本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前，國(guó)內(nèi)外應(yīng)用于等離子可重構(gòu)天線的SPiN二極管采用的材料均為體硅材料，此材料存在本征區(qū)載流子遷移率較低問題，影響SPiN二極管本征區(qū)載流子濃度，進(jìn)而影響其固態(tài)等離子體濃度；并且該結(jié)構(gòu)的P區(qū)與N區(qū)大多采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響SPiN二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

因此，選擇何種材料及工藝來(lái)制作一種SPiN二極管以應(yīng)用于固態(tài)等離子天線就變得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷和不足，本發(fā)明提出一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管及其制備方法。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制備方法，所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管用于制作固態(tài)等離子天線，所述制備方法包括步驟：

(a)選取GeOI襯底，

(b)刻蝕所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成第一溝槽和第二溝槽；

(c)在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)淀積GaAs材料；

(d)利用離子注入工藝對(duì)所述第一溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行P型離子注入形成P型有源區(qū)，對(duì)所述第二溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行N型離子注入形成N型有源區(qū)；

(e)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線孔并濺射金屬形成所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在步驟(b)之前，還包括：

(x1)在所述GeOI襯底表面淀積第一保護(hù)層；

(x2)采用第一掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以在所述GeOI襯底內(nèi)形成隔離溝槽；

(x3)利用CVD工藝在所述隔離溝槽內(nèi)填充隔離材料；

(x4)利用CMP工藝去除所述第一保護(hù)層及所述隔離溝槽外的所述隔離材料形成所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的隔離區(qū)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(x1)包括：

(x11)在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料形成第一SiO₂層；

(x12)在所述第一SiO₂層表面生成SiN材料形成第一SiN層以最終形成所述第一保護(hù)層。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(b)包括：

(b1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(b2)采用第二掩膜版，利用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第二保護(hù)層及所述頂層Ge層以在所述頂層Ge層形成所述第一溝槽和所述第二溝槽。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(b1)包括：

(b11)在所述GeOI襯底表面生成SiO₂材料形成第二SiO₂層；

(b12)在所述第二SiO₂層表面生成SiN材料形成第二SiN層以最終形成所述第二保護(hù)層。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在步驟(c)之前，還包括：

(y1)在800℃～900℃下，氧化所述第一溝槽和所述第二溝槽以在所述第一溝槽和所述第二溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(y2)利用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述第一型溝槽和所述第二溝槽內(nèi)壁的平整化。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(c)包括：

(c1)利用MOCVD工藝，在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)淀積GaAs材料；

(c2)利用CMP工藝，去除所述第一溝槽和所述第二溝槽外一定厚度的GaAs材料以完成所述第一溝槽和所述第二溝槽的平整化。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(d)包括：

(d1)采用第三掩膜版，利用離子注入工藝對(duì)所述第一溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行B離子注入形成所述P型有源區(qū)；

(d2)采用第四掩膜版，利用離子注入工藝在所述第二溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行P離子注入形成所述N型有源區(qū)；

(d3)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面淀積SiO₂材料，利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)的雜質(zhì)；

(d4)去除SiO₂材料。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，步驟(e)包括：

(e1)在整個(gè)襯底表面淀積SiO₂材料；

(e2)采用第五掩膜版，利用各向異性刻蝕工藝，刻蝕所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面部分位置的SiO₂材料形成所述引線孔；

(e3)在所述引線孔中濺射金屬材料；

(e4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管。

此外，本發(fā)明另一實(shí)施例提出的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管，用于制作固態(tài)等離子天線，所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管采用上述任意方法實(shí)施例制得。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例通過對(duì)SPiN二極管采用了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，從而提高了載流子的注入效率和電流，故使異質(zhì)鍺基SPiN二極管的性能優(yōu)于同質(zhì)SPiN二極管。并且，多晶GaAs材料和Ge的晶格失配特別小，所以異質(zhì)結(jié)界面處的界面太特別小，故提高了器件的性能。另外，常規(guī)制作SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)的制備工藝中，均采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響SPiN二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計(jì)，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因?yàn)槠鋺?yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制作方法流程圖；

圖2a-圖2r為本發(fā)明實(shí)施例的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN的制備方法示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的器件結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

