形成在襯底基板11上的功能膜層圖形12和覆蓋功能膜層圖形12的絕緣層13，該絕緣層表面13的段差h小于預(yù)設(shè)閾值。

本實(shí)施例的陣列基板通過(guò)設(shè)置段差小于預(yù)設(shè)閾值的絕緣層從而提高陣列基板表面的平整度。在后續(xù)涂覆配向膜時(shí)，較小的段差可以避免配向膜出現(xiàn)斷裂或摩擦弱區(qū)，從而解決因液晶偏轉(zhuǎn)異常而致使顯示畫(huà)面產(chǎn)生殘影、漏光等不良現(xiàn)象。

下面結(jié)合幾個(gè)實(shí)現(xiàn)方式，對(duì)本實(shí)施例的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)介紹。

實(shí)現(xiàn)方式一

如圖2所示，在本實(shí)現(xiàn)方式一中，功能膜層圖形包括柵金屬層圖形，該柵金屬層圖形包括柵極和公共電極線，絕緣層包括覆蓋柵金屬層圖形的柵絕緣層。

本實(shí)現(xiàn)方式的陣列基板還包括：

第一犧牲層21，其中柵金屬層圖形(柵極和公共電極線)嵌入該第一犧牲層21，且其表面與第一犧牲層21的表面齊平。

顯然基于上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)現(xiàn)方式一可以有效減少柵金屬層圖形對(duì)整個(gè)圖層結(jié)構(gòu)所帶來(lái)的段差。

此外，在上述基礎(chǔ)之上，本實(shí)際應(yīng)用的功能膜層圖形還可以進(jìn)一步包括源漏金屬層圖形，該源漏金屬層圖形主要包括源極S和漏極D。本實(shí)施例的絕緣層還進(jìn)一步包括覆蓋源漏金屬層圖形的鈍化層PVX。

對(duì)應(yīng)地，陣列基板還包括有：第二犧牲層22和有源層。

其中，有源層嵌入第二犧牲層22，且其表面與第二犧牲層22的表面位于同一平面，源漏金屬層圖形(源極S和漏極D)形成在第二犧牲層22的平面上。

從圖2所示結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)際應(yīng)用一的陣列基板最終能使鈍化層形成的段差僅為源漏金屬層圖形(源極S和漏極D)的厚度，相比于現(xiàn)有技術(shù)，段差到了有效的減小。

此外，作為優(yōu)選方案，柵絕緣層可復(fù)用為第二犧牲層22，即圖2所示結(jié)構(gòu)不再需要設(shè)置第二犧牲層22，而有源層嵌入但不貫通柵絕緣層，并且有源層的表面與柵絕緣層的表面在同一平面，顯然基于該設(shè)計(jì)，可以減少陣列基板的圖層數(shù)量，從而簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝以及結(jié)構(gòu)。

實(shí)現(xiàn)方式二

如圖3所示，在本實(shí)現(xiàn)方式二中，功能膜層圖形包括源漏金屬層圖形(源極S和漏極D)和有源層。絕緣層包括：覆蓋源漏金屬層圖形和有源層的柵絕緣層；

本實(shí)現(xiàn)方式二中的陣列基板還包括：第三犧牲層23。其中，有源層和源漏金屬層圖形(源極S和漏極D)嵌入該第三犧牲層23，且有源層的表面與第三犧牲層的表面齊平。

看以看出，實(shí)現(xiàn)方式二的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以完全消除有源層和源漏金屬層圖形(源極S和漏極D)在陣列基板上所產(chǎn)生的段差。

進(jìn)一步地，在上述基礎(chǔ)之上，本實(shí)現(xiàn)方式二的功能膜層圖形包括柵金屬層圖形(柵極和公共電極線)以及柵絕緣層，該柵金屬層圖形嵌入但不貫通柵絕緣層，且柵金屬層圖形的表面與柵絕緣層的表面齊平。

