技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。在使用氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體器件中，防止MISFET具有降低的可控性，這在構(gòu)成MISFET的柵極電極的鎢膜具有拉伸應(yīng)力時會發(fā)生。通過具有相對小的晶粒尺寸并且不具有拉伸應(yīng)力的晶粒的鎢膜，形成具有AlGN/GaN異質(zhì)結(jié)的MISFET的柵極電極。鎢膜的晶粒的晶粒尺寸小于構(gòu)成柵極電極并形成在鎢膜下方的勢壘金屬膜的晶粒的晶粒尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：中山知士;川口宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.02
技術(shù)公布日：2017.07.28