1.一種半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，包括：
至少一個(gè)或至少第一半導(dǎo)體部件(110)，包括半導(dǎo)體襯底；以及
阻擋層(120，220，320)，至少設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分上、所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分中或所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分處，其中所述阻擋層(120，220，320)包括聚合材料以及共價(jià)結(jié)合到所述聚合材料的有機(jī)金屬絡(luò)合劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述金屬絡(luò)合劑能夠至少為冠醚和/或穴醚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，進(jìn)一步包括封裝(130)，包覆所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)和阻擋層(120，220，320)，特別地，其中所述封裝(130)由不同于所述阻擋層(120，220，320)的聚合材料的成型材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述阻擋層(120，320)至少部分地設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)和所述封裝(130)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體器件(300，400)，進(jìn)一步包括至少部分地嵌入所述封裝(130)的引線框架(310，410)，其中所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)被電連接到所述引線框架(310，410)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，300，400)，其中所述阻擋層(120，320)至少覆蓋所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的表面區(qū)域的部分。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(200)，其中所述阻擋層(220)作為中間層設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)中，特別地設(shè)置為中間介電層。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中共價(jià)結(jié)合到所述聚合材料的有機(jī)金屬絡(luò)合劑的濃度在每200g聚合材料1摩爾有機(jī)金屬絡(luò)合劑到每1500000g聚合材料1摩爾有機(jī)金屬絡(luò)合劑范圍內(nèi)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述冠醚包括以下中的至少一種：15-冠-5及其衍生物、18-冠-6及其衍生物、12-冠-4及其衍生物、21-冠-7及其衍生物、24-冠-8及其衍生物或它們的任意組合。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述穴醚包括以下中的至少一種：[2.2.2]穴醚(＝1,10-二氮雜-4,7,13,16,21,24-六氧雜二環(huán)[8.8.8]廿六烷)、[2.2.1]穴醚和/或其衍生物。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述聚合材料為由從由以下材料組成的組中選擇的單體的聚合作用生成的均聚物或共聚物：酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚硅酮、含有功能側(cè)鏈的單體、甲基丙烯酸酯及其任意組合。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，進(jìn)一步包括第二半導(dǎo)體部件(110B)，其中所述阻擋層(220)設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體部件(110A)和所述第二半導(dǎo)體部件(110B)之間。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述阻擋層(133，120)設(shè)置在所述封裝(130)的內(nèi)層(131)和外層(132)之間。
14.一種半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，包括：
至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)；以及
阻擋層(120，220，320)，至少設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分上或所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分處，其中所述阻擋層(120，220，320)包括聚合材料和嵌入所述聚合材料中的至少一個(gè)穴醚。
15.一種半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，包括：
至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)；以及
阻擋層(120，220，320)，至少設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分上、所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分中或所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)的部分處，其中所述阻擋層(120，220，320)包括由共價(jià)交叉結(jié)合的有機(jī)金屬絡(luò)合劑形成的聚合材料，其中所述金屬絡(luò)合劑能夠至少為冠醚和/或穴醚。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述阻擋層(120，220，320)被配置為例如陽離子的固定離子，所述固定離子擴(kuò)散到所述阻擋層(120，220，320)中，所述固定離子例如是鈉離子。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述阻擋層(120，220，320)配置為離子吸收層。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(100，200，300，400)，其中所述半導(dǎo)體器件是功率半導(dǎo)體器件。
19.一種半導(dǎo)體器件的封裝，包括聚合材料以及共價(jià)結(jié)合到所述聚合材料的有機(jī)金屬絡(luò)合劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝材料，其中所述聚合材料包括以下中的至少一種：環(huán)氧樹脂、PBO、PBI、聚酰亞胺、聚硅酮、BCB、PNB、聚硅氧烷、多環(huán)芳烴碳氟化合物，并且所述有機(jī)金屬絡(luò)合劑被共價(jià)結(jié)合到所述聚合材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的封裝材料，其中所述聚合材料包括共聚物，所述共聚物包括：(a)聚合物，包括以下中的至少一種：環(huán)氧樹脂、PBO、PBI、聚酰亞胺、聚硅酮、BCB、PNB、聚硅氧烷、多環(huán)芳烴碳氟化合物，并且所述有機(jī)金屬絡(luò)合劑被共價(jià)結(jié)合到所述聚合物；(b)聚合物，包括以下中的至少一種：環(huán)氧樹脂、PBO、PBI、聚酰亞胺、硅樹脂、BCB、PNB、聚硅氧烷、多環(huán)芳烴碳氟化合物中，但無有機(jī)金屬絡(luò)合劑。
22.一種制造功率半導(dǎo)體器件的方法，所述功率半導(dǎo)體器件具有至少一個(gè)半導(dǎo)體部件，所述方法包括：
通過以下中的至少一項(xiàng)制備阻擋材料
(1)將有機(jī)金屬絡(luò)合劑共價(jià)結(jié)合到聚合物，
(2)將有機(jī)金屬絡(luò)合劑和單體共聚合，以及
(3)共聚具有共價(jià)結(jié)合到單體的有機(jī)金屬絡(luò)合劑的單體和無有機(jī)金屬絡(luò)合劑的單體，
以形成聚合的阻擋材料；以及
將所述阻擋材料應(yīng)用到所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件的至少一部分，以形成阻擋層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述有機(jī)金屬絡(luò)合劑包括以下中的至少一種：冠醚和穴醚。
24.一種制造功率半導(dǎo)體器件的方法，所述功率半導(dǎo)體器件具有至少一個(gè)半導(dǎo)體部件，所述方法包括：
通過在聚合材料中嵌入至少一個(gè)穴醚來制備阻擋材料；以及
將所述阻擋材料應(yīng)用到所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件的至少一部分，以形成阻擋層。
25.一種制造功率半導(dǎo)體器件的方法，所述功率半導(dǎo)體器件具有至少一個(gè)半導(dǎo)體部件，所述方法包括：
制備由至少冠醚和/或穴醚組成的阻擋材料；以及
將所述阻擋材料應(yīng)用到所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件的至少一部分，以形成阻擋層。
26.根據(jù)權(quán)利要求22至25中任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括：
提供不同于所述阻擋層(120，220，320)的聚合材料的成型材料；以及
封裝所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)和阻擋層(120，220，320)，以形成包含所述成型材料的封裝模制件(130)。