通過(guò)圖3所示的結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)現(xiàn)方式二的陣列基板在設(shè)置有薄膜晶體管區(qū)域上幾乎沒(méi)有形成段差。

實(shí)現(xiàn)方式三

在本實(shí)現(xiàn)方式三中，功能膜層圖形包括：柵金屬層圖形，如柵極以及公共電極線，絕緣層包括覆蓋柵金屬層圖形的柵絕緣層。

進(jìn)一步地，如圖4所示，本實(shí)現(xiàn)方式三的陣列基板還包括：第一犧牲層21，柵金屬層圖形(柵極和公共電極線)嵌入第一犧牲層21，且其表面與第一犧牲層21的表面齊平。

顯然基于上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)現(xiàn)方式三的陣列基板消除了柵金屬層圖形對(duì)整個(gè)圖層結(jié)構(gòu)帶來(lái)的段差。

進(jìn)一步地，本實(shí)現(xiàn)方式三中的功能膜層圖形還包括源漏金屬層圖形，絕緣層還包括覆蓋源漏金屬層圖形的鈍化層；其中，陣列基板還進(jìn)一步包括：

第四犧牲層24，該源漏金屬層圖形嵌入第四犧牲層24，且源漏金屬層圖形的表面與第四犧牲層24的表面位于同一平面上，述柵絕緣層位于所述源漏金屬層圖形與柵金屬層圖形之間。

此外，本實(shí)現(xiàn)方式三的功能膜層圖形還包括形成在柵絕緣層上的有源層；陣列基板還進(jìn)一步包括：

第五犧牲層25，有源層嵌入該第五犧牲層25，且有源層的表面與第五犧牲層25的表面齊平；此外，有源層與源漏金屬層接觸，并位于源漏金屬層與柵絕緣層之間。

從圖4所示結(jié)構(gòu)可以看出，本實(shí)施例三的陣列基板在設(shè)置有薄膜晶體管區(qū)域上幾乎沒(méi)有形成段差。

此外，作為優(yōu)選方案，本實(shí)施例三可以將柵絕緣層復(fù)用第五犧牲層25，即圖4所示結(jié)構(gòu)不再單獨(dú)設(shè)置第五犧牲層25，源漏金屬層圖形可以嵌入但不貫通柵絕緣層，與該柵絕緣層的表面位于同一平面。

以上是三個(gè)實(shí)現(xiàn)方式僅用于示例性介紹本實(shí)施例陣列基板的結(jié)構(gòu)，但凡是將功能膜層圖形嵌入犧牲層，并與犧牲層的表面位于同一平面的技術(shù)方案都應(yīng)屬于本發(fā)明所保護(hù)的范圍。

另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成的功能膜層圖形和覆蓋功能膜層圖形的絕緣層的步驟，所述絕緣層表面的段差小于預(yù)設(shè)閾值。

本實(shí)施例的制作方法通過(guò)設(shè)置段差小于預(yù)設(shè)閾值的絕緣層從而提高陣列基板表面的平整度。在后續(xù)涂覆配向膜時(shí)，較小的段差可以避免配向膜出現(xiàn)斷裂或摩擦弱區(qū)，從而解決因液晶偏轉(zhuǎn)異常而致使顯示畫(huà)面產(chǎn)生殘影、漏光等不良現(xiàn)象。

具體地，本實(shí)施例的絕緣層包括犧牲層，在襯底基板上形成的功能膜層圖形和覆蓋功能膜層圖形的絕緣層的步驟包括：

步驟一，參考圖5A，在襯底基板上51形成犧牲層52；

步驟二，參考圖5B，對(duì)犧牲層52進(jìn)行刻蝕，使?fàn)奚鼘?2形成凹槽結(jié)構(gòu)；

步驟三，參考圖5C，在犧牲層的凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成功能膜層圖形53，該功能膜層圖形53的表面與犧牲層52的表面齊平。