本發(fā)明提出了一種適用于形成固態(tài)等離子體可重構(gòu)天線的GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制備方法及器件。該GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)是基于絕緣襯底上的鍺(Germanium-On-Insulator，簡(jiǎn)稱GeOI)形成橫向PiN二極管，其在加直流偏壓時(shí)，直流電流會(huì)在其表面形成自由載流子(電子和空穴)組成的固態(tài)等離子體，該等離子體具有類金屬特性，即對(duì)電磁波具有反射作用，其反射特性與表面等離子體的微波傳輸特性、濃度及分布密切相關(guān)。

GeOI橫向SPiN二極管等離子可重構(gòu)天線可以是由GeOI橫向SPiN二極管按陣列排列組合而成，利用外部控制陣列中的SPiN二極管選擇性導(dǎo)通，使該陣列形成動(dòng)態(tài)固態(tài)等離子體條紋、具備天線的功能，對(duì)特定電磁波具有發(fā)射和接收功能，并且該天線可通過陣列中SPiN二極管的選擇性導(dǎo)通，改變固態(tài)等離子體條紋形狀及分布，從而實(shí)現(xiàn)天線的重構(gòu)，在國(guó)防通訊與雷達(dá)技術(shù)方面具有重要的應(yīng)用前景。

以下，將對(duì)本發(fā)明制備的GeOI基SPiN二極管的工藝流程作進(jìn)一步詳細(xì)描述。在圖中，為了方便說明，放大或縮小了層和區(qū)域的厚度，所示大小并不代表實(shí)際尺寸。

實(shí)施例一

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制作方法流程圖，該方法適用于制備基于GeOI橫向SPiN二極管，且該GeOI橫向SPiN二極管主要用于制作固態(tài)等離子天線。該方法包括如下步驟：

(a)選取GeOI襯底，

(b)刻蝕所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成第一溝槽和第二溝槽；

(c)在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)淀積GaAs材料；

(d)利用離子注入工藝對(duì)所述第一溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行P型離子注入形成P型有源區(qū)，對(duì)所述第二溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行N型離子注入形成N型有源區(qū)；

(e)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線孔并濺射金屬形成所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管。

其中，對(duì)于步驟(a)，采用GeOI襯底的原因在于，對(duì)于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性，而SPiN二極管為了滿足這個(gè)需求，需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而GeOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成pin隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO₂)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層Ge中，所以優(yōu)選采用GeOI作為SPiN二極管的襯底。并且，由于鍺材料的載流子遷移率比較大，故可在I區(qū)內(nèi)形成較高的等離子體濃度，提高器件的性能。

另外，在步驟(b)之前，還包括：

(x1)在所述GeOI襯底表面淀積第一保護(hù)層；

(x2)采用第一掩膜版，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以在所述GeOI襯底內(nèi)形成隔離溝槽；

(x3)利用CVD工藝在所述隔離溝槽內(nèi)填充隔離材料；

(x4)利用CMP工藝去除所述第一保護(hù)層及所述隔離溝槽外的所述隔離材料形成

所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的隔離區(qū)。

具體地，第一保護(hù)層包括第一二氧化硅(SiO₂)層和第一氮化硅(SiN)層；則第一保護(hù)層的形成包括：在GeOI襯底表面生成二氧化硅(SiO₂)以形成第一二氧化硅(SiO₂)層；在第一二氧化硅(SiO₂)層表面生成氮化硅(SiN)以形成第一氮化硅(SiN)層。這樣做的好處在于，利用二氧化硅(SiO₂)的疏松特性，將氮化硅(SiN)的應(yīng)力隔離，使其不能傳導(dǎo)進(jìn)頂層Ge，保證了頂層Ge性能的穩(wěn)定；基于氮化硅(SiN)與Ge在干法刻蝕時(shí)的高選擇比，利用氮化硅(SiN)作為干法刻蝕的掩蔽膜，易于工藝實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，可以理解的是，保護(hù)層的層數(shù)以及保護(hù)層的材料此處不做限制，只要能夠形成保護(hù)層即可。

其中，隔離槽的深度大于等于GeOI襯底的頂層Ge的厚度，保證了后續(xù)槽中二氧化硅(SiO₂)與GeOI襯底的氧化層的連接，形成完整的絕緣隔離。

再者，對(duì)于步驟(b)，具體可以包括如下步驟：

(b1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(b2)采用第二掩膜版，利用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第二保護(hù)層及所述頂層Ge層以在所述頂層Ge層形成所述第一溝槽和所述第二溝槽。

