技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種半導(dǎo)體器件(100A)。半導(dǎo)體器件包括：至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)，其具有半導(dǎo)體襯底；以及阻擋層(120)，其設(shè)置在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體部件(110)上面或其中一部分上，其中阻擋層(120)包括聚合材料以及與聚合材料共價(jià)結(jié)合的有機(jī)金屬絡(luò)合劑。

技術(shù)研發(fā)人員：S·施瓦布;H·哈特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技奧地利有限公司
文檔號(hào)碼：201611123975
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.06.16