顯然，從上述步驟一至步驟三可以看出，基于本實(shí)施例的制作方法，不僅可以消除功能膜層圖形的段差，在功能膜層圖形制作后的清洗過(guò)程中，犧牲層還可以對(duì)功能膜層圖形提供保護(hù)，防止功能膜層圖形從陣列基板上脫落。

在實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的犧牲層52可以是選用耐腐蝕、透光性好、性能穩(wěn)定且絕緣的材料制成，如SiNx，且犧牲層52沉積厚度不小于功能膜層圖形53的厚度。此外，本實(shí)施例的制作方法并不限定沉積犧牲層52以及對(duì)其刻蝕凹槽結(jié)構(gòu)的方式，例如可以采用旋涂、滴鑄、噴墨打印、剪切的方式形成犧牲層52，采用溶液滴注、等離子體轟擊方式將犧牲層52刻蝕出凹槽結(jié)構(gòu)。

下面結(jié)合一個(gè)具體實(shí)現(xiàn)方式對(duì)本實(shí)施例的制作方法進(jìn)行介紹。

假設(shè)本實(shí)施例的制作方法用于制作圖2所示的陣列基板，則包括如下步驟：

步驟61，參考圖6A，在襯底基板上沉積第一犧牲層21；

步驟62，參考圖6B，在第一犧牲層21刻蝕與柵金屬層圖形對(duì)應(yīng)(包括柵極以及公共電極線)的凹槽結(jié)構(gòu)；

步驟63，參考圖6C，在第一犧牲層21的凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積柵金屬層材料，形成柵極以及公共電極線；

作為示例性介紹，在步驟63中，可先在第一犧牲層21非凹槽結(jié)構(gòu)的區(qū)域上形成光刻膠的保護(hù)層，之后選擇真空蒸鍍或者電子束蒸發(fā)的方式在第一犧牲層21的凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積柵金屬層材料，在沉積完成后，剝離光刻膠即可；

當(dāng)然，作為其他可行方案，在步驟63中，也可以在第一犧牲層21非凹槽結(jié)構(gòu)的區(qū)域上形成強(qiáng)度更高的保護(hù)圖層，之后直接采用濺射方式對(duì)凹槽結(jié)構(gòu)濺射柵金屬層材料；其中，濺射過(guò)程分為兩個(gè)階段，在第一階段可以慢速濺射柵金屬層材料，避免破壞已有圖層，在柵金屬層材料沉積一定量后，進(jìn)入第二階段，提高柵金屬層材料的濺射速度，從而快速制備柵金屬層圖形，在柵金屬層圖形制作完成后，對(duì)保護(hù)圖形進(jìn)行剝離。

步驟64，參考圖6D，形成柵絕緣層、第二犧牲層22；在本步驟中，若柵絕緣層復(fù)用第二犧牲層22，則可以直接制作柵絕緣層即可；

步驟65，參考圖6E，在第二犧牲層22刻蝕出對(duì)應(yīng)有源層形狀的凹槽結(jié)構(gòu)。

步驟66，參考圖6F，在第二犧牲層22的凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積半導(dǎo)體材料，從而形成有源層。

步驟67，參考圖6G，在第二犧牲層22上制作源漏金屬圖形，包括有源極S和漏極D；

步驟68，參考圖6H，沉積鈍化層。

以上是對(duì)本實(shí)施例的制作方法的示例性介紹，當(dāng)然出上述實(shí)現(xiàn)方式外，本實(shí)施例也可以制作出如圖3和如圖4所示的陣列基板。

此外，本發(fā)明還提供一種顯示面板以及顯示裝置。其中，本發(fā)明的顯示面板包括有上述陣列基板，本發(fā)明的顯示裝置包括該顯示面板。基于本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本發(fā)明的顯示面板以及顯示裝置能夠有效消除因配向膜涂覆問(wèn)題所產(chǎn)生的殘影、漏光等不良顯示現(xiàn)象。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。