具體地，第二保護(hù)層包括第二二氧化硅(SiO₂)層和第二氮化硅(SiN)層；則第二保護(hù)層的形成包括：在GeOI襯底表面生成二氧化硅(SiO₂)以形成第二二氧化硅(SiO₂)層；在第二二氧化硅(SiO₂)層表面生成氮化硅(SiN)以形成第二氮化硅(SiN)層。這樣做的好處類似于第一保護(hù)層的作用，此處不再贅述。

優(yōu)選地，該第一溝槽和第二溝槽的底部距頂層Ge底部的距離為0.5微米～30微米，形成一般認(rèn)為的深槽，這樣在形成P型和N型有源區(qū)時(shí)可以形成雜質(zhì)分布均勻、且高摻雜濃度的P、N區(qū)和和陡峭的Pi與Ni結(jié)，以利于提高i區(qū)等離子體濃度。

再者，在步驟(c)之前，還可以包括：

(y1)在800℃～900℃下，氧化所述第一溝槽和所述第二溝槽以在所述第一溝槽和所述第二溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(y2)利用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述第一型溝槽和所述第二溝槽內(nèi)壁的平整化。

這樣做的好處在于：可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場(chǎng)集中區(qū)域，造成Pi和Ni結(jié)擊穿。

再者，步驟(c)可以包括：

(c1)利用MOCVD工藝，在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)淀積GaAs材料；

(c2)利用CMP工藝，去除所述第一溝槽和所述第二溝槽外一定厚度的GaAs材料以完成所述第一溝槽和所述第二溝槽的平整化。

再者，對(duì)于步驟(d)，具體可以包括如下步驟：

步驟(d)包括：

(d1)采用第三掩膜版，利用離子注入工藝對(duì)所述第一溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行B離子注入形成所述P型有源區(qū)；

(d2)采用第四掩膜版，利用離子注入工藝在所述第二溝槽內(nèi)的GaAs材料進(jìn)行P離子注入形成所述N型有源區(qū)；

(d3)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面淀積SiO₂材料，利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)的雜質(zhì)；

(d4)去除SiO₂材料。

另外，步驟(e)可以包括：

(e1)在整個(gè)襯底表面淀積SiO₂材料；

(e2)采用第五掩膜版，利用各向異性刻蝕工藝，刻蝕所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面部分位置的SiO₂材料形成所述引線孔；

(e3)在所述引線孔中濺射金屬材料；

(e4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管。

本發(fā)明提供的GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制備方法具備如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)SPiN二極管所使用的鍺材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，能有效提高了PiN二極管的固態(tài)等離子體濃度；

(2)SPiN二極管采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，由于i區(qū)為鍺，其載流子遷移率高且禁帶寬度比較窄，在P、N區(qū)填充多晶GaAs從而形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，GaAs材料的禁帶寬度大于鍺，故可產(chǎn)生高的注入比，提高器件性能；

(3)SPiN二極管采用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，并且I區(qū)的鍺和P、N區(qū)的多晶GaAs的晶格失配比較低，故在異質(zhì)結(jié)界面處的缺陷很少，從而提高了器件的性能；

(4)SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對(duì)器件性能的影響。

實(shí)施例二

請(qǐng)參見圖2a-圖2r，圖2a-圖2r為本發(fā)明實(shí)施例的一種GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管的制備方法示意圖，在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，以制備溝道長(zhǎng)度為22nm(固態(tài)等離子區(qū)域長(zhǎng)度為100微米)的GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管為例進(jìn)行詳細(xì)說明，具體步驟如下：

步驟1，襯底材料制備步驟：

(1a)如圖2a所示，選取(100)晶向，摻雜類型為p型，摻雜濃度為10¹⁴cm^-3的GeOI襯底片101，頂層Ge的厚度為50μm；

(1b)如圖2b所示，采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱CVD)的方法，在GeOI襯底上淀積一層40nm厚度的第一SiO₂層201；

(1c)采用化學(xué)氣相淀積的方法，在襯底上淀積一層2μm厚度的第一Si₃N₄/SiN層202；

步驟2，隔離制備步驟：

(2a)如圖2c所示，采用掩膜版，通過光刻工藝在上述保護(hù)層上形成隔離區(qū)，濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si₃N₄/SiN層202，形成隔離區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在隔離區(qū)形成寬5μm，深為50μm的深隔離槽301；

