1.一種芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括一芯片，所述芯片包含第一表面、與其相對(duì)的第二表面，以及側(cè)面；所述第一表面包含焊墊以及與其電連接的凸點(diǎn)，所述芯片的第一表面及側(cè)面上包封有可光刻聚合物材料，所述第一表面上的可光刻聚合物材料暴露出所述凸點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片的第二表面設(shè)置有保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述凸點(diǎn)表面低于所述可光刻聚合物材料表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述可光刻聚合物材料為可光刻膠或干膜，第一表面上可光刻聚合物材料的厚度大于10微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片側(cè)面上可光刻聚合物材料的厚度大于1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述保護(hù)層的材料為樹(shù)脂類的膠或干膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述保護(hù)層的厚度為5μm至40μm。
8.一種芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟一：提供一具有若干芯片單元的晶圓，各芯片單元之間具有切割道，該晶圓具有第一表面和與其相對(duì)的第二表面，每個(gè)芯片單元的第一表面包含有焊墊，在每個(gè)芯片單元的第一表面上形成與其上焊墊電連接的凸點(diǎn)；
步驟二：在各芯片單元之間的切割道處開(kāi)設(shè)自第一表面向第二表面延伸的溝槽；
步驟三：在晶圓的第一表面上覆蓋一層可光刻聚合物材料，完成溝槽填充和晶圓第一表面的保護(hù)；
步驟四：對(duì)可光刻聚合物材料進(jìn)行曝光、顯影制程暴露出每個(gè)芯片單元上的凸點(diǎn)，然后對(duì)晶圓第二表面進(jìn)行減薄，減薄至露出溝槽內(nèi)填充的可光刻聚合物材料；
步驟五：在晶圓第二表面上鋪設(shè)保護(hù)層；
步驟六：沿切割道對(duì)晶圓進(jìn)行切割，將溝槽及其內(nèi)填充的可光刻聚合物材料分割開(kāi)，形成單顆芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述溝槽寬度小于90μm，大于50μm。