技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及基于溝槽的電荷泵裝置，其提供一種半導體裝置，包括全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)襯底及電荷泵裝置，其中，該FDSOI襯底包括半導體塊體襯底，且該電荷泵裝置包括形成于該FDSOI襯底中及上的晶體管裝置，以及形成于該半導體塊體襯底中并與該晶體管裝置電性連接的溝槽電容器。本發(fā)明還提供一種半導體裝置，包括：半導體塊體襯底，包括第一源/漏區(qū)的第一晶體管裝置，包括第二源/漏區(qū)的第二晶體管裝置，包括第一內電容器電極及第一外電容器電極的第一溝槽電容器，以及包括第二內電容器電極及第二外電容器電極的第二溝槽電容器，其中，該第一內電容器電極與該第一源/漏區(qū)連接，且該第二內電容器電極與該第二源/漏區(qū)連接。

技術研發(fā)人員：漢斯-彼特·摩爾;彼特·巴爾斯;朱爾根·法爾
受保護的技術使用者：格羅方德半導體公司
技術研發(fā)日：2016.12.05
技術公布日：2017.08.08