(2b)如圖2d所示，采用CVD的方法，淀積SiO₂ 401將該深隔離槽填滿；

(2c)如圖2e所示，采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡(jiǎn)稱CMP)方法，去除表面第一Si₃N₄/SiN層202和第一SiO₂層201，使GeOI襯底表面平整；

步驟3，P、N區(qū)深槽制備步驟：

(3a)如圖2f所示，采用CVD方法，在襯底上連續(xù)淀積延二層材料，第一層為300nm厚度的第二SiO₂層601，第二層為500nm厚度的第二Si₃N₄/SiN層602；

(3b)如圖2g所示，采用掩膜版，光刻P、N區(qū)深槽，濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si₃N₄/SiN層602和第二SiO₂層601，形成P、N區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在P、N區(qū)形成寬4μm，深5μm的深槽701，P、N區(qū)槽的長(zhǎng)度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定；

(3c)如圖2h所示，在850℃下，高溫處理10分鐘，氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801，以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整；

(3d)如圖2i所示，利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801。

步驟4，P、N接觸區(qū)制備步驟：

(4a)如圖2j所示，采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱MOCVD)工藝，在P、N區(qū)槽中淀積多晶GaAs1001，并將溝槽填滿；

(4b)如圖2k所示，采用CMP，去除表面多晶GaAs1001與第二Si₃N₄/SiN層602，使表面平整；

(4c)如圖2l所示，采用CVD的方法，在表面淀積一層多晶GaAs1201，厚度為200～500nm；

(4d)如圖2m所示，采用掩膜版，光刻P區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行P⁺注入，使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成P接觸1301；

(4e)采用掩膜版，光刻N(yùn)區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行N⁺注入，使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成N接觸1302；

(4f)如圖2n所示，采用選擇性刻蝕，刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶GaAs1201，形成P、N接觸區(qū)；

(4g)如圖2o所示，采用CVD的方法，在表面淀積SiO₂1501，厚度為800nm；

(4h)在1000℃，退火1分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)GaAs中雜質(zhì)；

步驟5，構(gòu)成PIN二極管步驟：

(5a)如圖2p所示，在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1601；

(5b)如圖2q所示，襯底表面濺射金屬，在750℃合金形成金屬硅化物1701，并刻蝕掉表面的金屬；

(5c)襯底表面濺射金屬，光刻引線；

(5d)如圖2r所示，淀積Si₃N₄/SiN形成鈍化層1801，光刻PAD，形成PIN二極管，作為制備固態(tài)等離子天線材料。

本實(shí)施例中，上述各種工藝參數(shù)均為舉例說明，依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請(qǐng)之保護(hù)范圍。

本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的SPiN二極管，首先，所使用的鍺材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，提高了SPiN二極管的固態(tài)等離子體濃度；另外，Ge基SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的深槽刻蝕的多晶GaAs鑲嵌工藝，該工藝能夠提供突變結(jié)pi與ni結(jié)，并且能夠有效地提高pi結(jié)、ni結(jié)的結(jié)深，使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強(qiáng)，有利于制備出高性能的等離子天線；其次，鍺材料由于其氧化物GeO熱穩(wěn)定性差的特性，P區(qū)和N區(qū)深槽側(cè)壁平整化的處理可在高溫環(huán)境自動(dòng)完成，簡(jiǎn)化了材料的制備方法；再次，本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的GeOI基SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對(duì)器件性能的影響。

實(shí)施例三

請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例的異質(zhì)Ge基SPiN二極管的器件結(jié)構(gòu)示意圖。該GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管采用上述如圖1所示的制備方法制成，具體地，該GaAs-Ge-GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管在GeOI襯底301上制備形成，且SPiN二極管的P區(qū)304、N區(qū)305以及橫向位于該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305之間的i區(qū)(本征區(qū))均位于該GeOI襯底的頂層Ge302內(nèi)。其中，該SPiN二極管可以采用STI深槽隔離，即該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305外側(cè)各設(shè)置有一隔離槽303，且該隔離槽303的深度大于等于該頂層Ge302的厚度。

綜上所述，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明SPiN二極管及其制備方法的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。