技術(shù)總結(jié)
公開了一種隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)，其包括半導(dǎo)體材料的源極?溝道?漏極結(jié)構(gòu)。該源極?溝道?漏極結(jié)構(gòu)包括n型或p型摻雜的源極區(qū)，與該源極區(qū)相反摻雜的漏極區(qū)和位于該源極區(qū)和該漏極區(qū)之間的固有或低摻雜的溝道區(qū)。該TFET進(jìn)一步包括覆蓋該溝道區(qū)的參考柵極結(jié)構(gòu)，以及在該參考柵極結(jié)構(gòu)旁的源極側(cè)柵極結(jié)構(gòu)，其中該源極側(cè)柵極結(jié)構(gòu)的功函和/或靜電電位，以及該參考柵極結(jié)構(gòu)的參考功函和/或靜電電位被選擇用于允許操作中的TFET器件的隧穿機(jī)制在該溝道區(qū)中在該源極側(cè)柵極結(jié)構(gòu)和該參考柵極結(jié)構(gòu)之間的界面或界面區(qū)處發(fā)生。

技術(shù)研發(fā)人員：M·A·普爾加德里;A·阿蓮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：IMEC非營(yíng)利協(xié)會(huì)
文檔號(hào)碼：201611103068
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.05
技術(shù)公布日：2017.06.30